混合光刻胶、金属电极的制备方法技术

本申请提供一种混合光刻胶、金属电极的制备方法，涉及发光技术领域。该混合光刻胶的原料包括负性光刻胶和消光光刻胶，两者体积比为(2.5

【技术实现步骤摘要】
混合光刻胶、金属电极的制备方法


[0001]本申请涉及发光
，尤其涉及一种混合光刻胶、金属电极的制备方法。

技术介绍

[0002]微型LED显示技术是指以自发光的微米量级的LED为发光像素单元，将其组装到驱动面板上形成高密度LED阵列的显示技术。由于具有亮度高、发光效率高、对比度高、响应快、使用寿命长、色域高、自发光以及可以无缝拼接等特点，其性能远高于现有的LCD和OLED显示器件，被认为是继LCD、OLED之后的下一代显示技术。
[0003]微型LED具备自发光的特性，无需背光源，相比于OLED，色彩更容易调试，具有更高的分辨率(1500ppi)、更快的响应速度(ns级)、更长的寿命和更高的亮度。然而在现有技术中，高分辨率微型发光器件的电极尺寸精度不高。

技术实现思路

[0004]本申请的目的在于提供一种混合光刻胶、金属电极的制备方法。通过提供一种可降低光强度的混合光刻胶，并将其用在Lift
‑
off工艺中负性光刻胶层的表面，以此来降低光线到达负性光刻胶层时的光刻曝光剂量，使负性光刻胶受到的曝光强度降低，提高了负性光刻胶层的光刻精度，进而提高了金属电极的尺寸精度。
[0005]为实现以上目的，本申请的技术方案如下：
[0006]第一方面，本申请提供一种混合光刻胶，其原料包括负性光刻胶和消光光刻胶，在所述混合光刻胶中的所述负性光刻胶和所述消光光刻胶的体积比为(2.5
‑
3.5)：1。
[0007]优选地，所述消光光刻胶包括黑色光刻胶。
[0008]第二方面，本申请提供了一种金属电极的制备方法，所述方法包括：
[0009]在设定结构表面使用负性光刻胶进行第一涂覆，得到第一光刻胶层；
[0010]在所述第一光刻胶层的表面使用混合光刻胶进行第二涂覆，得到第二光刻胶层；所述混合光刻胶包括第一方面所述的混合光刻胶；
[0011]对所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层进行曝光，得到分别具有设定图案的所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层；
[0012]在具有所述设定图案的第二光刻胶层上设置金属层；
[0013]对所述金属层下的第一光刻胶层和第二光刻胶进行剥离，得到的金属膜层为金属电极。
[0014]优选地，所述曝光的曝光剂量为80mJ/cm2‑
100mJ/cm2。
[0015]优选地，所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层之和的第一厚度是所述金属膜层的第二厚度的1.5
‑
2倍。
[0016]优选地，所述进行第一涂覆之后，还包括：对所述负性光刻胶进行前烘处理；
[0017]所述进行第二涂覆之后，还包括：对所述混合光刻胶进行前烘处理。
[0018]优选地，所述方法还包括以下条件中的至少一个：
[0019]a.所述第一涂覆和所述第二涂覆各自独立地包括使用旋涂工艺进行制备；
[0020]b.所述旋涂工艺包括：先进行第一低速旋涂，再进行高速旋涂，然后进行第二低速旋涂；
[0021]c.所述第一低速旋涂和所述第二低速旋涂时的旋涂转速为300rpm
‑
500rpm，旋涂时间为5s
‑
10s；
[0022]d.所述高速旋涂的旋涂转速为1500rpm
‑
2500rpm，旋涂时间为50s
‑
70s；
[0023]e.所述进行第一涂覆之后，还包括：在100℃
‑
120℃下对负性光刻胶进行2min
‑
4min的前烘处理；
[0024]f.所述进行第二涂覆之后，还包括：在100℃
‑
120℃下对混合光刻胶进行3min
‑
5min的前烘处理；
[0025]g.所述第一光刻胶层的厚度是6μm
‑
8μm，所述第二光刻胶层的厚度是1μm
‑
2μm，所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层叠加后的胶层总厚度是3μm
‑
4μm；
[0026]h.所述进行曝光之后，还包括：在100℃
‑
120℃下进行5min
‑
10min的烘烤，再放入显影液中进行显影，取出后在100℃
‑
120℃下进行3min
‑
5min的后烘处理。
[0027]第三方面，本申请还提供了一种微型LED芯片的制备方法，包括：提供微型LED外延片，并在所述微型LED外延片上蚀刻出台面结构；
[0028]在所述台面结构的表面使用第二方面所述的金属电极的制备方法制备得到金属电极；
