组合物、转印膜、层叠体的制造方法、电路配线的制造方法及电子器件的制造方法技术

本发明专利技术的课题在于提供一种涂布性优异的组合物。并且，本发明专利技术的另一课题在于提供一种与上述组合物有关的转印膜、层叠体的制造方法、电路配线的制造方法及电子器件的制造方法。本发明专利技术的组合物包含碱可溶性树脂、聚合性化合物及化合物A，上述化合物A为具有由下述通式(1)表示的基团的化合物。通式(1)：*

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】组合物、转印膜、层叠体的制造方法、电路配线的制造方法及电子器件的制造方法


[0001]本专利技术涉及一种组合物、转印膜、层叠体的制造方法、电路配线的制造方法及电子器件的制造方法。
[0002]近年来，感光性转印材料等转印膜在众多领域中逐渐被利用。
[0003]感光性转印材料能够有助于降低产品的成本，因此提出了用作蚀刻抗蚀剂用膜及配线保护膜用膜等。
[0004]与此同时，根据各领域，作为矩阵的聚合物的性状以及制作转印膜时的涂布性也变得重要。
[0005]例如，在专利文献1中，使用添加了含氟基/含亲油性基的低聚物的感光性组合物来制作转印膜(参考专利文献1[0211][0214][0215]等)。
[0006]以往技术文献
[0007]专利文献
[0008]专利文献1：国际公开第2018/008376号

