用于向植入式输注装置提供治疗剂的方法和系统制造方法及图纸

本申请涉及用于向植入式输注装置提供治疗剂的方法和系统。提出了一种用于再填充多室能植入的输注装置的系统。输注装置具有能通过再填充端口的外部隔膜进入的再填充室。再填充室由内隔膜分成上部贮存器和下部贮存器。下再填充室通过下部贮存器针再填充，该下部贮存器针具有轴向定位成与下部贮存器对准的针开口。上部贮存器通过上部贮存器针再填充，该上部贮存器针具有与上部贮存器对准的开口。在针中提供磁性部分以定位和识别针。输注装置内的处理器连接到磁场传感器，该磁场传感器感测针的磁性部分并辨别针内磁编码的信息。性部分并辨别针内磁编码的信息。性部分并辨别针内磁编码的信息。

【技术实现步骤摘要】
用于向植入式输注装置提供治疗剂的方法和系统


[0001]本公开涉及能植入的医疗装置，特别是能植入的多室输注装置，以及涉及用于再填充能植入的输注装置的方法和系统。本申请为分案申请，其母案的申请号为202080017361.0，申请日为2020年2月25日，专利技术名称为“用于向植入式输注装置提供治疗剂的方法和系统”。

技术介绍

[0002]能植入的输注装置用于为患者提供治疗剂的长期输注。能植入的输注装置例如用在鞘内药物递送系统(IDDS)中以治疗慢性疼痛。这些系统将麻醉剂从贮存器通过导管递送到脊髓的背角。
[0003]能植入的输注装置包含贮存器，该贮存器由隔膜密封并通过隔膜能进入。再填充贮存器通常是用皮下注射针通过患者皮肤并通过隔膜注射到贮存器中。
[0004]在医疗领域中当需要在延长的时间段期间将治疗剂反复输注到患者的循环系统中时，使用能植入的血管进入端口(VAP)。这样的VAP通常包括包含贮存器和隔膜的壳体，带有从壳体延伸的导管。
[0005]US 2004/0073196公开了带有针检测器的血管进入端口。其允许医疗专业人员确认针已正确地插入通过隔膜并且插入到VAP的内部贮存器中。如果针已被意外撤出，VAP系统通知患者和/或医疗专业人员。US 2004/0073196的内容在此通过引用以其整体并入本文。
[0006]US 2014/0228765公开了包括针刺穿检测器的能再填充且能植入的输注设备和方法，该针刺穿检测器检测并指示针相对于能植入的输注设备的药物贮存器的隔膜的位置。凭借针位置数据，医疗专业人员可更好地确保其将药物注射到药物贮存器中，因此提高患者安全性。US 2014/0228765的内容在此通过引用以其整体并入本文。
[0007]已知的针检测系统设计为与单贮存器输注装置和血管进入端口一起工作。已知系统并未考虑接收多于一种治疗剂的更复杂的多贮存器输注装置或VAP的复杂性和潜在故障模式。

