感测放大电路结构及存储器制造技术

本公开涉及一种感测放大电路结构及存储器，感测放大电路结构包括：第一N型晶体管连接位线、第一电源节点和互补放大位线；第二N型晶体管连接互补位线、第一电源节点和放大位线；第一P型晶体管连接放大位线、第二电源节点和互补放大位线；第二P型晶体管连接互补放大位线、第二电源节点和放大位线；其中，第一隔离晶体管连接位线和放大位线；第二隔离晶体管连接互补位线和互补放大位线；第一隔离晶体管和第二隔离晶体管的栅极氧化层厚度大于第一N型晶体管和第二N型晶体管的栅极氧化层厚度。体管和第二N型晶体管的栅极氧化层厚度。体管和第二N型晶体管的栅极氧化层厚度。

【技术实现步骤摘要】
感测放大电路结构及存储器


[0001]本公开涉及半导体电路设计领域，特别涉及一种感测放大电路结构及存储器。

技术介绍

[0002]动态随机存取存储器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是计算机中常用的半导体存储器件，由许多重复的存储单元组成。每个存储单元通常包括电容器和晶体管，晶体管的栅极与字线相连、漏极与位线相连、源极与电容器相连，字线上的电压信号能够控制晶体管的打开或关闭，进而通过位线读取存储在电容器中的数据信息，或者通过位线将数据信息写入到电容器中进行存储。
[0003]感测放大电路(Sense Amplifier，SA)是实现DRAM读写以及动态刷新的重要组件，其原理是通过差分放大的原理感应目标位线上的微小电压变化并放大以转换为数字信号。
[0004]感测放大电路的感测裕度衡量是实现准确感测的重要参数，如何调节感测放大电路的感测裕度，以实现对目标位线上的微小电压变化并放大的准确性，是DRAM的重要优化方式。

