多通道光发射组件制造技术

本发明专利技术提供一种多通道光发射组件，包含基座、至少一光发射单元、光调制芯片及光传输件；光发射单元设置于基座；光调制芯片设置于基座；光调制芯片包含封装结构以及位于封装结构内的薄膜铌酸锂调制器；薄膜铌酸锂调制器与光发射单元光耦合，且光发射单元位于封装结构外部；光传输件与薄膜铌酸锂调制器光耦合。光传输件与薄膜铌酸锂调制器光耦合。光传输件与薄膜铌酸锂调制器光耦合。

【技术实现步骤摘要】
多通道光发射组件


[0001]本专利技术涉及一种光通信装置，特别是一种多通道光发射组件。

技术介绍

[0002]在现代高速通讯网络中，通常有光通信器件安装于电子通信设备中。随着通信系统的升级和各种因特网服务对通讯带宽需求的快速增加，现有通信系统存在着内部容置空间不足和能耗大的两大问题需要克服。如何在提升带宽和传输速率的前提下提供小尺寸、高内部空间利用率以及低能耗的通讯系统，是本
目前重要的课题之一。
[0003]在部分大带宽应用的通信系统中，如数据中心和FTTH调制解调器，为了提高信号传输效率以及传输距离，会额外配置光调制器用以调整光信号的功率、相位或偏振。对于现有的光通信系统，光调制器基于成本考虑多选用硅基调制器，这是因为如光发射器、透镜、光隔离器等光组件可以和硅基调制器整合于一个封装结构中，因而有利于光通信系统的小型化。然而，随着光通信系统朝向高功率与多通道发展，光组件若整合于封装结构中会不利于散热，且硅基调制器的调制能力也难以满足需求，但是若为了散热考虑将光组件移出封装结构，会导致系统整体体积过大而不能符合原本小型化的需求。

