存储器件的操作方法、编程方法及存储器系统的操作方法技术方案

本公开提供了一种存储器件的操作方法、编程方法及存储器系统的操作方法。公开了一种包括沿与衬底垂直的方向堆叠的多个存储单元的存储器件的操作方法。所述方法包括：基于第一编程参数来对来自所述多个存储单元当中的连接到选定字线的选定存储单元执行第一编程循环至第(n

【技术实现步骤摘要】
存储器件的操作方法、编程方法及存储器系统的操作方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年11月16日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
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2021
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0157776和于2022年1月6日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
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2022
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0002333的优先权，其公开内容通过引用整体并入本文。


[0003]本文描述的本公开的实施例涉及一种半导体存储器，并且更具体地，涉及一种存储器件的操作方法以及包括该存储器件的存储器系统的操作方法。

技术介绍

[0004]半导体存储器件可以被分类为易失性存储器件或非易失性存储器件，在易失性存储器件中当电源被关闭时存储的数据消失，诸如静态随机存取存储器(SRAM)或动态随机存取存储器(DRAM)，而在非易失性存储器件中即使当电源被关闭时所存储的数据也被保持，诸如闪存器件、相变RAM(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)或铁电RAM(FRAM)。
[0005]闪存器件通过控制存储单元的阈值电压来存储数据。由于各种因素(例如，干扰、环境条件等)，存储单元的阈值电压可能被无意地改变。在这种情况下，在存储在存储单元中的数据中会发生错误。

