本申请公开了一种闪存颗粒寿命预测方法、装置、设备及可读存储介质，属于存储技术领域，该方法包括：对待测闪存颗粒的每个存储块进行抗读干扰测试，获取每个所述存储块的抗读干扰能力；根据预先建立的闪存颗粒的抗读干扰能力和剩余擦除次数的对应关系，确定每个所述存储块的剩余擦除次数，将所有所述存储块的剩余擦除次数的平均值作为所述待测闪存颗粒的寿命。本申请与现有技术中的验证方法相比，降低了对闪存颗粒的损坏，不会产生额外的损耗，检测后的闪存颗粒依旧可以用于正式的产品中；可以应用于闪存颗粒品质检测；可以应用于闪存品质等级分类，充分发挥不同闪存的价值；可以应用于高质量需求领域的筛选，挑选出符合要求的闪存颗粒。颗粒。颗粒。
【技术实现步骤摘要】
一种闪存颗粒寿命预测方法、装置、设备及可读存储介质
[0001]本申请涉及存储
，特别涉及一种闪存颗粒寿命预测方法、装置、设备及计算机可读存储介质。
技术介绍
[0002]闪存颗粒，又称闪存，是一种非易失性存储器，广泛应用于固态硬盘、U盘等存储产品中。数据的可靠性和产品的使用寿命一直是这些存储产品的两个重要质量指标。一般通过检测擦除次数是否符合标称，对闪存颗粒的寿命进行检查。现有技术中检测擦除次数，一般需要实际擦除测试，是一种验证方法。然而，实验后的闪存颗粒无法再使用，所以测试的样品数量越多，需要的成本越高。因此，本申请提供了一种闪存颗粒寿命预测方法，用来解决现有技术中采用验证方法造成的样品损坏和成本高的问题。
技术实现思路
[0003]本申请的目的是提供一种闪存颗粒寿命预测方法、装置、设备及计算机可读存储介质，从而降低对闪存颗粒的损坏，避免产生额外的损耗。
[0004]为实现上述目的，本申请提供了一种闪存颗粒寿命预测方法，包括：
[0005]对待测闪存颗粒的每个存储块进行抗读干扰测试，获取每个所述存储块的抗读干扰能力；
[0006]根据预先建立的闪存颗粒的抗读干扰能力和剩余擦除次数的对应关系，确定每个所述存储块的剩余擦除次数，将所有所述存储块的剩余擦除次数的平均值作为所述待测闪存颗粒的寿命。
[0007]可选的，所述对待测闪存颗粒的每个存储块进行抗读干扰测试，获取每个所述存储块的抗读干扰能力，包括：
[0008]S201：以预设读操作次数步长，对待测闪存颗粒的每个存储块中的一个存储页进行连续多次读操作；每个所述存储块包括多个存储页；
[0009]S202：读出每个所述存储块内除所述存储页以外的其它存储页的数据；
[0010]S203：判断所述其它存储页的数据的bit错误量是否超过预设阈值；若否，则执行步骤S201至S202，直至所述其它存储页的数据的bit错误量超过预设阈值；若是，则执行步骤S204；
[0011]S204：记录对所述存储页进行读操作的总次数；所述总次数为每个所述存储块的抗读干扰能力。
[0012]可选的，所述根据预先建立的闪存颗粒的抗读干扰能力和剩余擦除次数的对应关系，确定每个所述存储块的剩余擦除次数，将所有所述存储块的剩余擦除次数的平均值作为所述待测闪存颗粒的寿命前，还包括：
[0013]S301：用数据将闪存颗粒样品中的每个存储块写满；所述闪存颗粒样品中包括多个所述存储块；所述存储块为有效存储块；
[0014]S302：对每个所述存储块进行抗读干扰能力测试，并记录每个所述存储块的抗读干扰能力；其中，记录的第一次的所述抗读干扰能力为初始状态下的抗读干扰能力；
[0015]S303：以预设擦除次数步长，对每个所述存储块进行连续多次擦除；
[0016]S304：判断每个所述存储块是否失效；若否，则执行步骤S301至S303，直至所述存储块失效；若是，则执行步骤S305；
