本申请涉及半导体装置、存储器装置及其操作方法。一种存储器装置包括存储器结构和控制电路。该存储器结构包括联接到非易失性存储器单元的多个页缓冲器。各个非易失性存储器单元能够存储数据。多个页缓冲器设置在预定方向上。控制电路被配置为将两个页缓冲器的重置区段彼此分离开与重置区段中的至少一个对应的时间。两个页缓冲器在多个页缓冲器当中彼此相邻设置。邻设置。邻设置。
【技术实现步骤摘要】
半导体装置、存储器装置及其操作方法
[0001]本文所描述的本公开的实施方式涉及半导体装置，具体地，涉及一种用于减少半导体装置中的信号干扰的设备和方法。
技术介绍
[0002]近来，计算环境的范式已转变为普适计算，其使得计算机系统能够几乎随时随地被访问。结果，便携式电子装置(例如，移动电话、数字相机、笔记本计算机等)的使用正在迅速增加。这些便携式电子装置各自可使用或包括具有至少一个存储器装置的存储器系统。存储器系统可以是数据存储装置。数据存储装置可用作便携式电子装置的主存储装置或辅助存储装置。
[0003]与硬盘不同，这种数据存储装置使用非易失性半导体存储器，表现出改进的稳定性和耐久性，没有机械驱动部件(例如，机械臂)，进而提供高数据访问速度和相对低的功耗。具有这些优点的数据存储装置的示例包括但不限于通用串行总线(USB)存储器装置、具有各种接口的存储卡、固态驱动器(SSD)等。
技术实现思路
[0004]本公开的实施方式可提供一种用于减少半导体装置中出现的信号干扰的设备和方法。此外，本公开的实施方式可提供一种能够改进存储器装置的集成度的设备和方法。
[0005]在实施方式中，一种存储器装置可包括：存储器结构，其包括联接到非易失性存储器单元的多个页缓冲器，各个非易失性存储器单元能够存储数据，其中，多个页缓冲器设置在预定方向上；以及控制电路，其被配置为将两个页缓冲器的重置区段彼此分离开与重置区段中的至少一个对应的时间。所述两个页缓冲器可在多个页缓冲器当中彼此相邻设置。
[0006]存储器结构可包括：位线，其将非易失性存储器单元当中的至少一个非易失性存储器单元联接到多个页缓冲器当中的至少一个页缓冲器；以及开关电路，其被配置为控制位线与至少一个非易失性存储器单元之间的连接。
[0007]页缓冲器可包括：感测节点，其联接到开关电路；以及两个锁存器，其联接到感测节点。
[0008]控制电路可被配置为传送用于重置包括在页缓冲器中的两个锁存器中的一个的控制信号。
[0009]控制电路可通过输出要施加到两个页缓冲器的第一控制信号和第二控制信号来分离重置区段。第一控制信号的第一启用区段和第二控制信号的第二启用区段可彼此分离开与第一启用区段或第二启用区段中的至少一个对应的时间。
[0010]第一启用区段和第二启用区段彼此相同。
[0011]两个页缓冲器可设置在形成在半导体基板中的邻近隔离焊盘之间。
[0012]设置在邻近隔离焊盘之间的两个页缓冲器中的至少一个与设置在邻近隔离焊盘之外的页缓冲器中的至少一个可具有部分交叠的启用区段。
[0013]在平面图中，页缓冲器可具有与形成在半导体基板中的3.5条线或5条线对应的宽度。
[0014]在另一实施方式中，一种半导体装置可包括：结构，其包括设置在预定方向上的多个缓冲器，各个缓冲器包括存储数据的锁存器；以及控制电路，其被配置为将两个缓冲器的相应启用区段彼此分离开与启用区段中的至少一个对应的时间。两个缓冲器可在多个缓冲器当中彼此相邻设置。
[0015]缓冲器可包括：感测节点，其用于接收或输出数据；以及两个锁存器，其联接到感测节点。
[0016]控制电路可被配置为传送用于重置包括在缓冲器中的两个锁存器中的一个的控制信号。
[0017]控制电路可通过输出要施加到两个缓冲器的第一控制信号和第二控制信号来分离启用区段。第一控制信号的第一启用区段和第二控制信号的第二启用区段可彼此分离开与第一启用区段或第二启用区段中的至少一个对应的时间。
[0018]第一启用区段和第二启用区段可彼此相同。
[0019]两个缓冲器可设置在形成在半导体基板中的邻近隔离焊盘之间。
[0020]设置在邻近隔离焊盘之间的两个缓冲器中的至少一个与设置在邻近隔离焊盘之外的缓冲器中的至少一个可具有部分交叠的启用区段。
[0021]在平面图中，缓冲器可具有与形成在半导体基板中的3.5条线或5条线对应的宽度。
[0022]在另一实施方式中，一种用于操作存储器装置的方法可包括以下步骤：将具有第一启用区段的第一控制信号施加到多个页缓冲器当中的彼此相邻设置的两个页缓冲器中的第一页缓冲器；以及将具有第二启用区段的第二控制信号施加到所述两个页缓冲器中的第二页缓冲器。第一启用区段和第二启用区段可彼此分离开与第一启用区段或第二启用区段中的至少一个对应的时间。
[0023]第一页缓冲器和第二页缓冲器可设置在形成在半导体基板中的邻近隔离焊盘之间。
[0024]第一启用区段和第二启用区段可彼此相同。
[0025]在另一实施方式中，一种存储器装置可包括：成列的存储器单元阵列；第一页缓冲器和第二页缓冲器，其在物理上彼此相邻设置并且各自包括联接到对应列的第一锁存器和第二锁存器，第一页缓冲器的第二锁存器在物理上与第二页缓冲器的第一锁存器相邻设置；以及控制电路，其被配置为将第一信号和第二信号施加到相应的第一锁存器以重置第一锁存器。第一信号和第二信号可在按照时间量中的任一个分离开的相应时间量期间保持使能。
