电致发光器件及显示装置制造方法及图纸

本申请公开了一种电致发光器件及显示装置，电致发光器件包括底电极、与所述底电极相对设置的顶电极以及设置于底电极与顶电极之间的发光层，底电极包括一第一电极和至少一个第二电极，第一电极靠近所述发光层的一侧设有至少一个凹槽，第二电极设置于所述凹槽，第一电极与所述第二电极的功函数不相同，促进电流均匀分布于发光区域，将所述电致发光器件应用于显示装置中，能够改善电流压降的问题，促进显示装置的屏幕电流密度分布，有效避免因电流密度分布不均匀而导致的驱动电压升高、像素局部产热量高等现象，有利于屏幕电致发光的亮度均匀性和稳定性，从而提高显示装置的显示效果。果。果。

【技术实现步骤摘要】
电致发光器件及显示装置


[0001]本申请涉及光电
，具体涉及一种电致发光器件及显示装置。

技术介绍

[0002]电致发光器件属于光电器件，其是指施加电场时会发光的电子器件，电致发光器件包括但不限于是有机发光二极管(Organic Light
‑
Emitting Diode,OLED)和量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes,QLED)。电致发光器件的发光原理是：电子从器件的阴极注入至发光区，空穴从器件的阳极注入至发光区，电子和空穴在发光区复合形成激子，复合后的激子通过辐射跃迁的形式释放光子，从而发光。电致发光器件具有“三明治”结构，即包括层叠设置的底电极、发光层和顶电极，发光层设置于底电极与顶电极之间。
[0003]当电致发光器件应用于显示面板中时，为了确保光的透过率，并减薄显示面板的整体厚度，通常会控制底电极和/或顶电极的厚度，但是较薄电极的电阻较大，导致电流压降严重，使得显示面板出现电流密度分布不均匀、驱动电压升高、像素局部产生过量焦耳热等现象，从而造成显示面板的电致发光不均匀性问题，并且对显示面板的使用寿命产生不利影响。
[0004]因此，如何改善电流压降问题以提高显示面板的显示效果和使用寿命具有重要意义。

