半导体结构及其制造方法技术

本发明专利技术是一种半导体结构及其制造方法。所述半导体结构包含基板、介电层、接合层、接地金属层及多个线路层，该介电层设置于该基板的表面上，该介电层的多个开口显露该表面，该接合层设置于该介电层上，该接合层的第一接合部位于所述开口中，且该第一接合部连接该表面，该接合层的第二接合部连接该介电层，该接地金属层的第一接地层连接该接合层的该第一接合部，该接地金属层的第二接地层连接该接合层的该第二接合部，各该线路层设置于该接合层的该第二接合部上，且相邻的两个该线路层之间具有一个该第二接地层。个该第二接地层。个该第二接地层。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制造方法


[0001]本专利技术是关于一种半导体结构，特别是关于一种具有接地金属层的半导体结构及其制造方法。

技术介绍

[0002]请参阅图1及图2，为现有习知一种半导体结构200的不同视角的剖视图，该半导体结构200具有基板210、多个导接垫220、第一介电层230、第一接合层240、第一线路层250、接地金属层260、第二介电层270、第二接合层280及第二线路层290，所述导接垫220位于该基板210的表面211，该第一介电层270设置于该基板210的表面211，且该第一介电层230具有多个开口231，部分的该开口231显露各该导接垫220，部分的该开口231则显露该基板210的表面211。该第一接合层240设置于所述开口231中，该第一接合层240的第一接合部241位于该开口231中并连接各该导接垫220，该第一接合层240的第二接合部242位于该开口231中并连接该基板210的表面211。该第一线路层250连接该第一接合部241，该接地金属层260连接该第二接合部242，其中，该接地金属层260用以阻隔电磁波的干扰而设置于半导体结构200的中央，由于两个该导接垫220需要进行电流信号的传输，但因两个导接垫220之间有着该接地金属层260的阻隔，而必须借由该第二介电层270罩盖该接地金属层260，让该第二接合层280及该第二线路层290设置于该第二介电层270上而不接触该接地金属层260。这使得该半导体结构200为2P2M(2
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Poly 2
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Metal)的结构，导致制程较为复杂并增加整体的体积。