技术实现思路

[0004]本专利技术在于提供一种多通道光发射组件，有助于解决现有光发射组件需要兼顾小型化、大带宽应用需求以及信号调制效果好的问题。
[0005]本专利技术所揭露的多通道光发射组件包含一基座、至少一光发射单元、一光调制芯片以及一光传输件。光发射单元设置于基座。光调制芯片设置于基座。光调制芯片包含一封装结构以及位于封装结构内的一薄膜铌酸锂调制器。薄膜铌酸锂调制器与光发射单元光耦合，且光发射单元位于封装结构外部。光传输件与薄膜铌酸锂调制器光耦合。
[0006]根据本专利技术揭露的多通道光发射组件，薄膜铌酸锂调制器具有体积小以及调制效率高的优点。采用薄膜铌酸锂调制器的光调制芯片能可实现单通道100G以上的速率。将此光调制芯片应用到光通信系统中能大幅降低系统制造本以及提升传输表现。由于薄膜铌酸锂调制器的小体积优势，可以在维持多通道光发射组件小型化的同时将部分光组件如光发射单元摆放在外部，而不需要整合至光调制芯片中，因此这些摆放在外部的光组件可以良好散热。
[0007]以上的关于本
技术实现思路
的说明及以下的实施方式的说明系用以示范与解释本专利技术的精神与原理，并且为本专利技术的保护范围提供更进一步的解释。
附图说明
[0008]图1为根据本专利技术一实施例的多通道光发射组件的示意图。
[0009]图2为根据本专利技术另一实施例的多通道光发射组件的示意图。
[0010]图3为根据本专利技术又一实施例的多通道光发射组件的示意图。
[0011]【附图标记说明】
[0012]1a、1b、1c 多通道光发射组件
[0013]2ꢀꢀꢀꢀꢀ
驱动电路板
[0014]10
ꢀꢀꢀꢀꢀ
基座
[0015]20
ꢀꢀꢀꢀꢀ
光发射单元
[0016]30、30c
ꢀꢀ
光调制芯片
[0017]310
ꢀꢀꢀꢀꢀ
封装结构
[0018]320
ꢀꢀꢀꢀꢀ
薄膜铌酸锂调制器
[0019]321
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
光输入端
[0020]322
ꢀꢀꢀꢀꢀ
光输出端
[0021]330
ꢀꢀꢀꢀꢀ
分光器
[0022]30b、340
ꢀꢀ
波分复用器
[0023]40
ꢀꢀꢀꢀꢀ
驱动电芯片
[0024]50、51b
ꢀꢀꢀ
光传输件
[0025]51
ꢀꢀꢀꢀꢀ
光纤
[0026]60
ꢀꢀꢀꢀꢀ
散热座
[0027]70
ꢀꢀꢀꢀꢀ
准直透镜
[0028]80
ꢀꢀꢀꢀꢀ
光隔离器
[0029]90
ꢀꢀꢀꢀꢀ
聚焦透镜
具体实施方式
[0030]以下在实施方式中详细叙述本专利技术的详细特征以及优点，其内容足以使本领域技术人员了解本专利技术的
技术实现思路
并据以实施，且根据本说明书所揭露的内容、保护范围及附图，本领域技术人员可轻易地理解本专利技术相关的目的及优点。以下的实施例系进一步详细说明本专利技术的观点，但非以任何观点限制本专利技术的范畴。
[0031]根据本专利技术一实施例揭露的多通道光发射组件可包含基座、光发射单元以及光调制芯片。请参照图1，为根据本专利技术一实施例的多通道光发射组件的示意图。在本实施例中，多通道光发射组件1a可包含基座10、光发射单元20以及光调制芯片30。多通道光发射组件1a可设置于驱动电路板2上。
[0032]基座10例如但不限于是可搭载于驱动电路板2的载台，且基座10可以采用金属材质以帮助散热。光发射单元20例如但不限于是激光发射器，其设置于基座10。图1示例性表示出多通道光发射组件1a包含单一光发射单元20，但光发射单元20的数量并不以此为限。光调制芯片30设置于基座10，且光调制芯片30包含封装结构310以及位于封装结构310内的铌酸锂(LiNbO3)调制器320。封装结构310例如但不限于是气密壳体或电性绝缘的介电层，其容纳薄膜铌酸锂调制器320。薄膜铌酸锂调制器320与光发射单元20光耦合，且光发射单元20位于封装结构310外部。
[0033]根据本专利技术一实施例揭露的多通道光发射组件可包含驱动电芯片。如图1所示，多通道光发射组件1a更包含与光调制芯片30电连接的驱动电芯片40。具体来说，光调制芯片30经由与驱动电路板2接触的引脚或金线电性连接至驱动电芯片40，以形成让驱动电芯片
40向光调制芯片30供电和传输调制信号的路径。驱动电芯片40位于基座10外部，也就是说驱动电芯片40没有容纳于基座10内部。
[0034]根据本专利技术一实施例揭露的光调制芯片可包含分光器。如图1所示，光调制芯片30更包含分光器330，且分光器330位于薄膜铌酸锂调制器320的光输入端321。分光器330位于封装结构310内，也就是说薄膜铌酸锂调制器320与分光器330一同整合于光调制芯片30中。分光器330能将光发射单元20射出的单路光线分成四路光线以实现多通道传输。
[0035]根据本专利技术一实施例揭露的多通道光发射组件可包含光传输件。如图1所示，多通道光发射组件1a更包含设置于基座10的光传输件50，其中光传输件50与光调制芯片30的薄膜铌酸锂调制器320光耦合，以使经光调制芯片30调制的光讯号自薄膜铌酸锂调制器320的光输出端322通过光传输件50并进而传输至外部设备，如光连接器、交换器或路由器。在本实施例中，光传输件50包含光纤阵列，其位于封装结构310外部，也就是说光传输件50没有容纳于封装结构310内部。
[0036]此外，多通道光发射组件1a还可进一步包含散热座60、准直透镜70、光隔离器80以及聚焦透镜90。散热座60用以承载光发本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多通道光发射组件，其特征在于，包含：一基座；至少一光发射单元，设置于该基座；以及一光调制芯片，设置于该基座，该光调制芯片包含一封装结构以及位于该封装结构内的一薄膜铌酸锂调制器，该薄膜铌酸锂调制器与该至少一光发射单元光耦合，且该至少一光发射单元位于该封装结构外部；一光传输件，与该薄膜铌酸锂调制器光耦合。2.如权利要求1所述的多通道光发射组件，其特征在于，更包含与该光调制芯片电连接的一驱动电芯片，且该驱动电芯片位于该基座外部。3.如权利要求1所述的多通道光发射组件，其特征在于，其中该光调制芯片更包含一分光器，且该分光器位于该薄膜铌酸锂调制器的一光输入端。4.如权利要求3所述的多通道光发射组件，其特征在于，其中该光传输件为设置于该基座的一光纤阵列，且该光纤阵列位于该封装结构外部。5.如权利要求1所述的多通道光发射组件，其特征在于，更包含设置于该基座的一波分...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗建洪，蒋栋彪，章娟，邵嘉杭，
申请(专利权)人：宁波环球广电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：