一种应用于驱动电路的缓冲器以及应用于负载装置的驱动方法。其中，一种应用于驱动电路的缓冲器，包含第一晶体管、第二晶体管以及转换速率控制电路。该第一晶体管用以提供电流至输出端。该第二晶体管则用以从该输出端汲取电流。该转换速率控制电路用以根据该输入信号来控制该第一晶体管以及该第二晶体管的至少其中之一的转换速率。该调控电路用以防止该第一晶体管以及该第二晶体管同时导通。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种驱动电路缓冲器及其方法，尤指一种包含一个用来提供适当驱动能力的转换速率控制电路的驱动电路缓冲器及其方法。
技术介绍
一般而言，驱动电路包含缓冲器作为其最后一级，用来提供适当驱动能力来驱动 耦合于该缓冲器的负载。然而，负载值会随着不同的结构、材料以及输入信号而改变，并且 该缓冲器的输出信号会随着不同的负载而改变，因此，假若该缓冲器的输出信号必须要符 合下列标准，如行动产业处理器介面(MIPI)的标准(举例来说，其转换速率(slew rate) 不能超过一预定值)，则该缓冲器的输出信号便不能毫无限制地随着负载变化。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的之一在于提供一种驱动电路缓冲器，其可在不受到负载变化 影响的情况下提供一个适当的输出信号。本专利技术的一实施例提供一种用于驱动电路的缓冲器。该缓冲器包含第一晶体管、 第二晶体管以及转换速率控制电路。该第一晶体管用以提供电流至输出端。该第二晶体管 则用以从该输出端汲取电流。该转换速率控制电路用以依据该输入信号来控制多个控制信 号中至少一个控制信号的转换速率，以控制该第一晶体管以及该第二晶体管的导通或截止 操作。该调控电路用以防止该第一晶体管以及该第二晶体管同时导通。本专利技术的另一实施例提供一种用于负载装置的驱动方法。该驱动方法包含(a) 提供第一晶体管，用以提供电流至输出端；(b)提供第二晶体管，用以从该输出端汲取电 流；(c)根据该输入信号来控制该第一晶体管以及该第二晶体管至少其中之一的转换速率 以产生输出信号输入至该负载装置；以及(d)防止该第一晶体管以及该第二晶体管同时导ο根据以上所述，该输出信号的转换速率可被良好地控制，因此可提供一个具有合 适转换速率的输出信号。附图说明图1为本专利技术的一实施例中驱动电路的缓冲器的电路示意图；图2为图1中所示的驱动电路中的缓冲器的详细结构实施例的电路示意图；图3为图2所示的实施例中信号关系的示意图；图4为图1中所示的驱动电路中缓冲器的另一详细结构实施例的电路示意图。 具体实施例方式在说明书及后续的权利要求书当中使用了某些词汇来指称特定的元件。本领域技 术人员应可理解，硬件制造商可能会用不同的名词来称呼同样的元件。本说明书及后续的权利要求书并不以名称的差异来作为区分元件的方式，而是以元件在功能上的差异来作为区分的准则。在通篇说明书及后续的权利要求书当中所提及的“包含”为一开放式的用语， 故应解释成“包含但不限定于”。另外，“耦接”一词在此包含任何直接及间接的电气连接手 段。因此，若文中描述第一装置耦接于第二装置，则代表该第一装置可直接电气连接于该第 二装置，或通过其他装置或连接手段间接地电气连接至该第二装置。图1为本专利技术的一实施例中的驱动电路的缓冲器100的电路示意图。如图1所 示，缓冲器100包含第一晶体管101、第二晶体管103、转换速率控制电路105以及调控电路 107。第一晶体管101用以提供电流Il至输出端109，而第二晶体管103则用以从输出端 109汲取电流12。在此例中，负载装置(未显示于图中)耦接于输出端109，如此一来，输 出端109提供负载电流至该负载装置。转换速率控制电路105根据输入信号In来控制多 个控制信号CSl以及CS2其中至少一个控制信号的转换速率，以控制第一晶体管101以及 第二晶体管103的导通或截止操作。请注意，输入信号In可从调控电路107或其他来源得 至IJ，其取决于调控电路107的结构。在此实施例中，假若晶体管101及103同时导通，一个大电流将会从预定电位Vcc 流至接地电位，如此一来，第一晶体管101以及第二晶体管103可能会因此受损，因此，调 控电路107便用以防止第一晶体管101以及第二晶体管103同时导通。