有机发光显示设备制造技术

技术编号:37665444 阅读:11 留言:0更新日期:2023-05-26 04:23
提供了一种有机发光显示设备。所述有机发光显示设备包括被构造为发射不同颜色的光的第一子像素、第二子像素和第三子像素。所述有机发光显示设备包括:基底;第一像素电极至第三像素电极;第一有机发射层,被构造为发射具有第一波长的光;第二有机发射层,被构造为发射具有第二波长的光;第三有机发射层,被构造为发射具有第三波长的光;对电极;覆盖层,位于对电极上,并且具有比相对于第二波长的折射率高至少7%的相对于第一波长的折射率;以及薄膜封装层,位于覆盖层上。位于覆盖层上。位于覆盖层上。

【技术实现步骤摘要】
有机发光显示设备
[0001]本申请是申请日为2018年8月1日、申请号为201810861913.0的专利技术专利申请“有机发光显示设备”的分案申请。


[0002]一个或更多个实施例涉及有机发光显示设备,更具体地,涉及包括覆盖层和薄膜封装层的有机发光显示设备。

技术介绍

[0003]有机发光显示设备包括有机发光装置(OLED),所述有机发光装置包括空穴注入电极、电子注入电极和形成在它们之间的有机发射层,并且有机发光显示设备是当激子从激发态跃迁至基态时产生光的自发射型显示设备,其中,当从空穴注入电极注入的空穴和从电子注入电极注入的电子在有机发射层中结合时,产生激子。
[0004]这里,可以在OLED上方设置覆盖层,以提高有机发光显示设备的发光效率。
[0005]近来,积极地进行了用于实现作为柔性显示设备的有机发光显示设备的研究,柔性显示设备可以包括柔性基底和保护OLED的柔性保护层。因此,从OLED发射的光受到覆盖层和柔性保护层的特性的影响。
[0006]已经提出了通过在有机发光显示设备内引入微腔来提高光效率的结构。在顶发射型OLED中,顶发射OLED的像素电极可以是反射电极,并且面对像素电极的对电极可以是半透射电极。

技术实现思路

[0007]一个或更多个实施例包括有机发光显示设备,所述有机发光显示设备具有高的光效率和在用户不容易发现颜色偏差的方向上的作为视角的函数的颜色偏差。
[0008]另外的方面将在下面的描述中部分地阐述,并且部分地通过描述将是清楚的,或者可以通过实施给出的实施例而获知。
[0009]根据一个或更多个实施例,有机发光显示设备包括被构造为发射不同颜色的光的第一子像素、第二子像素和第三子像素,所述有机发光显示设备包括:基底,包括分别与第一子像素至第三子像素对应的第一区域至第三区域;第一像素电极至第三像素电极,分别位于基底的第一区域至第三区域中;第一有机发射层,位于第一像素电极上,并且被构造为发射具有第一波长的光;第二有机发射层,位于第二像素电极上,并且被构造为发射具有第二波长的光,第二波长比第一波长长;第三有机发射层,位于第三像素电极上,并且被构造为发射具有第三波长的光,第三波长比第二波长长;对电极,覆盖第一有机发射层至第三有机发射层;覆盖层,位于对电极上,并且具有比相对于第二波长的折射率高至少7%的相对于第一波长的折射率;以及薄膜封装层,位于覆盖层上。
[0010]覆盖层相对于第三波长的折射率可以比相对于第二波长的折射率小至少3%。
[0011]第一有机发射层至第三有机发射层可以分别被构造为发射蓝光、绿光和红光,第
一波长至第三波长可以分别为460nm、530nm和620nm。
[0012]覆盖层可以具有1.9至2.3的相对于第二波长的折射率。
[0013]覆盖层可以连续地设置在整个第一子像素至第三子像素中,覆盖层的厚度可以是基本上均匀的。
[0014]覆盖层的厚度可以是至
[0015]薄膜封装层可以包括第一封装无机膜、位于第一封装无机膜上的封装有机膜以及位于封装有机膜上的第二封装无机膜。
[0016]第一封装无机膜可以包括接触覆盖层的第一下封装无机膜和位于第一下封装无机膜上的第一上封装无机膜。
[0017]第一下封装无机膜可以包括氟化锂(LiF)。
[0018]对电极的折射率(n
e
)、覆盖层的折射率(n
c
)、第一下封装无机膜的折射率(n1)、第一上封装无机膜的折射率(n2)和封装有机膜的折射率(n3)可以满足条件n
c
>n2>n3>n1>n
e