技术实现思路

[0008]能植入的输注装置包括壳体。再填充室布置在壳体内。再填充室能通过再填充端口进入。自密封外部隔膜设置在再填充端口处并且形成再填充室中的上部室的进入开口。自密封内隔膜在外部隔膜下方设置在再填充室内。内隔膜将上部室与下部室分开。一个传感器或第一传感器和第二传感器布置在再填充室处。处理器操作地连接到第一传感器和第二传感器。处理器配置为，响应于从第一传感器和从第二传感器接收的信号，检测针在再填充室中的存在。处理器还配置为将针开口的位置与下部室或上部室相关联。
[0009]无线发射器可操作地连接到处理器，并且处理器可配置为将关于针开口的位置与下部室或上部室的关联的信号传输到外部装置。
[0010]第一传感器可以是布置在再填充室的底部处的接触传感器，并且第二传感器可以是邻近再填充室布置在壳体内的霍尔效应传感器或微机电系统磁场传感器。
[0011]第一传感器和/或第二传感器可多轴测量。第一和/或第二传感器可一维、二维和/或三维地测量。这带来改进的针的强度测量。此外，改进了针的方向(即，其矢量)的检测。
[0012]替代的单传感器能植入的输注装置可包括壳体和布置在壳体内的再填充室。再填充室能通过再填充端口进入。自密封外部隔膜设置在再填充端口处并且形成再填充室中的上部室的进入开口。自密封内隔膜在外部隔膜下方设置在再填充室内并且将上部室与下部室分开。磁场传感器布置在再填充室处并且操作地连接到处理器。处理器配置为，响应于从磁场传感器接收的信号，检测针在再填充室中的存在，并且通过评估磁场传感器处的磁场的定向和/或强度而将针开口的位置与下部室或上部室相关联。
[0013]用于再填充能植入的输注装置的系统包括能植入的输注装置。能植入的输注装置包括布置在壳体内的再填充室。再填充室能通过再填充端口进入。上部室形成在再填充室内并且能通过设置在再填充端口处的自密封外部隔膜进入。下部室形成在再填充室内。下部室通过设置在再填充室内的自密封内隔膜与上部室分开。磁场传感器设置在距再填充室的底部一距离dsensor处。处理器操作地连接到磁场传感器。
[0014]系统还包括再填充针。再填充针具有从近侧端部到远侧端部延伸的细长主体。针包括布置在距远侧端部一距离dmagnet处的磁性部分。与近侧端部流体连接的针开口布置在距细长主体的远侧端部一距离处。用户界面装置与能植入的输注装置无线通信。dsensor相对于dmagnet定位，换句话说，距离dsensor相对于dmagnet协调，或者换句话说，dsensor和dmagnet彼此适配。磁场传感器和磁体设置在大约相同的高度处，即dsensor至少大约等于dmagnet，特别地0.5*dmagnet≤dsensor≤1.6*dmagnet，更特别地0.75*dmagnet≤dsensor≤1.5*dmagnet，更特别地1.0*dmagnet≤dsensor≤1.3*dmagnet。在一个实施例中，dsensor等于dmagnet。在另一实施例中，dsensor略长于dmagent，使得当针插入时磁性部分经过传感器。处理器配置为，响应于从磁场传感器接收的信号，将针开口的位置与下部室或上部室相关联。用户界面装置配置为指示在上部室或下部室中针开口的位置。
[0015]处理器可配置为，如果磁场传感器检测到具有高于下限阈值的场强的磁场，则辨别正确插入的针。处理器还可配置为根据磁性部分中的磁场的定向和/或强度，将针开口的位置与下部室或上部室相关联。填充有治疗剂的再填充容器可不可分离地连接在细长主体的近侧端部处。
[0016]该系统不仅能检测针位置，并且其能在针之间进行区分。
[0017]磁场传感器可以是霍尔效应传感器。替代地或额外地，磁场传感器可以是微机电系统磁场传感器。
[0018]能植入的输注装置可还包括第二磁场传感器，其设置在距再填充室的底部一距离dsensor2处。再填充针的细长主体可包括布置在距远侧端部一距离dmagnet2处的第二磁性部分，其中特别地0.5*dmagnet2≤dsensor2≤1.6*dmagnet2，更特别地0.75*dmagnet2≤dsensor2≤1.5*dmagnet2，更特别地1.0*dmagnet2≤dsensor2≤1.3*dmagnet2。当针完全插入到能植入的输注装置中时，第二传感器和第二磁性部分可对准，即dsensor2＝dmagnet2。在另一个实施例中，dsensor2略长于dmagent2，使得当针插入时第二磁性部分经过第二传感器。处理器可配置为通信关于磁性部分中的第一磁场的定向和/或强度以及第