[0029]在所述金属电极表面制备钝化层，并对所述钝化层进行刻蚀，得到电极接触孔。
[0030]优选地，还满足以下条件中的至少一个：
[0031]g.所述微型LED外延片自下而上依次包括衬底、缓冲层、第三半导体层、第一半导体层、多量子阱结构和第二半导体层；
[0032]h.所述蚀刻包括：采用电感耦合等离子体蚀刻法去除所述微型LED外延片上的部分第二半导体层和多量子阱结构，露出所述第一半导体层；
[0033]i.所述钝化层的制备方法包括等离子体增强化学气相沉积法；
[0034]j.所述刻蚀包括使用干刻和/或湿刻的工艺来进行。
[0035]第四方面，本申请提供了一种微型LED芯片，使用第三方面所述的微型LED芯片的制备方法制备而成。
[0036]第五方面，本申请还提供了一种微型发光器件，包括第四方面所述的微型LED芯片。
[0037]本申请的有益效果：
[0038]本申请提供的混合光刻胶，因为其原料中的负性光刻胶和消光光刻胶都具有曝光后发生交联、硬化的负性胶特性，使得该混合光刻胶也具有负性胶特性；同时消光光刻胶自身具有极强的遮光作用，通过将其混合在负性光刻胶中，使得整个混合光刻胶也能具有一定的降低光照强度的作用。
[0039]本申请提供的金属电极的制备方法中通过使用上述混合光刻胶，并将其用在Lift
‑
off工艺中负性光刻胶形成的胶层表面，以此来降低光线到达负性光刻胶时的光刻曝光量，大大降低了负性光刻胶受到的曝光强度，从而提高了负性光刻胶的光刻精度，在相同光刻机的情况下能够提高加工精度，提高了去胶剥离后的金属电极的尺寸精度，进而提升
包含金属电极的微型LED芯片的光电性能。并且，还能够提高光刻机的通用性，使曝光量下限较高的光刻机能应用于更多半导体产品的加工场景中，例如可以用于制备具有高精度的金属电极的产品。
[0040]本申请提供的微型LED芯片的制备方法中，通过使用上述金属电极的制备方法，可以制备得到小尺寸、高精度的金属电极，进而实现了高分辨率、高像素密度的微型LED芯片的制备要求。
附图说明
[0041]为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种混合光刻胶，其特征在于，其原料包括负性光刻胶和消光光刻胶，在所述混合光刻胶中的所述负性光刻胶和所述消光光刻胶的体积比为(2.5
‑
3.5)：1。2.如权利要求1所述的混合光刻胶，其特征在于，所述消光光刻胶包括黑色光刻胶。3.一种金属电极的制备方法，其特征在于，所述方法包括：在设定结构表面使用负性光刻胶进行第一涂覆，得到第一光刻胶层；在所述第一光刻胶层的表面使用混合光刻胶进行第二涂覆，得到第二光刻胶层；所述混合光刻胶包括权利要求1或2所述的混合光刻胶；对所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层进行曝光，得到具有设定图案的所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层；在具有所述设定图案的第二光刻胶层上设置金属层；对所述金属层下的第一光刻胶层和第二光刻胶进行剥离，得到的金属膜层为金属电极。4.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述曝光的曝光剂量为80mJ/cm2‑
100mJ/cm2。5.如权利要求3或4所述的制备方法，其特征在于，所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层叠加后的第一厚度是所述金属膜层的第二厚度的1.5
‑
2倍。6.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述进行第一涂覆之后，还包括：对所述负性光刻胶进行前烘处理；所述进行第二涂覆之后，还包括：对所述混合光刻胶进行前烘处理。7.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下条件中的至少一个：a.所述第一涂覆和所述第二涂覆各自独立地包括使用旋涂工艺进行制备；b.所述旋涂工艺包括：先进行第一低速旋涂，再进行高速旋涂，然后进行第二低速旋涂；c.所述第一低速旋涂和所述第二低速旋涂时的旋涂转速为300rpm
‑
500rpm，旋涂时间为5s
‑
10s；d.所述高速旋涂的旋涂转速为1500rpm
‑
2500rpm，旋涂时间为50s
‑
70s；e.所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙铮，
申请(专利权)人：深圳市思坦科技有限公司，
类型：发明
国别省市：