[0019]第一子像素的共振效率可以比第二子像素和第三子像素的共振效率高至少50%。
[0020]所述有机发光显示设备还可以包括:第一下功能层,位于第一像素电极与第一有机发射层之间;第二下功能层,位于第二像素电极与第二有机发射层之间;第三下功能层,位于第三像素电极与第三有机发射层之间,其中,第一下功能层至第三下功能层可以具有不同的厚度。
[0021]覆盖层相对于第一波长的折射率可以比覆盖层相对于第二波长的折射率高8%和15%之间。
[0022]根据一个或更多个实施例,有机发光显示设备包括被构造为发射不同颜色的光的第一子像素、第二子像素和第三子像素,所述有机发光显示设备包括:第一像素电极至第三像素电极,分别位于第一子像素至第三子像素中;第一有机发射层,设置在第一像素电极上,并且被构造为发射包括第一波长的光的蓝光;第二有机发射层,位于第二像素电极上,并且被构造为发射包括第二波长的光的绿光,第二波长比第一波长长;第三有机发射层,位于第三像素电极上,并且被构造为发射包括第三波长的光的红光,第三波长比第二波长长;对电极,连续地设置在第一有机发射层至第三有机发射层上;以及覆盖层,位于对电极上,以基本上均匀的厚度连续地位于整个第一子像素至第三子像素中,并且具有比相对于第二波长的折射率高至少7%的相对于第一波长的折射率。
[0023]所述有机发光显示设备还可以包括位于覆盖层上以接触覆盖层的薄膜封装层。
[0024]薄膜封装层可以包括顺序地设置的第一下封装无机膜、第一上封装无机膜、封装有机膜和第二封装无机膜。
[0025]第一下封装无机膜、第一上封装无机膜、封装有机膜和第二封装无机膜的折射率可分别为1.35至1.45、1.7至1.85、1.45至1.55和1.7至1.85。
[0026]覆盖层相对于第三波长的折射率可以比相对于第二波长的折射率小至少3%。
[0027]覆盖层可以具有1.9至2.3的相对于第二波长的折射率。
[0028]覆盖层的厚度可以是至
附图说明
[0029]通过下面结合附图对实施例进行的描述,这些和/或其它方面将变得清楚和更容
易理解,在附图中:
[0030]图1是根据实施例的有机发光显示设备的剖视图;
[0031]图2是图1的第一子像素、第二子像素和第三子像素的堆叠结构的剖视图;
[0032]图3A是当覆盖层在第一波长至第三波长处的折射率相同时第一子像素至第三子像素中的光提取效率的图,图3B是当满足第一波长处的折射率>第二波长处的折射率>第三波长处的折射率的条件时第一子像素至第三子像素中的光提取效率的图;
[0033]图4是实施例中包括的作为波长的函数的覆盖层的折射率的曲线图;
[0034]图5是比较示例的覆盖层和图4的覆盖层在460nm、530nm和620nm处的折射率的表;
[0035]图6A和图6B是分别在图5的比较示例和示例(CPLf)中的紫外(UV)坐标系中的作为视角的函数的颜色偏差的图;
[0036]图7A至图7D是根据示例1至示例3和比较示例的作为波长的函数的共振效率和光吸收率的曲线图;
[0037]图8本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种有机发光显示设备,所述有机发光显示设备包括被构造为发射不同颜色的光的第一子像素、第二子像素和第三子像素,所述有机发光显示设备包括:第一像素电极、第二像素电极和第三像素电极,分别在所述第一子像素至所述第三子像素中;第一有机发射层,位于所述第一像素电极上,并且被构造为发射包括第一波长的光的蓝光;第二有机发射层,位于所述第二像素电极上,并且被构造为发射包括第二波长的光的绿光,所述第二波长比所述第一波长长;第三有机发射层,位于所述第三像素电极上,并且被构造为发射包括第三波长的光的红光,所述第三波长比所述第二波长长;对电极,连续地设置在所述第一有机发射层至所述第三有机发射层上;以及覆盖层,位于所述对电极上,以均匀的厚度连续地位于整个所述第一子像素至所述第三子像素中,并且具有比相对于所述第二波长的折射率高至少7%的相对于所述第一波长的折射率。2.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员:任相薰金东勋高三一金美更金恩京梁承珏李宽熙
申请(专利权)人:三星显示有限公司
类型:发明
国别省市:

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