二磁性部分中的第二磁场的定向和/或强度的信息。
[0019]用于能植入的输注装置的再填充针具有从近侧端部到远侧端部延伸的细长主体。其包括布置在距远侧端部一距离dmagnet1处的第一磁性部分，和布置在距远侧端部一距离dmagnet2处的第二磁性部分。第一磁性部分具有可选择的第一磁场定向和/或强度以编码第一信息单位，并且第二磁性部分具有可选择的第二磁场定向和/本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种能植入的输注装置，其包括：壳体；布置在所述壳体内的再填充室，所述再填充室能通过再填充端口进入；设置在所述再填充端口处的自密封外部隔膜，其形成所述再填充室中的上部室的进入开口；在所述外部隔膜下方设置在所述再填充室内的自密封内隔膜，其将所述上部室与下部室分开；布置在所述再填充室处的传感器；和处理器，其操作地连接到所述传感器并且配置为，响应于从所述传感器接收的信号，检测针在所述再填充室中的存在并且将针开口的位置与所述下部室或所述上部室相关联。2.如权利要求1所述的能植入的输注装置，其还包括布置在所述再填充室处的第二传感器，其中，所述处理器配置为，响应于从所述传感器和从所述第二传感器接收的信号，检测针在所述再填充室中的存在并且将所述针开口的所述位置与所述下部室或所述上部室相关联，其中，特别地，所述第二传感器是磁场传感器，优选地霍尔效应传感器或微机电系统磁场传感器，其邻近所述再填充室布置在所述壳体内。3.如权利要求1或2所述的能植入的输注装置，其中，所述传感器是磁场传感器，优选地霍尔效应传感器或微机电系统磁场传感器，其邻近所述再填充室布置在所述壳体内，并且其中，所述处理器配置为，响应于从所述磁场传感器接收的信号，检测针在所述再填充室中的存在，并且通过评估所述磁场传感器处的磁场的定向和/或强度，将针开口的位置与所述下部室或所述上部室相关联，或者其中，所述传感器是布置在所述再填充室的底部处的接触传感器。4.如权利要求1至3中的一项所述的能植入的输注装置，其还包括操作地连接到所述处理器的无线发射器，其中，所述处理器配置为将关于所述针开口的所述位置与所述下部室或所述上部室的关联的信号传输到外部装置。5.一种用于再填充能植入的输注装置的系统，其包括：根据权利要求3所述的能植入的输注装置，所述能植入的输注装置包括布置在所述再填充室内的上部室，所述上部室能通过设置在所述再填充端口处的自密封外部隔膜进入，布置在所述再填充室内的下部室，所述下部室通过设置在所述再填充室内的自密封内隔膜与所述上部室分开，磁场传感器，优选地霍尔效应传感器或微机电系统磁场传感器，其设置在距所述再填充室的底部大约dsensor的距离处，和操作地连接到所述磁场传感器的处理器；再填充针，其包括从近侧端部到远侧端部延伸的细长主体，所述细长主体包括布置在距所述远侧端部大约dmagnet的距离处的磁性部分，
与所述近侧端部流体连接的针开口，所述针开口布置在距所述细长主体的所述远侧端部一距离处；和与所述能植入的输注装置无线通信的用户界面装置，其中，dsensor相对于dmagnet定位，其中，所述处理器配置为，响应于从所述磁场传感器接收的信号，将所述针开口的位置与所述下部室或所述上部室相关联，并且其中，所述用户界面装置配置为指示在所述上部室或所述下部室中所述针开口的所述位置，其中，所述处理器优选地配置为，如果所述磁场传感器检测到具有高于下限阈值的场强的磁场，则辨别正确插入的针，并且其中，所述处理器还优选地配置为，根据所述磁性部分中的磁场的定向和/或强度，将所述针开口的位置与所述下部室或所述上部室相关联。6.如权利要求5所述的系统，其还包括填充有治疗剂的再填充容器，所述再填充容器不可分离地连接在所述细长主体的所述近侧端部处。7.如权利要求5至6中的一项所述的系统，其中，所述能植入的输注装置还包括第二磁场传感器，所述第二磁场传感器设置在距所述再填充室的所述底部大约dsensor2的距离处，其中，所述再填充针的所述细长主体包括布置在距所述远侧端部大约dmagnet2的距离处的第二磁性部分，其中，ds...

【专利技术属性】
技术研发人员：B，
申请(专利权)人：贝朗米思柯有限两合公司，
类型：发明
国别省市：