在此实施例中，第 一晶体管101为P型金氧半导体场效晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect TransistonMOSFET)，其源极耦合至预定电位，以及第二晶体管103为N型金氧半导体场效 晶体管，其漏极耦合至第一晶体管101的漏极，其源极耦合至接地电位。图2为图1中所示的驱动电路中缓冲器的详细结构实施例的电路示意图。请注意， 图2所示的结构仅作为范例说明之用，并非用来局限本专利技术的范畴。在此实施例中，转换速 率控制电路105为一延迟电路，其包含多个电阻201、203以及多个电容205、207，使得从调 控电路107来的输入信号In可被延迟以据此控制多个控制信号InP以及InN(亦即图1中 所示的控制信号CSl以及CS2)其中至少一个控制信号的转换速率。除此之外，本实施例中 的调控电路107包含多个反相器209、211、Ρ型金氧半导体场效晶体管213以及N型金氧半 导体场效晶体管215。反相器209用以将原始信号OS反相来产生反相原始信号I0S，而反 相器211则用以将反相原始信号IOS反相以产生输入信号In。P型金氧半导体场效晶体管 213的漏极耦接于P型金氧半导体场效晶体管101的栅极，此外，P型金氧半导体场效晶体 管213的源极耦接于特定电位，其栅极则接收反相原始信号I0S。N型金氧半导体场效晶体 管215的漏极耦接于N型金氧半导体场效晶体管103的栅极，此外，N型金氧半导体场效晶 体管215的源极耦接于接地电位，其栅极则接收反相原始信号I0S。图3为图2所示的实施例中信号关系的示意图。请同时参照图2及图3以便能更 加清楚地了解本专利技术的技术特征。如图3所示，原始信号OS被反相器209反相来产生反相 原始信号I0S，所以反相原始信号IOS具有一个反相于原始信号OS的相位，而反相原始信 号IOS接着被再次反相来产生输入信号In，因此，输入信号In便具有与原始信号OS相同 的相位。接下来，转换速率控制电路105延迟输入信号In来分别产生控制信号InP及InN 至晶体管101及103。如图3所示，控制信号InP及InN分别具有多个延迟区段XI、Χ2及 YU Υ2。晶体管101及103由控制信号InP及InN所控制，因此，输出信号OUT便根据晶体 管101及103的操作而产生。如图3所示，区段Z1、Z2的转换速率分别对应区段XI、Yl的转换速率；同样地，区 段Z3、Z4的转换速率亦分别对应区段X2、Y2的转换速率。因此，通过控制控制信号InP及 InN的转换速率，便可控制好输出信号OUT的转换速率。然而请注意，转换速率控制电路105 并不受限于以延迟电路(例如RC电路)来加以实现，其他可达成相同功能的电路亦属本发 明的范畴。对于控制信号InP及InN而言，时段Kl K4的实线及虚线分别显示存在P型 金氧半导体场效晶体管213与N型金氧半导体场效晶体管215及没有P型金氧半导体场效 晶体管213与N型金氧半导体场效晶体管215的电压曲线，如图3所示，很明显可看出实线 的上升及下降速率都快于虚线，因此，P型金氧半导体场效晶体管与N型金氧半导体场效晶 体管确实可帮助晶体管101、103更加快速地导通/截止。另外特别的是，P型金氧半导体场效晶体管213与N型金氧半导体场效晶体管215皆由反相原始信号IOS所控制，而反相原始信号IOS并没被转换速率控制电路105所延迟， 因此，P型金氧半导体场效晶体管213与N型金氧半本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种应用于驱动电路的缓冲器，包含：第一晶体管，用以提供电流至输出端；第二晶体管，耦接于该第一晶体管，用以从该输出端汲取电流；转换速率控制电路，耦接于该第一晶体管、该第二晶体管以及输入信号，用以依据该输入信号来控制多个控制信号中至少一个控制信号的转换速率，以控制该第一晶体管以及该第二晶体管的导通或截止操作；以及调控电路，耦接于该第一晶体管以及该第二晶体管，用以防止该第一晶体管以及该第二晶体管同时导通。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：许晋峰，张耀光，
申请(专利权)人：奇景光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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