湿法刻蚀装置和湿法刻蚀的控制方法制造方法及图纸

本公开提供了一种湿法刻蚀装置和湿法刻蚀的控制方法，属于光电子制造技术领域。该湿法刻蚀装置包括：刻蚀槽、氢离子浓度检测仪、第一管道、第一电控阀门和控制器；所述氢离子浓度检测仪位于所述刻蚀槽内，所述第一管道的一端与所述刻蚀槽连通，所述第一电控阀门连接在所述第一管道上，所述第一管道用于向所述刻蚀槽内输送酸液；所述控制器分别与所述氢离子浓度检测仪和所述第一电控阀门电性连接，所述控制器被配置为在所述氢离子浓度检测仪检测的氢离子浓度低于预设阈值时，控制所述第一电控阀门导通。本公开能让湿法刻蚀过程中的腐蚀速度保持一致，改善发光二极管的光通量参数的稳定性。定性。定性。

【技术实现步骤摘要】
湿法刻蚀装置和湿法刻蚀的控制方法


[0001]本公开涉及光电子制造
，特别涉及一种湿法刻蚀装置和湿法刻蚀的控制方法。

技术介绍

[0002]发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称：LED)作为光电子产业中极具影响力的新产品，具有体积小、使用寿命长、颜色丰富多彩、能耗低等特点，广泛应用于照明、显示屏、信号灯、背光源、玩具等领域。LED的核心结构是外延片，外延片的制作对LED的光电特性有着较大的影响。
[0003]相关技术中，发光二极管通常包括依次层叠的衬底和外延层，为提升电流扩展效果，通常会在外延层的表面制作一层掺锡氧化铟(Indium Tin Oxide，简称ITO)膜。制备ITO膜时，通常先蒸镀一层ITO膜，然后采用湿法刻蚀的方式得到所需规格的ITO膜。
[0004]然而，刻蚀采用的酸液中的氢离子在刻蚀过程中会逐渐被消耗，因此在刻蚀过程中，酸液中氢离子浓度会逐渐减小，使得湿法刻蚀的腐蚀速度逐渐会降低，进而影响湿法刻蚀的刻蚀线宽。这样会影响刻蚀后的ITO膜保留在外延层上的面积，而不同面积的ITO膜会影响发光二极管的光通量参数，因此，湿法刻蚀后的发光二极管的光通量参数的稳定性较差。