[0017]S305：记录对每个所述存储块进行擦除的总次数和擦除每个所述预设擦除次数步长后的剩余擦除次数；所述总次数为初始状态下的剩余擦除次数；
[0018]S306：根据所述初始状态下的抗读干扰能力和擦除每个所述预设擦除次数步长后的抗读干扰能力，以及所述初始状态下的剩余擦除次数和所述擦除每个所述预设擦除次数步长后的剩余擦除次数，建立闪存颗粒的抗读干扰能力和剩余擦除次数的对应关系。
[0019]可选的，所述步骤S304，包括：
[0020]判断对每个所述存储块进行的写操作或擦除操作是否成功；若是，则执行步骤S301至S303，直至所述写操作或所述擦除操作失败；若否，则执行步骤S305。
[0021]可选的，所述步骤S306，包括：
[0022]根据所述初始状态下的抗读干扰能力和擦除每个所述预设擦除次数步长后的抗读干扰能力，以及所述初始状态下的剩余擦除次数和所述擦除每个所述预设擦除次数步长后的剩余擦除次数，得到闪存颗粒的抗读干扰能力和剩余擦除次数的关系曲线；
[0023]对所述关系曲线进行拟合，建立闪存颗粒的抗读干扰能力和剩余擦除次数的对应关系。
[0024]为实现上述目的，本申请还提供了一种闪存颗粒寿命预测装置，包括：
[0025]获取数据模块，用于对待测闪存颗粒的每个存储块进行抗读干扰测试，获取每个所述存储块的抗读干扰能力；
[0026]寿命预测模块，用于根据预先建立的闪存颗粒的抗读干扰能力和剩余擦除次数的对应关系，确定每个所述存储块的剩余擦除次数，将所有所述存储块的剩余擦除次数的平均值作为所述待测闪存颗粒的寿命。
[0027]可选的，所述获取数据模块，包括：
[0028]读操作单元，用于以预设读操作次数步长，对待测闪存颗粒的每个存储块中的一个存储页进行连续多次读操作；每个所述存储块包括多个存储页；
[0029]读数据单元，用于读出每个所述存储块内除所述存储页以外的其它存储页的数据；
[0030]错误量判断单元，用于判断所述其它存储页的数据的bit错误量是否超过预设阈值；若否，则执行读操作单元至读数据单元，直至所述其它存储页的数据的bit错误量超过预设阈值；若是，则执行记录抗读干扰能力单元；
[0031]记录抗读干扰能力单元，用于记录对所述存储页进行读操作的总次数；所述总次数为每个所述存储块的抗读干扰能力。
[0032]可选的，所述寿命预测模块前，还包括：
[0033]写操作模块，用于用数据将闪存颗粒样品中的每个存储块写满；所述闪存颗粒样品中包括多个所述存储块；所述存储块为有效存储块；
[0034]获取抗读干扰能力模块，用于对每个所述存储块进行抗读干扰能力测试，并记录
每个所述存储块的抗读干扰能力；其中，记录的第一次的所述抗读干扰能力为初始状态下的抗读干扰能力；
[0035]擦除操作模块，用于以预设擦除次数步长，对每个所述存储块进行连续多次擦除；
[0036]状态判断模块，用于判断每个所述存储块是否失效；若否，则执行写操作模块至擦除操作模块，直至所述存储块失效；若是，则执行记录剩余擦除次数模块；
[0037]记录剩余擦除次数模块，用于记录对每个所述存储块进行擦除的总次数和擦除每个所述预设擦除次数步长后的剩余擦除次数；所述总次数为初始状态下的剩余擦除次数；
[0038]关系建立模块，用于根据所述初始状态下的抗读干扰能力和擦除每个所述预设擦除次数步长后的抗读干扰能力，以及所述初始状态下的剩余擦除次数和所述擦除每个所述预设擦除次数步长后的剩余擦除次数，建立闪存颗粒的抗读干扰能力和剩余擦除次数的对应关系。