技术实现思路

[0003]本专利技术的主要目的在于将接地金属层分为第一金属层及第二金属层，使得线路层可由第二金属层之间通过，不需另外设置介电层罩盖接地金属层，而达成1P2M的结构。
[0004]本专利技术的一种半导体结构包含基板、介电层、接合层、接地金属层及多个线路层，该基板具有表面，该介电层设置于该表面上，该介电层具有多个开口，各该开口显露该表面，该接合层设置于该介电层上，该接合层的第一接合部位于所述开口中，且该第一接合部连接该表面，该接合层的第二接合部连接该介电层，该接地金属层设置于该接合层上，该接地金属层的第一接地层连接该接合层的该第一接合部，该接地金属层的第二接地层连接该接合层的该第二接合部，各该线路层设置于该接合层的该第二接合部上，且相邻的两个该线路层之间具有一个该第二接地层。
[0005]较佳地，该介电层、该第一接合部及该第一接地层位于同一第一水平高度，该第二接合部、该第二接地层及所述线路层位于同一第二水平高度，该第二水平高度高于该第一水平高度。
[0006]较佳地，该基板具有多个导接垫，所述导接垫设置于该基板的该表面，该介电层的该开口显露各该导接垫，该接合层经由该开口连接该导接垫，使各该线路层经由该接合层连接各该导接垫。
[0007]较佳地，该第一接地层经由该接合层连接该第二接地层。
[0008]较佳地，该接地金属层并未通过任何电流信号。
[0009]一种半导体结构的制造方法包含：提供基板，该基板具有表面；形成介电层于该基板的该表面，该介电层具有多个开口，所述开口显露该表面；形成接合层于该介电层上，其中部分的该接合层位于所述开口中并连接该表面，部分的该接合层连接该介电层；形成图案化光阻层于该接合层上，该图案化光阻层具有多个开孔，所述开孔显露该接合层；在该图案化光阻层的所述开孔中形成金属层，该金属层连接所述开孔显露的该接合层，且部分的该金属层位于该介电层的该开口中；剥离该图案化光阻层，以显露该图案化光阻层所罩盖的该接合层；以及以该金属层作为遮罩蚀刻该接合层，使该接合层形成为第一接合部及第二接合部，该第一接合部位于所述开口中，且该第一接合部连接该表面，该第二接合部连接该介电层，其中该金属层包含接地金属层及多个线路层，该接地金属层的第一接地层连接该接合层的该第一接合部，该接地金属层的第二接地层连接该接合层的该第二接合部，各该线路层设置于该接合层的该第二接合部上，且相邻的两个该线路层之间具有一个该第二接地层。
[0010]较佳地，该介电层、该第一接合部及该第一接地层位于同一第一水平高度，该第二接合部、该第二接地层及所述线路层位于同一第二水平高度，该第二水平高度高于该第一水平高度。
[0011]较佳地，该基板具有多个导接垫，所述导接垫设置于该基板的该表面，该介电层的该开口显露各该导接垫，该接合层经由该开口连接该导接垫，使各该线路层经由该接合层连接各该导接垫。
[0012]较佳地，该第一接地层经由该接合层连接该第二接地层。
[0013]较佳地，该接地金属层并未通过任何电流信号。
[0014]本专利技术借由将该半导体结构的该接地金属层分为该第一接地层及该第二接地层，使得所述线路层够直接设置于该介电层上，而达成1P2M的结构，降低制程的复杂度以及该半导体结构的体积。此外，由于该第二接地层也设置于该介电层上，能够屏蔽所述线路层互相的电磁波干扰，以提高该半导体结构电磁波屏蔽的能力。
附图说明
[0015]图1：现有习知的一种半导体结构的剖视图。
[0016]图2：现有习知的该半导体结构的剖视图。
[0017]图3：依据本专利技术的一实施例，一种半导体结构的俯视图。
[0018]图4：图3的A
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A线段的剖视图。
[0019]图5：图3的B
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B线段的剖视图。
[0020]图6：依据本专利技术的一实施例，一种半导体结构的制造方法的流程图。
[0021]图7A
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图7G：图3的A
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A线段在该半导体结构的制造方法的各步骤的剖视图。
[0022]图8A
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图8G：图3的B
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B线段在该半导体结构的制造方法的各步骤的剖视图。
[0023]【主要元件符号说明】
[0024]100：半导体结构
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110：基板
[0025]111：表面
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112：导接垫
[0026]120：介电层
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121：开口
[0027]130：接合层
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131：第一接合部
[0028]132：第二接合部
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140：接地金属层
[0029]141：第一接地层
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142：第二接地层
[0030]150：线路层
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PR：图案化光阻层
[0031]O：开孔
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包含：基板，具有表面；介电层，设置于该表面上，该介电层具有多个开口，各该开口显露该表面；接合层，设置于该介电层上，该接合层的第一接合部位于所述开口中，且该第一接合部连接该表面，该接合层的第二接合部连接该介电层；接地金属层，设置于该接合层上，该接地金属层的第一接地层连接该接合层的该第一接合部，该接地金属层的第二接地层连接该接合层的该第二接合部；以及多个线路层，各该线路层设置于该接合层的该第二接合部上，且相邻的两个该线路层之间具有一个该第二接地层。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该介电层、该第一接合部及该第一接地层位于同一第一水平高度，该第二接合部、该第二接地层及所述线路层位于同一第二水平高度，该第二水平高度高于该第一水平高度。3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，该基板具有多个导接垫，所述导接垫设置于该基板的该表面，该介电层的该开口显露各该导接垫，该接合层经由该开口连接该导接垫，使各该线路层经由该接合层连接各该导接垫。4.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，该第一接地层经由该接合层连接该第二接地层。5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，该接地金属层并未通过任何电流信号。6.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包含：提供基板，该基板具有表面；形成介电层于该基板的该表面，该介电层具有多个开口，所述开口显露该表面；形成接合层于该介电层上，其中部分的该接合层位于所述开口中并连接该表面，部分的该接合层连接该介...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢庆堂，徐佑铭，郭俊廷，何荣华，郭志明，
申请(专利权)人：颀邦科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：