【技术实现步骤摘要】
岛被填平淹没,所述AlN层中Al组分的占比为0.4
‑
0.6。
[0009]作为上述技术方案的改进,所述V型坑开口延伸层的周期数为3
‑
10,其中,所述InGaN层中In组分的占比为0.05
‑
0.3,单个所述InGaN层的厚度为1nm
‑
3nm,所述第一AlGaN层中Al组分的占比为0.1
‑
0.4,单个所述第一AlGaN层的厚度为5nm
‑
10nm。
[0010]作为上述技术方案的改进,所述SiO2岛填平层为AlN层和第二AlGaN层交替生长形成的周期性结构,周期数为3
‑
10,其中,单个所述AlN层的厚度为5nm
‑
10nm;所述第二AlGaN层中Al组分的占比为0.1
‑
0.3,单个所述第二AlGaN层的厚度为2nm
‑
3nm。
[0011]相应的,本专利技术还公开了一种用于Micro
‑
LED的外延片的制备方法,用于制备上述的用于Micro
‑
LED的外延片,其包括:提供衬底,在所述衬底上依次生长形核层、本征GaN层、N
‑
GaN层、V型坑开口层、多量子阱层、电子阻挡层和P
‑
GaN层;所述V型坑开口层包括依次层叠的SiO2岛层、SiO2岛填平层和V型坑开口延伸层;所述SiO2岛层包括多个阵列分布于所述N
‑
GaN层上的SiO2岛;所述SiO2岛填平层包括Al ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于Micro
‑
LED的外延片,其特征在于,包括衬底和依次设于所述衬底上的形核层、本征GaN层、N
‑
GaN层、V型坑开口层、多量子阱层、电子阻挡层和P
‑
GaN层;所述V型坑开口层包括依次层叠的SiO2岛层、SiO2岛填平层和V型坑开口延伸层;所述SiO2岛层包括多个阵列分布于所述N
‑
GaN层上的SiO2岛;所述SiO2岛填平层包括AlN层;所述V型坑开口延伸层为InGaN层和第一AlGaN层交替生长形成的周期性结构。2.如权利要求1所述的用于Micro
‑
LED的外延片,其特征在于,所述SiO2岛层为SiO2薄膜层经ICP刻蚀得到,其中,所述SiO2薄膜层的厚度为10nm
‑
100nm。3.如权利要求1所述的用于Micro
‑
LED的外延片,其特征在于,所述SiO2岛的直径为100nm
‑
500nm,分布密度为1
×
106个/cm2‑1×
108个/cm2。4.如权利要求1所述的用于Micro
‑
LED的外延片,其特征在于,所述SiO2岛填平层的厚度为20nm
‑
130nm,以使所述SiO2岛被填平淹没,所述AlN层中Al组分的占比为0.4
‑
0.6。5.如权利要求1所述的用于Micro
‑
LED的外延片,其特征在于,所述V型坑开口延伸层的周期数为3
‑
10,其中,所述InGaN层中In组分的占比为0.05
‑
0.3,单个所述InGaN层的厚度为1nm
‑
3nm,所述第一AlGaN层中Al组分的占比为0.1
‑
0.4,单个所述第一AlGaN层的厚度为5nm
‑
10nm。6.如权利要求1
‑
5任一项所述的用于Micro
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LED的外延片,其特征在于,所述SiO2岛填平层为AlN层和第二AlGaN层交替生长形成的周期性结构,周期数为3
‑
10,其中,单个所述AlN层的厚度为5nm
‑
10nm;所述第二AlGaN...
【专利技术属性】
技术研发人员:张彩霞,印从飞,程金连,刘春杨,胡加辉,金从龙,
申请(专利权)人:江西兆驰半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:
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