技术实现思路

[0006]本公开的实施例提供一种具有改进的可靠性的存储器件的操作方法以及包括该存储器件的存储器系统的操作方法。
[0007]根据实施例，一种包括沿与衬底垂直的方向堆叠的多个存储单元的存储器件的操作方法可以包括：基于第一编程参数，对所述多个存储单元当中的连接到选定字线的选定存储单元执行第一编程循环(program loop)至第(n
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1)编程循环；以及在所述第(n
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1)编程循环被执行之后，基于与所述第一编程参数不同的第二编程参数来对所述选定存储单元执行第n编程循环至第k编程循环，其中n可以是大于1的整数并且k可以是大于或等于n的整数。所述第一编程参数和所述第二编程参数中的每一者可以包括在所述第一编程循环至所述第k编程循环中使用的编程电压增量、2级验证范围和位线强制电压中的至少两者。
[0008]根据实施例，一种包括沿与衬底垂直的方向堆叠的多个存储单元的存储器件的编程方法可以包括：通过对选定字线施加第一编程电压来对所述多个存储单元当中的连接到所述选定字线的选定存储单元执行第一编程步骤；通过对所述选定字线施加第一验证电压组来对所述选定存储单元执行第一验证步骤；通过对所述选定字线施加第二编程电压并且基于所述第一验证步骤的结果对与所述选定存储单元相对应的位线施加编程禁止电压、接地电压和第一位线强制电压来对所述选定存储单元执行第二编程步骤；通过对所述选定字线施加第二验证电压组来对所述选定存储单元执行第二验证步骤；以及通过对所述选定字线施加第三编程电压并且基于所述第二验证步骤的结果对与所述选定存储单元相对应的
位线施加所述编程禁止电压、所述接地电压和第二位线强制电压来对所述选定存储单元执行第三编程步骤。所述第一编程电压与所述第二编程电压之间的差可以是第一编程电压增量，所述第二编程电压与所述第三编程电压之间的差可以是与所述第一编程电压增量不同的第二编程电压增量，并且所述第一位线强制电压可以与所述第二位线强制电压不同。
[0009]根据实施例，一种包括存储器件以及被配置为控制所述存储器件的存储器控制器的存储器系统的操作方法可以包括：由所述存储器控制器向所述存储器件发送编程命令，以及由所述存储器件响应于所述编程命令执行编程操作。所述编程操作可以包括：基于第一编程参数，对包括在所述存储器件中的多个存储单元当中的连接到选定字线的选定存储单元执行第一编程循环至第(n
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1)编程循环；以及在所述第(n
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1)编程循环被执行之后，基于与所述第一编程参数不同的第二编程参数来对所述选定存储单元执行第n编程循环至第k编程循环，其中n可以是大于1的整数并且k可以是大于或等于n的整数。所述第一编程参数和所述第二编程参数中的每一者可以包括在所述第一编程循环至所述第k编程循环中使用的编程电压增量、2级验证范围和位线强制电压中的至少两者。
附图说明
[0010]通过参考附图详细地描述本公开的实施例，本公开的以上及其他目的和特征将变得显而易见。
[0011]图1是示出了根据本公开的实施例的存储器件的框图。
[0012]图2是示出了包括在图1中的存储单元阵列中的多个存储块中的一个的电路图。
[0013]图3是示出了图2的存储单元的阈值电压分布的图。
[0014]图4是用于描述图1的存储器件的编程操作的图。
[0015]图5是示出了图1的存储器件的编程操作的流程图。
[0016]图6是用于描述图5的存储器件的编程操作的图。
[0017]图7A、图7B、图8A和图8B是用于描述图5的存储器件的编程操作的图。
[0018]图9是用于描述图5的存储器件的编程操作的图。
[0019]图10是示出了图1的存储器件的页缓冲器电路的框图。
[0020]图11A和图11B是用于描述图10的页缓冲器电路的操作的定时图。
[0021]图12是用于描述图5的操作S120的流程图。
[0022]图13是用于描述图12的操作的图。
[0023]图14是用于描述图1的存储器件的编程操作的图。
[0024]图15是用于描述图1的存储器件的编程操作的分布图。
[0025]图16是用于描述图1的存储器件的编程操作的分布图。
[0026]图17是示出了根据本公开的实施例的存储器系统1000的框图。
[0027]图18是示出了图17的存储器控制器的操作的流程图。
[0028]图19是示出了图17的存储器系统的操作的流程图。
[0029]图20是用于描述图19的操作S2420的图。
[0030]图21是示出了图17的存储器控制器的操作的流程图。
[0031]图22是用于描述图21的操作的图。
[0032]图23是示出了根据本公开的实施例的存储器件的横截面视图。
[0033]图24是示出了根据本公开的实施例的主机存储系统的框图。
具体实施方式
[0034]下面，可以详细地且清楚地描述本公开的实施例，以使本领域的普通技术人员可以实现本专利技术。
[0035]图1是示出了根据本公开的实施例的存储器件的框图。参考图1，存储器件100可以包括存储单元阵列110、地址译码器120、页缓冲器电路130、输入/输出电路140以及控制逻辑和电压生成电路150。在实施例中，存储器件100可以是包括NAND闪存单元的非易失性存储器件。
[0036]存储单元阵列110可以包括多个存储块。多个存储块中的每一个存储块可以包括多个单元串，每一个单元串包括多个单元晶体管。多个单元晶体管可本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种包括沿与衬底垂直的方向堆叠的多个存储单元的存储器件的操作方法，所述操作方法包括：基于第一编程参数，对所述多个存储单元当中的连接到选定字线的选定存储单元执行第一编程循环至第n
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1编程循环；以及在所述第n
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1编程循环被执行之后，基于与所述第一编程参数不同的第二编程参数对所述选定存储单元执行第n编程循环至第k编程循环，其中n是大于1的整数并且k是大于或等于n的整数，以及其中所述第一编程参数和所述第二编程参数中的每一者包括在所述第一编程循环至所述第k编程循环中使用的编程电压增量、2级验证范围和位线强制电压中的至少两者。2.根据权利要求1所述的操作方法，所述操作方法还包括：在所述第k编程循环被执行之后，基于所述第一编程参数执行第k+1编程循环至第m编程循环，其中m是大于k的整数。3.根据权利要求1所述的操作方法，其中一部分所述选定存储单元通过所述第n编程循环至所述第k编程循环形成与特定编程状态相对应的阈值电压分布。4.根据权利要求3所述的操作方法，其中在所述第n编程循环至所述第k编程循环的每一个编程循环中，通过使用用于验证所述特定编程状态的验证电压来验证所述的一部分所述选定存储单元。5.根据权利要求1所述的操作方法，其中属于在所述第n编程循环至所述第k编程循环中使用的所述第二编程参数的第二编程电压增量小于属于在所述第一编程循环至所述第n
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1编程循环中使用的所述第一编程参数的第一编程电压增量。6.根据权利要求5所述的操作方法，其中属于在所述第n编程循环至所述第k编程循环中使用的所述第二编程参数的第二位线强制电压小于属于在所述第一编程循环至所述第n
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1编程循环中使用的所述第一编程参数的第一位线强制电压。7.根据权利要求6所述的操作方法，其中所述第二编程电压增量相对于所述第一编程电压增量的减小比率等于所述第二位线强制电压相对于所述第一位线强制电压的减小比率。8.根据权利要求5所述的操作方法，其中属于在所述第n编程循环至所述第k编程循环中使用的所述第二编程参数的第二2级验证范围大于属于在所述第一编程循环至所述第n
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1编程循环中使用的所述第一编程参数的第一2级验证范围。9.根据权利要求1所述的操作方法，所述操作方法进一步包括：在所述第n编程循环被执行之后，对所述多个存储单元当中的连接到所述选定字线的所述选定存储单元执行单元计数操作。10.根据权利要求9所述的操作方法，其中所述单元计数操作的结果表示所述选定存储单元当中的各自具有第一参考电压与第二参考电压之间的阈值电压的存储单元的数目，以及其中，当所述单元计数操作的结果大于或等于参考值时，基于所述第二编程参数执行所述第n编程循环。11.根据权利要求1所述的方法，其中所述第n编程循环至所述第k编程循环由外部存储
器控制器确定。12.一种包括沿与衬底垂直的方向堆叠的多个存储单元的存储器件的编程方法，所述编程方法包括：通过对选定字线施加第一编程电压来对所述多个存储单元当中的连接到所述选定字线的选定存储单元执行第一编程步骤；通过对所述选定字线施加第一验证电压组来对所述选定存储单元执行第一验证步骤；通过对所述选定字线施加第二编...

【专利技术属性】
技术研发人员：李耀翰，南尚完，朴相元，赵志虎，朴恩香，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：