技术实现思路

[0005]本公开实施例提供一种感测放大电路结构及存储器，以优化感测放大电路的性能。
[0006]本公开一实施例提供了一种感测放大电路结构，包括：第一N型晶体管，控制端连接位线，第一端子连接第一电源节点，第二端子连接互补放大位线；第二N型晶体管，控制端连接互补位线，第一端子连接第一电源节点，第二端子连接放大位线；第一P型晶体管，控制端连接放大位线，第一端子连接第二电源节点，第二端子连接互补放大位线；第二P型晶体管，控制端连接互补放大位线，第一端子连接第二电源节点，第二端子连接放大位线；第一隔离晶体管，控制端用于接收隔离信号，第一端子连接位线，第二端子连接放大位线；第二隔离晶体管，控制端用于接收隔离信号，第一端子连接互补位线，第二端子连接互补放大位线；其中，第二电源节点提供的电源电压大于第一电源节点提供的电源电压，第一隔离晶体管和第二隔离晶体管的栅极氧化层厚度大于第一N型晶体管和第二N型晶体管的栅极氧化层厚度。
[0007]通过设置第一隔离晶体管和第二隔离晶体管具有较大的栅极氧化层厚度，以增大第一隔离晶体管和第二隔离晶体管的栅氧电阻，使得当感测放大电路处于空闲阶段时，第一隔离晶体管和第二隔离晶体管的栅极泄漏电流显著减少，从而降低感测放大电路的静态功耗；另外，第一隔离晶体管和第二隔离晶体管的栅极氧化层厚度较大，相应增加了第一隔离晶体管和第二隔离晶体管的阈值电压，第一隔离晶体管和第二隔离晶体管需要基于更大电位的隔离信号才能导通，避免了隔离信号的传输线上的电压扰动而导致第一隔离晶体管和第二隔离晶体管错误开启的情况，提高了感测放大电路的稳定性。
[0008]例如，第一隔离晶体管和第二隔离晶体管的栅极氧化层厚度大于第一P型晶体管
和第二P型晶体管的栅极氧化层厚度。
[0009]例如，第一隔离晶体管和第二隔离晶体管的栅极氧化层的厚度范围为25A~35A。
[0010]例如，感测放大电路结构，还包括：第一偏移消除晶体管，控制端用于接收偏移消除信号，第一端子连接位线，第二端子连接互补放大位线；第二偏移消除晶体管，控制端用于接收偏移消除信号，第一端子连接互补位线，第二端子连接放大位线；第一偏移消除晶体管和第二偏移消除晶体管的栅极氧化层厚度大于第一N型晶体管和第二N型晶体管的栅极氧化层厚度。
[0011]例如，第一偏移消除晶体管和第二偏移消除晶体管的栅极氧化层厚度大于第一P型晶体管和第二P型晶体管的栅极氧化层厚度。
[0012]例如，第一偏移消除晶体管和第二偏移消除晶体管的栅极氧化层的厚度范围为35A~45A。
[0013]例如，第一偏移消除晶体管和第二偏移消除晶体管的栅极氧化层厚度与第一隔离晶体管和第二隔离晶体管的栅极氧化层厚度相同。
[0014]例如，感测放大电路结构，还包括：预充电晶体管，控制端用于接收预充电信号，第一端子用于接收预设电压，第二端子连接放大位线或互补放大位线；预充电晶体管的栅极氧化层厚度大于第一N型晶体管和第二N型晶体管的栅极氧化层厚度。
[0015]例如，预充电晶体管的栅极氧化层厚度大于第一P型晶体管和第二P型晶体管的栅极氧化层厚度。
[0016]例如，预充电晶体管的栅极氧化层的厚度范围为30A~40A。
[0017]例如，预充电晶体管的栅极氧化层厚度与第一隔离晶体管和第二隔离晶体管的栅极氧化层厚度相同。
[0018]例如，感测放大电路结构，还包括：均衡晶体管，控制端用于接收均衡信号，第一端子连接放大位线，第二端子连接互补放大位线；均衡晶体管的栅极氧化层厚度大于第一N型晶体管和第二N型晶体管的栅极氧化层厚度。
[0019]例如，均衡晶体管的栅极氧化层厚度大于第一P型晶体管和第二P型晶体管的栅极氧化层厚度。
[0020]例如，均衡晶体管的栅极氧化层的厚度范围为30A~40A。
[0021]例如，均衡晶体管的栅极氧化层厚度与第一隔离晶体管和第二隔离晶体管的栅极氧化层厚度相同。
[0022]本公开另一实施例还提供了一种存储器，包括上述实施例提供的感测放大电路结构，以优化存储器中感测放大电路的性能。
附图说明
[0023]一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制；为了更清楚地说明本公开实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0024]图1为本公开一实施例提供的感测放大电路结构的结构示意图；
图2为本公开一实施例提供的包含偏移消除晶体管的感测放大电路结构的结构示意图；图3为本公开一实施例提供的包含预充电晶体管和均衡晶体管的感测放大电路结构的结构示意图；图4为本公开一实施例提供的感测放大电路结构的版图示意图；图5为本公开一实施例提供的感测放大电路结构的信号时序示意图；图6为本公开另一实施例提供的存储器的结构示意图。
具体实施方式
[0025]由
技术介绍
可知，感测放大电路（Sense Amplifier，SA）是实现DRAM读写以及动态刷新的重要组件，其原理是通过差分放大的原理感应目标位线上的微小电压变化并放大以转换为数字信号；感测放大电路的感测裕度衡量是实现准确感测的重要参数，如何调节感测放大电路的感测裕度，以实现对目标位线上的微小电压变化并放大的准确性，是DRAM的重要优化方式。
[0026]构成感测放大电路的晶体管可能由于工艺变化、温度等因素而具有不同的器件特征，而感测放大电路中晶体管的器件特性作为感测裕度的影响因素之一。
[0027]本公开一实施例提供了一种感测放大电路结构，以优化感测放大电路的性能。
[0028]本领域的普通技术人员可以理解，在本公开各实施例中，为了使读者更本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种感测放大电路结构，其特征在于，包括：第一N型晶体管，控制端连接位线，第一端子连接第一电源节点，第二端子连接互补放大位线；第二N型晶体管，控制端连接互补位线，第一端子连接所述第一电源节点，第二端子连接放大位线；第一P型晶体管，控制端连接所述放大位线，第一端子连接第二电源节点，第二端子连接所述互补放大位线；第二P型晶体管，控制端连接所述互补放大位线，第一端子连接所述第二电源节点，第二端子连接所述放大位线；第一隔离晶体管，控制端用于接收隔离信号，第一端子连接所述位线，第二端子连接所述放大位线；第二隔离晶体管，控制端用于接收所述隔离信号，第一端子连接所述互补位线，第二端子连接所述互补放大位线；其中，所述第二电源节点提供的电源电压大于所述第一电源节点提供的电源电压，所述第一隔离晶体管和所述第二隔离晶体管的栅极氧化层厚度大于所述第一N型晶体管和所述第二N型晶体管的栅极氧化层厚度。2.根据权利要求1所述的感测放大电路结构，其特征在于，所述第一隔离晶体管和所述第二隔离晶体管的栅极氧化层厚度大于所述第一P型晶体管和所述第二P型晶体管的栅极氧化层厚度。3.根据权利要求1或2所述的感测放大电路结构，其特征在于，所述第一隔离晶体管和所述第二隔离晶体管的栅极氧化层的厚度范围为25A~35A。4.根据权利要求1所述的感测放大电路结构，其特征在于，还包括：第一偏移消除晶体管，控制端用于接收偏移消除信号，第一端子连接所述位线，第二端子连接所述互补放大位线；第二偏移消除晶体管，控制端用于接收偏移消除信号，第一端子连接所述互补位线，第二端子连接所述放大位线；所述第一偏移消除晶体管和所述第二偏移消除晶体管的栅极氧化层厚度大于所述第一N型晶体管和所述第二N型晶体管的栅极氧化层厚度。5.根据权利要求4所述的感测放大电路结构，其特征在于，所述第一偏移消除晶体管和所述第二偏移消除晶体管的栅极氧化层厚度大于所述第一P型晶体管和所述第二P型晶体管的栅极氧化层厚度。6.根据权利要求4或5所述的感测放大电路结构，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：白文琦，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：