技术实现思路

[0005]本公开实施例提供了一种湿法刻蚀装置和湿法刻蚀的控制方法，能让湿法刻蚀过程中的腐蚀速度保持一致，改善发光二极管的光通量参数的稳定性。所述技术方案如下：
[0006]本公开实施例提供了一种湿法刻蚀装置，所述湿法刻蚀装置包括：刻蚀槽、氢离子浓度检测仪、第一管道、第一电控阀门和控制器；所述氢离子浓度检测仪位于所述刻蚀槽内，所述第一管道的一端与所述刻蚀槽连通，所述第一电控阀门连接在所述第一管道上，所述第一管道用于向所述刻蚀槽内输送酸液；所述控制器分别与所述氢离子浓度检测仪和所述第一电控阀门电性连接，所述控制器被配置为在所述氢离子浓度检测仪检测的氢离子浓度低于预设阈值时，控制所述第一电控阀门导通。
[0007]在本公开实施例的另一种实现方式中，所述控制器还用于基于刻蚀线宽和氢离子浓度的对应关系，以及发光二极管的目标刻蚀线宽，确定所述预设阈值。
[0008]在本公开实施例的另一种实现方式中，所述控制器还用于基于刻蚀时长和酸液的氢离子浓度的对应关系，以及待注入酸液的刻蚀时长，确定待注入酸液的当前氢离子浓度，所述刻蚀时长为酸液注入刻蚀槽前的使用时间；基于所述当前氢离子浓度和所述预设阈值确定酸液补充量。
[0009]在本公开实施例的另一种实现方式中，所述湿法刻蚀装置还包括红外膜厚检测仪，所述红外膜厚检测仪与所述控制器电性连接，所述红外膜厚检测仪用于检测发光二极管刻蚀前后的ITO膜厚度，所述控制器还用于基于刻蚀前后的ITO膜厚度确定ITO膜的刻蚀
速率。
[0010]本公开实施例提供了一种湿法刻蚀的控制方法，所述湿法刻蚀装置还包括第二管道和第二电控阀门，所述第二管道的一端与所述刻蚀槽连通，所述第二电控阀门连接在所述第二管道上，所述第二管道用于向所述刻蚀槽内输送酸液。
[0011]在本公开实施例的另一种实现方式中，所述湿法刻蚀装置还包括第三管道、加热器、循环泵和收集槽，所述第三管道的一端与所述刻蚀槽连通，所述第三管道的另一端与所述收集槽连通，所述收集槽与所述刻蚀槽连通，所述加热器和所述循环泵连接在所述第三管道上。
[0012]在本公开实施例的另一种实现方式中，所述湿法刻蚀装置还包括第四管道和排液阀，所述第四管道的一端与所述刻蚀槽连通，所述排液阀连接在所述第四管道上。
[0013]本公开实施例提供了一种湿法刻蚀的控制方法，所述控制方法通过如前文所述的湿法刻蚀装置实施，包括：获取刻蚀槽内的氢离子浓度；在所述氢离子浓度低于预设阈值时，控制第一电控阀门导通。
[0014]在本公开实施例的另一种实现方式中，所述获取刻蚀槽内的氢离子浓度之前，所述控制方法还包括：获取发光二极管的目标刻蚀线宽；基于刻蚀线宽和氢离子浓度的对应关系，确定所述预设阈值。
[0015]在本公开实施例的另一种实现方式中，所述基于刻蚀线宽和氢离子浓度的对应关系，确定所述预设阈值之后，所述控制方法还包括：获取待注入酸液的刻蚀时长；基于刻蚀时长和酸液的氢离子浓度的对应关系，确定待注入酸液的当前氢离子浓度，所述刻蚀时长为酸液注入刻蚀槽前的使用时间；基于所述当前氢离子浓度和所述预设阈值确定酸液补充量，控制所述第一电控阀门导通，向所述刻蚀槽输送所述酸液补充量的酸液，使得所述刻蚀槽内的酸液的氢离子浓度达到所述预设阈值。
[0016]本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果至少包括：
[0017]本公开实施例提供的湿法刻蚀装置包括刻蚀槽、氢离子浓度检测仪、第一管道、第一电控阀门和控制器；其中，氢离子浓度检测仪设置在刻蚀槽内，用于检测刻蚀槽内的氢离子浓度，第一管道用于向刻蚀槽输送酸液，且第一管道由第一电控阀门控制通断，实现控制是否向刻蚀槽输送酸液的目的。控制器能获取氢离子浓度检测仪检测的氢离子浓度，并在氢离子浓度低于酸液的预设阈值时，控制第一电控阀门导通，以向刻蚀槽内补充氢离子，让氢离子浓度不低于预设阈值。这样监控刻蚀槽内的氢离子浓度，在氢离子浓度降低时自动补充酸液，以恢复刻蚀槽内氢离子浓度的方式，能让刻蚀槽内的酸液的氢离子浓度始终保持一致，从而避免湿法刻蚀过程中腐蚀速度存在差异的问题，让湿法刻蚀的刻蚀线宽满足设定需求，得到设计面积的ITO膜，保证湿法刻蚀后的发光二极管的光通量参数的稳定性。
附图说明
[0018]为了更清楚地说明本公开实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0019]图1是本公开实施例提供的一种湿法刻蚀装置的结构示意图；
[0020]图2是本公开实施例提供的一种刻蚀线宽和氢离子浓度的对应关系的示意图；
[0021]图3是本公开实施例提供的一种刻蚀时长和氢离子浓度的对应关系的示意图；
[0022]图4是本公开实施例提供的一种湿法刻蚀的控制方法的流程图；
[0023]图5是本公开实施例提供的一种湿法刻蚀的控制装置的示意图；
[0024]图6是本公开实施例提供的一种计算机设备的结构框图。
[0025]图中各标记说明如下：
[0026]10、刻蚀槽；
[0027]21、氢离子浓度检测仪；22、加热器；23、循环泵；24、收集槽；25、排液阀；
[0028]31、第一管道；32、第二管道；33、第三管道；34、第四管道；
[0029]41、第一电控阀门；42、第二电控阀门；
[0030]50、控制器；
[0031]60、红外膜厚检测仪。
具体实施方式
[0032]为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本公开实施方式作进一步地详细本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种湿法刻蚀装置，其特征在于，所述湿法刻蚀装置包括：刻蚀槽(10)、氢离子浓度检测仪(21)、第一管道(31)、第一电控阀门(41)和控制器(50)；所述氢离子浓度检测仪(21)位于所述刻蚀槽(10)内，所述第一管道(31)的一端与所述刻蚀槽(10)连通，所述第一电控阀门(41)连接在所述第一管道(31)上，所述第一管道(31)用于向所述刻蚀槽(10)内输送酸液；所述控制器(50)分别与所述氢离子浓度检测仪(21)和所述第一电控阀门(41)电性连接，所述控制器(50)被配置为在所述氢离子浓度检测仪(21)检测的氢离子浓度低于预设阈值时，控制所述第一电控阀门(41)导通。2.根据权利要求1所述的湿法刻蚀装置，其特征在于，所述控制器(50)还用于基于刻蚀线宽和氢离子浓度的对应关系，以及发光二极管的目标刻蚀线宽，确定所述预设阈值。3.根据权利要求2所述的湿法刻蚀装置，其特征在于，所述控制器(50)还用于基于刻蚀时长和酸液的氢离子浓度的对应关系，以及待注入酸液的刻蚀时长，确定待注入酸液的当前氢离子浓度，所述刻蚀时长为酸液注入刻蚀槽(10)前的使用时间；基于所述当前氢离子浓度和所述预设阈值确定酸液补充量。4.根据权利要求1至3任一项所述的湿法刻蚀装置，其特征在于，所述湿法刻蚀装置还包括红外膜厚检测仪(60)，所述红外膜厚检测仪(60)与所述控制器(50)电性连接，所述红外膜厚检测仪(60)用于检测发光二极管刻蚀前后的ITO膜厚度，所述控制器(50)还用于基于刻蚀前后的ITO膜厚度确定ITO膜的刻蚀速率。5.根据权利要求1至3任一项所述的湿法刻蚀装置，其特征在于，所述湿法刻蚀装置还包括第二管道(32)和第二电控阀门(42)，所述第二管道(32)的一端与所述刻蚀槽(10)连通，所述第二电控阀门(4...

【专利技术属性】
技术研发人员：牛志动，汤淼，李威，李俊生，汪洋，冬旻弘，吴兆甑，
申请(专利权)人：华灿光电浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：