晶圆检测装置制造方法及图纸

一种晶圆检测装置，包括：旋转载体，可沿水平方向及竖直方向运动，所述旋转载体用于放置晶圆；信号发射器，所述信号发射器的信号发射组件位于所述旋转载体上方，所述信号发射组件用于发射散射信号；信号接收器，与所述信号发射器适配且位于所述信号发射器下方，其中，所述信号发射器和信号接收器分别位于所述晶圆的两侧。上述方案，由于散射信号更不容易穿透晶圆，从而晶圆的主体位置处信号衰减较大，而晶圆的notch口或flat口位置因不会遮挡信号，信号几乎无衰减，从而信号接收器所接收信号的信号强度在晶圆的主体区域和边缘的缺口(notch口或flat口)不同，进而可以基于信号接收器接收的信号强度实现对晶圆的对中或寻边。收器接收的信号强度实现对晶圆的对中或寻边。收器接收的信号强度实现对晶圆的对中或寻边。

【技术实现步骤摘要】
晶圆检测装置


[0001]本技术实施例涉及半导体
，尤其涉及一种晶圆检测装置。

技术介绍

[0002]半导体行业是一个高度自动化的行业，基本上主要工艺机台多会实用到在机动化传送系统。比较经典的自动传送系统一般包括：一个可变批量设备前端工序晶圆装载端口(loadport)，一个晶圆传送盒(wafer cassette)载具，一个用于传送的机械手，还有一个对中寻边装置。
[0003]随着半导体行业的发展，传统的硅(Si)基材质晶圆(wafer)已经不能满足多样化的产品需求。例如，在半导体大项下的滤波器行业中会大量实用碳酸锂(LT)和铌酸锂(LN)等材质的wafer作为基底。采用碳酸锂(LT)和铌酸锂(LN)等材质的wafer作为基底，除了硬度/材质不同之外，在光学上也比传统的Si基材质wafer更为透明。因为晶圆的透明度不同，基于传统的硅(Si)基材的wafer的对中寻边装置用于一些透明度较高的材质的晶圆会导致基于光学原理的wafer寻边对中装置失效或者产生误判。