技术实现思路

[0009]专利技术要解决的技术课题
[0010]本专利技术人等进行研究的结果，发现了对于如专利文献1中所公开的组合物(感光性组合物)的涂布性有改善的空间。
[0011]另外，组合物的涂布性优异是指，在涂布了组合物时，不易发生组合物的凹陷及不易发生组合物的涂布不均匀而容易获得均质的膜(组合物层)等。
[0012]因此，本专利技术的课题在于提供一种涂布性优异的组合物。并且，课题还提供一种与上述组合物有关的转印膜、层叠体的制造方法、电路配线的制造方法及电子器件的制造方法。
[0013]用于解决技术课题的手段
[0014]为了解决上述课题，本专利技术人等进行深入研究的结果，发现了通过以下结构能够实现上述课题。
[0015]〔1〕一种组合物，其包含碱可溶性树脂、聚合性化合物及化合物A，上述化合物A为具有由后述的通式(1)表示的基团的化合物。
[0016]〔2〕根据〔1〕所述的组合物，其中，上述化合物A为具有由后述的通式(2)表示的基团的化合物。
[0017]〔3〕根据〔1〕或〔2〕所述的组合物，其中，上述化合物A为具有由后述的通式(3)表示的基团的化合物。
[0018]〔4〕根据〔1〕至〔3〕中任一项所述的组合物，其中，上述化合物A为重均分子量为5,000以上的高分子化合物。
[0019]〔5〕根据〔1〕至〔4〕中任一项所述的组合物，其中，上述化合物A为高分子化合物，
[0020]上述高分子化合物包含源自由后述的通式(4A)表示的单体的结构单元。
[0021]〔6〕根据〔5〕所述的组合物，其中，上述高分子化合物还包含源自由后述的通式(5)表示的单体的结构单元。
[0022]〔7〕根据〔1〕至〔3〕中任一项所述的组合物，其中，上述化合物A的分子量为2,000以下。
[0023]〔8〕根据〔1〕至〔3〕及〔7〕中任一项所述的组合物，其中，上述化合物A为由后述的通式(6A)表示的化合物。
[0024]〔9〕根据〔8〕所述的组合物，其中，上述Z表示包含可以具有取代基的聚(氧亚烷基)结构部位的1价的有机基。
[0025]〔10〕根据〔1〕至〔9〕中任一项所述的组合物，其还包含聚合引发剂。
[0026]〔11〕根据〔1〕至〔9〕中任一项所述的组合物，其中，上述碱可溶性树脂为热塑性树脂。
[0027]〔12〕根据〔1〕至〔11〕中任一项所述的组合物，其还包含黑色粒子。
[0028]〔13〕一种转印膜，其具有临时支承体和1层以上的组合物层，上述组合物层中的至少1层为使用〔1〕至〔12〕中任一项所述的组合物形成的层。
[0029]〔14〕一种层叠体的制造方法，其包括：
[0030]贴合工序，使基板和与〔13〕所述的转印膜所具有的上述临时支承体相反的一侧的表面接触，贴合上述转印膜与上述基板，从而获得带转印膜的基板；
[0031]曝光工序，对上述组合物层进行图案曝光；及
[0032]显影工序，对经曝光的上述组合物层进行显影而形成树脂图案，
[0033]在贴合工序与曝光工序之间或曝光工序与显影工序之间还包括从带转印膜的基板剥离临时支承体的剥离工序。
[0034]〔15〕一种电路配线的制造方法，其包括：
[0035]贴合工序，使与〔13〕所述的转印膜所具有的上述临时支承体相反的一侧的表面与具有导电层的基板接触，贴合上述转印膜与具有上述导电层的基板，从而获得带转印膜的基板；
[0036]曝光工序，对上述组合物层进行图案曝光；
[0037]显影工序，对经曝光的上述组合物层进行显影而形成树脂图案；及
[0038]蚀刻工序，对未配置有上述树脂图案的区域中的上述导电层进行蚀刻处理，
[0039]在贴合工序与曝光工序之间或曝光工序与显影工序之间还包括从带转印膜的基板剥离临时支承体的剥离工序。
[0040]〔16〕一种电子器件的制造方法，其包括〔14〕所述的层叠体的制造方法，上述电子器件包含上述树脂图案作为固化膜。
[0041]专利技术效果
[0042]根据本专利技术，能够提供一种涂布性优异的组合物。并且，能够提供一种与上述组合物有关的转印膜、层叠体的制造方法、电路配线的制造方法及电子器件的制造方法。
附图说明
[0043]图1是表示转印膜的结构的一例的概略图。
具体实施方式
[0044]以下，对本专利技术进行详细说明。
[0045]关于以下所记载的构成要件的说明，有时基于本专利技术的代表性实施方式来进行，但是本专利技术并不限定于这种实施方式。
[0046]另外，在本说明书中，使用“～”表示的数值范围是指将“～”前后所记载的数值作为下限值及上限值而包含的范围。
[0047]并且，在本说明书中，所标记的二价的基团(例如，
‑
CO
‑
O
‑
)的键合方向并无特别限制。
[0048]在本说明书中，(甲基)丙烯酸酯表示丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯。(甲基)丙烯酸表示丙烯酸及甲基丙烯酸。(甲基)丙烯酰基表示甲基丙烯酰基或丙烯酰基。
[0049]关于本说明书中的基团(原子团)的标记，未记载经取代及未经取代的标记包含不具有取代基的基团，并且还包含具有取代基的基团。例如，“烷基”不仅包含不具有取代基的烷基(未经取代的烷基)，而且还包含具有取代基的烷基(经取代的烷基)。并且，本说明书中的“有机基”是指包含至少1个碳原子的基团。
[0050]并且，在本说明书中，“可以具有取代基”时的取代基的种类、取代基的位置及取代基的数量并无特别限定。取代基的数量例如可以为1个、2个、3个或其以上。并且，也可以为未经取代。
[0051]作为取代基的例子，可举出除去氢原子的一价的非金属原子团，例如，能够从以下的取代基组T中选择。
[0052](取代基T)
[0053]作为取代基T，可举出氟原子、氯原子、溴原子及碘原子等卤素原子；甲氧基、乙氧基及叔丁氧基等烷氧基；苯氧基及对甲苯氧基等芳氧基；甲氧基羰基、丁本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种组合物，其包含碱可溶性树脂、聚合性化合物及化合物A，所述化合物A为具有由下述通式(1)表示的基团的化合物，通式(1)：*
‑
CF2‑
H式中，*表示键合位置。2.根据权利要求1所述的组合物，其中，所述化合物A为具有由下述通式(2)表示的基团的化合物，通式(2)：*
‑
CF2‑
CF2‑
H式中，*表示键合位置。3.根据权利要求1或2所述的组合物，其中，所述化合物A为具有由下述通式(3)表示的基团的化合物，通式(3)：*
‑
(CH2)
m
‑
(CF2‑
CF2)
n
‑
H式中，m及n分别独立地表示1～6的整数，*表示键合位置。4.根据权利要求1至3中任一项所述的组合物，其中，所述化合物A为重均分子量为5000以上的高分子化合物。5.根据权利要求1至4中任一项所述的组合物，其中，所述化合物A为高分子化合物，所述高分子化合物包含源自由下述通式(4A)表示的单体的结构单元，式中，R1表示氢原子或甲基，X表示氧原子、硫原子或
‑
N(R2)
‑
，m及n分别独立地表示1～6的整数，R2表示氢原子或碳原子数1～4的烷基。6.根据权利要求5所述的组合物，其中，所述高分子化合物还包含源自由下述通式(5)表示的单体的结构单元，式中，R3表示氢原子或甲基，Y表示氧原子、硫原子或
‑
N(R5)
‑
，AL表示任选地具有取代基的亚烷基，nAL表示2以上的整数，R4表示氢原子或取代基，R5表示氢原子或碳原子数1～4的烷基。7.根据权利要求1至3中任一项所述的组合物，其中，所述化合物A的分子量为2000以下。
8.根据权利要求1至3及7中任一项所述的组合物，其中，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：山田悟，两角一真，丰冈健太郎，
申请(专利权)人：富士胶片株式会社，
类型：发明
国别省市：