附图说明
[0026]本文中的描述参考了附图，其中，相同的标号贯穿附图表示相同的部分。
[0027]图1示出根据本公开的实施方式的数据处理系统。
[0028]图2示出根据本公开的实施方式的存储器装置。
[0029]图3示出根据本公开的实施方式的存储器装置中的控制信号和页缓冲器的第一示
例。
[0030]图4示出根据本公开的实施方式的存储器装置中的页缓冲器电路的第一结构。
[0031]图5示出根据本公开的实施方式的存储器装置中的页缓冲器电路的第二结构。
[0032]图6示出根据本公开的实施方式的存储器装置中的控制信号和页缓冲器的第二示例。
[0033]图7示出根据本公开的实施方式的存储器装置中的控制信号和页缓冲器的第三示例。
[0034]图8示出根据本公开的实施方式的存储器装置中所包括的页缓冲器。
[0035]图9示出用于控制存储器装置中所包括的页缓冲器的第一操作方法。
[0036]图10示出当存储器装置通过第一操作方法操作时出现的干扰。
[0037]图11示出由于图10所示的干扰而引起的数据失真。
[0038]图12示出根据本公开的实施方式的用于控制存储器装置中所包括的页缓冲器的第二操作方法。
[0039]图13示出根据本公开的实施方式的如何避免当存储器装置通过第二操作方法操作时出现的干扰。
[0040]图14示出根据本公开的实施方式的如何避免根据第二操作方法的数据失真。
具体实施方式
[0041]下面参照附图描述本公开的各种实施方式。然而，本公开的元件和特征可不同地配置或布置以形成其它实施方式，其可以是所公开的任何实施方式的变体。
[0042]在本公开中，对包括在“一个实施方式”、“示例实施方式”、“实施方式”、“另一实施方式”、“一些实施方式”、“各种实施本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，该存储器装置包括：存储器结构，该存储器结构包括联接到非易失性存储器单元的多个页缓冲器，各个非易失性存储器单元能够存储数据，其中，所述多个页缓冲器设置在预定方向上；以及控制电路，该控制电路将两个页缓冲器的重置区段彼此分离开与所述重置区段中的至少一个对应的时间，其中，所述两个页缓冲器在所述多个页缓冲器当中彼此相邻设置。2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述存储器结构包括：位线，该位线将所述非易失性存储器单元当中的至少一个非易失性存储器单元联接到所述多个页缓冲器当中的至少一个页缓冲器；以及开关电路，该开关电路控制所述位线与所述至少一个非易失性存储器单元之间的连接。3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，所述页缓冲器包括：感测节点，该感测节点联接到所述开关电路；以及两个锁存器，所述两个锁存器联接到所述感测节点。4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，所述控制电路传送用于重置所述页缓冲器中所包括的所述两个锁存器中的一个的控制信号。5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述控制电路通过输出要施加到所述两个页缓冲器的第一控制信号和第二控制信号来分离所述重置区段，并且其中，所述第一控制信号的第一启用区段和所述第二控制信号的第二启用区段彼此分离开与所述第一启用区段或所述第二启用区段中的至少一个对应的时间。6.根据权利要求5所述的存储器装置，其中，所述第一启用区段和所述第二启用区段彼此相同。7.根据权利要求5所述的存储器装置，其中，所述两个页缓冲器设置在形成在半导体基板中的邻近隔离焊盘之间。8.根据权利要求7所述的存储器装置，其中，设置在所述邻近隔离焊盘之间的所述两个页缓冲器中的至少一个和设置在所述邻近隔离焊盘之外的页缓冲器中的至少一个具有部分交叠的启用区段。9.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，在平面图中，所述页缓冲器具有与形成在半导体基板中的3.5条线或5条线对应的宽度。10.一种半导体装置，该半导体装置包括：包括设置在预定方向上的多个缓冲器的结构，各个缓冲器包括存储数据的锁存器；以及控制电路，该控制电路将两个缓冲器的相应启用区段彼此分离开与所述启用区段中的至少一个对应的时间，其中，所述两个缓冲器在所述多个缓冲器当中彼此相邻设置。11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，所述缓冲器包括：感测节点，该感测节点用于接收或输出所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡洙悦，李晋行，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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