[0039]为实现上述目的，本申请还提供了一种闪存颗粒寿命预测设备，包括：
[0040]存储器，用于存储计算机程序；
[0041]处理器，用于执行所述计算机程序时实现如上述所述的闪存颗粒寿命预测方法的步骤。
[0042]为实现上述目本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种闪存颗粒寿命预测方法，其特征在于，包括：对待测闪存颗粒的每个存储块进行抗读干扰测试，获取每个所述存储块的抗读干扰能力；根据预先建立的闪存颗粒的抗读干扰能力和剩余擦除次数的对应关系，确定每个所述存储块的剩余擦除次数，将所有所述存储块的剩余擦除次数的平均值作为所述待测闪存颗粒的寿命。2.根据权利要求1所述的闪存颗粒寿命预测方法，其特征在于，所述对待测闪存颗粒的每个存储块进行抗读干扰测试，获取每个所述存储块的抗读干扰能力，包括：S201：以预设读操作次数步长，对待测闪存颗粒的每个存储块中的一个存储页进行连续多次读操作；每个所述存储块包括多个存储页；S202：读出每个所述存储块内除所述存储页以外的其它存储页的数据；S203：判断所述其它存储页的数据的bit错误量是否超过预设阈值；若否，则执行步骤S201至S202，直至所述其它存储页的数据的bit错误量超过预设阈值；若是，则执行步骤S204；S204：记录对所述存储页进行读操作的总次数；所述总次数为每个所述存储块的抗读干扰能力。3.根据权利要求1所述的闪存颗粒寿命预测方法，其特征在于，所述根据预先建立的闪存颗粒的抗读干扰能力和剩余擦除次数的对应关系，确定每个所述存储块的剩余擦除次数，将所有所述存储块的剩余擦除次数的平均值作为所述待测闪存颗粒的寿命前，还包括：S301：用数据将闪存颗粒样品中的每个存储块写满；所述闪存颗粒样品中包括多个所述存储块；所述存储块为有效存储块；S302：对每个所述存储块进行抗读干扰能力测试，并记录每个所述存储块的抗读干扰能力；其中，记录的第一次的所述抗读干扰能力为初始状态下的抗读干扰能力；S303：以预设擦除次数步长，对每个所述存储块进行连续多次擦除；S304：判断每个所述存储块是否失效；若否，则执行步骤S301至S303，直至所述存储块失效；若是，则执行步骤S305；S305：记录对每个所述存储块进行擦除的总次数和擦除每个所述预设擦除次数步长后的剩余擦除次数；所述总次数为初始状态下的剩余擦除次数；S306：根据所述初始状态下的抗读干扰能力和擦除每个所述预设擦除次数步长后的抗读干扰能力，以及所述初始状态下的剩余擦除次数和所述擦除每个所述预设擦除次数步长后的剩余擦除次数，建立闪存颗粒的抗读干扰能力和剩余擦除次数的对应关系。4.根据权利要求3所述的闪存颗粒寿命预测方法，其特征在于，所述步骤S304，包括：判断对每个所述存储块进行的写操作或擦除操作是否成功；若是，则执行步骤S301至S303，直至所述写操作或所述擦除操作失败；若否，则执行步骤S305。5.根据权利要求3所述的闪存颗粒寿命预测方法，其特征在于，所述步骤S306，包括：根据所述初始状态下的抗读干扰能力和擦除每个所述预设擦除次数步长后的抗读干扰能力，以及所述初始状态下的剩余擦除次数和所述擦除每个所述预设擦除次数步长后的剩...
【专利技术属性】
技术研发人员：陶航，郭建平，刘阳，
申请(专利权)人：杭州华澜微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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