技术实现思路

[0004]本技术实施例解决的技术问题是基于传统的硅(Si)基材的wafer的对中寻边装置用于一些透明度较高的材质的晶圆会导致基于光学原理的wafer寻边对中装置失效或者产生误判。
[0005]为解决上述技术问题，本技术实施例提供一种晶圆检测装置，包括：旋转载体，可沿水平方向及竖直方向运动，所述旋转载体用于放置晶圆；信号发射器，所述信号发射器的信号发射组件位于所述旋转载体上方，所述信号发射组件用于发射散射信号；信号接收器，与所述信号发射器适配且位于所述信号发射器下方，其中，所述信号发射器和信号接收器分别位于所述晶圆的两侧。
[0006]可选的，所述信号发射组件包括：光纤头以及连接于所述光纤头的信号散射部，所述信号散射部用于散射所述光纤头发射的信号。
[0007]可选的，所述信号散射部的外表面相对所述光纤头凸出。
[0008]可选的，所述信号散射部的外表面呈弧形。
[0009]可选的，所述弧形的角度范围为90度至180度。
[0010]可选的，所述信号散射部透明。
[0011]可选的，所述信号散射部包括：连接部，与所述光纤头连接；散射片，固定于所述连接部。
[0012]可选的，所述连接部具有用于容置所述散射片的容纳腔体，所述容纳腔体的两端开口，其中一端的开口用于连接所述光纤头，其中另一端开口具有承载凸台，所述承载凸台用于固定所述散射片。
[0013]可选的，所述信号散射部的厚度范围为1.5毫米至3毫米。
[0014]可选的，所述信号发射器包括激光发射器。
[0015]与现有技术相比，本技术实施例的技术方案具有以下有益效果：
[0016]在本技术实施例中，信号发射器的信号发射组件发射散射信号，以减弱入射至晶圆的信号强度，使得散射信号更不容易穿透晶圆。如此，在信号发射器组件和信号接收器之间无遮挡物和放置晶圆之后，即便晶圆的透明度较大，由于散射信号更不容易穿透晶圆，从而晶圆的主体位置处信号衰减较大，而晶圆的缺口(notch口或flat口)位置因不会遮挡信号，信号几乎无衰减，从而信号接收器所接收信号的信号强度在晶圆的主体区域和边缘的缺口(notch口或flat口)不同，进而实现基于信号接收器接收的信号强度实现对晶圆的对中或寻边。
附图说明
[0017]图1是现有技术中的一种晶圆对中寻边的原理图；
[0018]图2是本技术实施例中的一种晶圆检测装置的结构示意图；
[0019]图3是本技术实施例中的另一种晶圆检测装置的结构示意图。
具体实施方式
[0020]如上所述，在现有技术中，目前最常使用的对中寻边装置通常基于光学原理进行对晶圆的对中或寻边。参见图1，给出了现有技术中的一种晶圆对中寻边的原理图。
[0021]具体而言，设置一组信号发射装置20(如传感器(sensor))和信号接收装置30，信号发射装置20发射聚光效果的信号被信号接收装置30接收。晶圆300上设置有缺口301，根据缺口301的不同大致分为两类：平槽(Flat)和V平槽(Notch)。正常Si基晶圆300的主体302不透光，Si基晶圆300在信号发射装置20和信号接收装置30的中间时，晶圆300的主体302遮挡住信号，从而信号接收装置30接收到的信号的强度将发生变化，甚至信号接收装置300的信号强度直接减少为0。
[0022]然而，晶圆300的缺口301(Flat或Notch)部分不会遮挡信号，信号接收装置30接收到的信号强度和无晶圆300时相同。从而在晶圆300旋转时，可以根据晶圆300在一组信号发射装置20和信号接收装置30运动时光强的变化(也即信号强度)来识别晶圆300的边缘位置，以及定位晶圆300的缺口301，从而依据光强的变化可以对wafer进行寻边、对中、找notch等功能。而LT/LN产品因为本身的透明特性，聚光效果的信号穿过晶圆后，信号接收装置30接到的信号强度还是和未穿过晶圆300时基本相同，导致无法正确识别wafer是否在信号发射装置20和信号接收装置30之间通过。
[0023]为解决上述问题，在本技术实施例中，信号发射器的信号发射组件发射散射信号，以减弱入射至晶圆的信号强度，使得散射信号更不容易穿透晶圆。如此，在信号发射器组件和信号接收器之间无遮挡物和放置晶圆之后，即便晶圆的透明度较大，由于散射信号更不容易穿透晶圆，从而晶圆的主体位置处信号衰减较大，而晶圆的notch口或flat口位置因不会遮挡信号，信号几乎无衰减，从而信号接收器所接收信号的信号强度在晶圆的主体区域和边缘的缺口(notch口或flat口)不同，进而实现基于信号接收器接收的信号强度实现对晶圆的对中或寻边。
[0024]为使本技术的上述目的、特征和有益效果能够更为明显易懂，下面结合附图
对本技术的具体实施例做详细的说明。
[0025]本技术实施例提供一种晶圆检测装置，参见图2，给出了本技术实施例中的一种晶圆检测装置的结构示意图，图3是本技术实施例中的另一种晶圆检测装置的结构示意图。下面结合图2至图3对晶圆检测装置的具体结构进行说明。
[0026]在具体实施中，晶圆检测装置100包括：旋转载体1、信号发射器2以及信号接收器3。
[0027]旋转载体1可沿水平方向及竖直方向运动，所述旋转载体1用于放置晶圆200。
[0028]信号发射器2可以包括信号发射组件21。信号发射组件21位于所述旋转载体1上方，所述信号发射组件21用于发射散射信号。其中，图中的箭头用于示意散射信号。
[0029]信号接收器3与所述信号发射器2适配且位于所述信号发射器2下方。信号接收器3可以用于接收信号发射器2经由信号发射组件21发射的散射信号。其中，所述信号发射器2和信号接收器3分别位于所述晶圆200的两侧。
[0030]在一些非限制性实施例中，旋转载体1可本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆检测装置，其特征在于，包括：旋转载体，可沿水平方向及竖直方向运动，所述旋转载体用于放置晶圆；信号发射器，所述信号发射器的信号发射组件位于所述旋转载体上方，所述信号发射组件用于发射散射信号；信号接收器，与所述信号发射器适配且位于所述信号发射器下方，其中，所述信号发射器和信号接收器分别位于所述晶圆的两侧。2.如权利要求1所述的晶圆检测装置，其特征在于，所述信号发射组件包括：光纤头以及连接于所述光纤头的信号散射部，所述信号散射部用于散射所述光纤头发射的信号。3.如权利要求2所述的晶圆检测装置，其特征在于，所述信号散射部的外表面相对所述光纤头凸出。4.如权利要求3所述的晶圆检测装置，其特征在于，所述信号散射部的外表面呈弧形。5.如权利要求4所...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵浚清，周琦，练金城，张硕，
申请(专利权)人：常州承芯半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：