技术实现思路

[0005]本申请提供了一种电致发光器件及显示装置，通过将电致发光器件的底电极配置为新型的复合电极结构以改善电流压降的问题。
[0006]第一方面，本申请提供了一种电致发光器件，所述电致发光器件包括：
[0007]底电极；
[0008]顶电极，与所述底电极相对设置；以及
[0009]发光层，设置于所述底电极与所述顶电极之间；
[0010]其中，所述底电极和所述顶电极中的一者为阳极，另一者为阴极；所述底电极包括一第一电极和至少一个第二电极，所述第一电极靠近所述发光层的一侧设有至少一个凹槽，所述第二电极设置于所述凹槽；所述第一电极与所述第二电极的功函数不相同。
[0011]进一步地，所述第二电极与所述发光层之间的势垒差小于所述第一电极与所述发光层之间的势垒差。
[0012]进一步地，所述发光层在所述顶电极上的正向投影覆盖各所述第二电极在所述顶电极上的正向投影。
[0013]进一步地，所述发光层的材料为有机发光材料或量子点，所述有机发光材料选自二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物或芴衍生物、发蓝色光的TBPe荧光材料、发绿色光的TTPA荧光材料、发橙色光的TBRb荧光材料及发红色光的DBP荧光材料中的至
少一种；所述量子点选自II
‑
VI族化合物、III
‑
V族化合物、IV
‑
VI族化合物和I
‑
III
‑
VI族化合物中的至少一种，其中，所述II
‑
VI族化合物选自CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe以及HgZnSTe中的至少一种，所述III
‑
V族化合物选自GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs以及InAlPSb中的至少一种，所述IV
‑
VI族化合物选自SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、SnPbSSe、SnPbSeTe以及SnPbSTe中的至少一种，所述I
‑
III
‑
VI族化合物选自CuInS2、CuInSe2和AgInS2中的至少一种。
[0014]进一步地，所述第一电极选自铟锡氧化物、铟锌氧化物、氧化锌、掺铝氧化锌、氧化镍、氧化锡以及氧化铜中的至少一种，所述第二电极选自铟锡氧化物、铟锌氧化物、氧化锌、掺铝氧化锌、氧化镍、氧化锡以及氧化铜中的至少一种。
[0015]进一步地，所述第一电极靠近所述发光层的一侧与所述第二电极靠近所述发光层的一侧相齐平，且所述第一电极的厚度与所述第二电极的厚度之比为(1.5～2.0)：1。
[0016]进一步地，所述电致发光器件还包括电子功能层，所述电子功能层设置于所述阴极与所述发光层之间；所述电子功能层包括电子传输层和/或电子注入层，所述电子传输层的材料包括纳米金属氧化物，所述纳米金属氧化物选自ZnO、TiO2、SnO2、Ta2O3、ZrO2、TiLiO、ZnGaO、ZnAlO、ZnMgO、ZnSnO、ZnLiO、InSnO以及AlZnO中的至少一种；所述电子注入层的材料包括碱金属卤化物、碱金属有机络合物以及有机膦化合物中的至少一种，所述碱金属卤化物选自LiF，所述碱金属有机络合物选自8
‑
羟基喹啉锂，所述有机膦化合物选自有机氧化磷、有机硫代膦化合物以及有机硒代膦化合物中的至少一种；和/或
[0017]所述发光器件还包括空穴功能层，所述空穴功能层设置于所述阳极与所述发光层之间；所述空穴功能层包括空穴注入层和/或空穴传输层，所述空穴注入层的材料选自PEDOT：PSS、聚(9,9
‑
二辛基
‑
芴
‑
共
‑
N
‑
(4
‑
丁基苯基)
‑
二苯基胺)、多芳基胺、聚(N
‑
乙烯基咔唑)、聚苯胺、聚吡咯、N,N,N',N'
‑
四(4
‑
甲氧基苯基)
‑
联苯胺、4
‑
双[N
‑
(1
‑
萘基)
‑
N
‑
苯基
‑
氨基]联苯(α
‑
NPD)、4,4',4
″‑
三[苯基(间
‑
甲苯基)氨基]三苯基胺(m
‑
MTDATA)、4,4',4...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电致发光器件，其特征在于，所述电致发光器件包括：底电极；顶电极，与所述底电极相对设置；以及发光层，设置于所述底电极与所述顶电极之间；其中，所述底电极和所述顶电极中的一者为阳极，另一者为阴极；所述底电极包括一第一电极和至少一个第二电极，所述第一电极靠近所述发光层的一侧设有至少一个凹槽，所述第二电极设置于所述凹槽；所述第一电极与所述第二电极的功函数不相同。2.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述第二电极与所述发光层之间的势垒差小于所述第一电极与所述发光层之间的势垒差。3.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述发光层在所述顶电极上的正向投影覆盖所述第二电极在所述顶电极上的正向投影。4.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述发光层的材料为有机发光材料或量子点，所述有机发光材料选自二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物或芴衍生物、发蓝色光的TBPe荧光材料、发绿色光的TTPA荧光材料、发橙色光的TBRb荧光材料及发红色光的DBP荧光材料中的至少一种；所述量子点选自II
‑
VI族化合物、III
‑
V族化合物、IV
‑
VI族化合物和I
‑
III
‑
VI族化合物中的至少一种，其中，所述II
‑
VI族化合物选自CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe以及HgZnSTe中的至少一种，所述III
‑
V族化合物选自GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs以及InAlPSb中的至少一种，所述IV
‑
VI族化合物选自SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、SnPbSSe、SnPbSeTe以及SnPbSTe中的至少一种，所述I
‑
III
‑
VI族化合物选自CuInS2、CuInSe2和AgInS2中的至少一种。5.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述第一电极的材料选自铟锡氧化物、铟锌氧化物、氧化锌、掺铝氧化锌、氧化镍、氧化锡以及氧化铜中的至少一种，所述第二电极的材料选自铟锡氧化物、铟锌氧化物、氧化锌、掺铝氧化锌、氧化镍、氧化锡以及氧化铜中的至少一种。6.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述第一电极靠近所述发光层的一侧与所述第二电极靠近所述发光层的一侧相齐平，且所述第一电极的厚度与所述第二电极的厚度之比为(1.5～2.0)：1。7.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述电致发光器件还包括电子功能层，所述电子功能层设置于所述阴极与所述发光层之间；所述电子功能层包括电子传输层和/或电子注入层，所述电子传输层的材料包括纳米金属氧化物，所述纳米金属氧化物选自ZnO、TiO2、SnO2、Ta2O3、ZrO2、TiLiO、ZnGaO、ZnAlO、ZnMgO、ZnSnO、ZnLiO、InSnO以及AlZnO中的至少一种；所述电子注入层的材料包括碱金属卤化物、碱金属有机络合物以及有机膦化
合物中的至少一种，所述碱金属卤化物选自LiF，所述碱金属有机络合物选自8
‑
羟基喹啉锂，所述有机膦化合物选自有机氧化磷、有机硫代膦化合物以及有机硒代膦化合物中的至少一种；和/或所述发光器件还包括空穴功能层，所述空穴功能层设置于所述阳极与所述发光层之间；所述空穴功能层包括空穴注入层和/或空穴传输层，所述空穴注入层的材料选自PEDOT：PSS、聚(9,9
‑
二辛基
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芴
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共
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N
‑
(4
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丁基苯基)
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二苯基胺)、多芳基胺、聚(N
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乙烯基咔唑)、聚苯胺、聚吡咯、N,N,N',N'
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四(4
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甲氧基苯基)
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联苯胺、4
‑
双[N
‑
(1
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萘基)
‑
N
‑
苯基
‑
氨基]联苯(α
‑
NPD)、4,4',4
”‑
三[苯基(间
‑
...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘铭全，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：