一种励磁隔离芯片延时参数在线自诊断自愈方法和装置制造方法及图纸

本发明专利技术具体涉及一种励磁隔离芯片延时参数自诊断自愈方法，包括：构建隔离芯片电路，所述隔离芯片电路由两片隔离芯片组成，互为主备用；在主用隔离芯片空闲状态时进行延时参数检测，在备用隔离芯片定时进行延时参数检测，以判断隔离芯片是否异常；当检测到主用隔离芯片异常，且备用隔离芯片正常时，则进行隔离芯片的主备用切换；对完成主备用切换后的备用隔离芯片进行数次自愈处理，并在每次自愈处理完成后检测备用隔离芯片是否恢复正常；如果数次自愈处理后，备用隔离芯片依旧异常，则报出备用隔离芯片异常。本发明专利技术的励磁隔离芯片延时参数自诊断自愈方法，实时监测励磁隔离芯片是否满足系统正常运行需求，并对故障芯片进行复位自愈。愈。愈。

【技术实现步骤摘要】
一种励磁隔离芯片延时参数在线自诊断自愈方法和装置


[0001]本专利技术涉及继电保护
，特别是涉及一种励磁隔离芯片延时参数在线自诊断自愈方法和装置。

技术介绍

[0002]在励磁控制中，需要传递大量数字信号和模拟信号，同时要求具有高电阻隔离特性，实现系统与用户之间的隔离。例如，主控逻辑与外面接口芯片通过专门隔离芯片实现隔离。
[0003]隔离芯片在系统中具有承上启下的作用，其输出的准确性直接影响后续控制逻辑的实现。但隔离芯片在实际使用中存在失效或者功能不满足的情况，并且不能及时发现，只有当问题扩大后影响系统的正常运行才会显现出来。因此，如何在励磁系统正常工作的情况下对隔离芯片进行在线诊断及异常自愈是亟待解决的技术问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于，提供一种励磁隔离芯片延时参数自诊断自愈方法，实时监测励磁隔离芯片是否满足系统正常运行需求，并对故障芯片进行复位自愈。
[0005]为了实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：
[0006]一种励磁隔离芯片延时参数自诊断自愈方法，包括如下步骤：
[0007]构建隔离芯片电路，所述隔离芯片电路由两片隔离芯片组成，互为主备用；隔离芯片电路正常运行时，主用隔离芯片运行，备用隔离芯片冗余；
[0008]在主用隔离芯片空闲状态时进行延时参数检测，在备用隔离芯片定时进行延时参数检测，以判断隔离芯片是否异常；
[0009]当检测到主用隔离芯片异常，且备用隔离芯片正常时，则进行隔离芯片的主备用切换，原来的主用隔离芯片切换为备用隔离芯片，原来的备用隔离芯片切换为主用隔离芯片；
[0010]在完成隔离芯片的主备用切换后，对备用隔离芯片进行数次自愈处理，并在每次自愈处理完成后进行延时参数检测，以判断备用隔离芯片是否恢复正常；
[0011]如果数次自愈处理后，备用隔离芯片依旧异常，则报出备用隔离芯片异常。
[0012]进一步地，隔离芯片的输出由输出使能信号控制，通过检测主用隔离芯片的输出使能信号，判断主用隔离芯片的运行状态；
[0013]当主用隔离芯片的输出使能信号为逻辑高电平时，判断主用隔离芯片处于工作状态；
[0014]当主用隔离芯片的输出使能信号为逻辑低电平时，判断主用隔离芯片处于空闲状态。
[0015]进一步地，对隔离芯片进行延时参数检测，包括如下步骤：
[0016]根据隔离芯片运行输入信号频率，向隔离芯片输出一个同频率的脉冲信号作为检
测输入信号，并为隔离芯片提供检测输出使能信号作为检测输出信号；
[0017]对比隔离芯片的检测输入信号和检测输出信号，判断隔离芯片是否异常；
[0018]如果隔离芯片的检测输入信号和检测输出信号不一致，则判断隔离芯片异常。
[0019]进一步地，根据主用隔离芯片的运行状态，对主用隔离芯片的运行输入信号和检测输入信号，以及运行输出信号和检测输出信号这两组信号进行隔离；
[0020]当主用隔离芯片的运行输出使能信号为逻辑高电平时，表示主用隔离芯片处于工作状态，为主用隔离芯片选通运行输入信号和运行输出信号；
[0021]当主用隔离芯片的运行输出使能信号为逻辑低电平时，表示主用隔离芯片处于空闲状态，为主用隔离芯片提供检测输出使能信号选通检测输入信号和检测输出信号。
[0022]进一步地，当检测到主用隔离芯片异常时，进一步检测备用隔离芯片是否异常；
[0023]如果备用隔离芯片异常，则无法完成隔离芯片的主备用切换，主用隔离芯片继续保持当前运行状态；
[0024]如果备用隔离芯片无异常，可以作为主用隔离芯片运行，则进行隔离芯片的主备用切换，原来的备用隔离芯片切换为主用隔离芯片，原来的主用隔离芯片切换为备用隔离芯片；
[0025]在完成隔离芯片的主备用切换后，对备用隔离芯片进行自愈处理；
[0026]自愈处理后，通过检测备用隔离芯片是否异常来判断是否对备用隔离芯片再次进行自愈处理；
[0027]当再次查询到备用隔离芯片异常时，再次对备用隔离芯片进行自愈处理；
[0028]如果自愈处理次数重复十次以上，备用隔离芯片依旧异常，则不再执行自愈处理，并报出备用隔离芯片异常。
[0029]本专利技术的目的，还在于提供一种励磁隔离芯片延时参数自诊断自愈装置，包括隔离芯片电路、在线检测模块和异常切换自愈模块；
[0030]所述隔离芯片电路由两片隔离芯片组成，互为主备用；隔离芯片电路正常运行时，主用隔离芯片运行，备用隔离芯片冗余；
[0031]所述在线检测模块，用于在主用隔离芯片空闲状态时进行延时参数检测，在备用隔离芯片定时进行延时参数检测，以判断隔离芯片是否异常；
[0032]所述异常切换自愈模块，用于在主用隔离芯片异常，且备用隔离芯片正常时，进行隔离芯片的主备用切换，原来的主用隔离芯片切换为备用隔离芯片，原来的备用隔离芯片切换为主用隔离芯片；在完成隔离芯片的主备用切换后，对备用隔离芯片进行数次自愈处理；在备用隔离芯片每次自愈处理完成后进行延时参数检测，以判断备用隔离芯片是否恢复正常；以及在数次自愈处理后，备用隔离芯片依旧异常时，报出备用隔离芯片异常。
[0033]进一步地，隔离芯片的输出由输出使能信号控制，在线检测模块通过检测主用隔离芯片的输出使能信号，判断主用隔离芯片的运行状态；
[0034]当主用隔离芯片的输出使能信号为逻辑高电平时，在线检测模块判断主用隔离芯片处于工作状态；
[0035]当主用隔离芯片的输出使能信号为逻辑低电平时，在线检测模块判断主用隔离芯片处于空闲状态。
[0036]进一步地，在线检测模块设有状态检测寄存器、检测使能寄存器、检测信号发生
器、信号频率寄存器和比较寄存器；
[0037]在线检测模块对主用隔离芯片进行延时参数检测，包括如下步骤：
[0038]1、为主用隔离芯片定义状态检测寄存器、检测使能寄存器、检测信号发生器、信号频率寄存器和比较寄存器；
[0039]2、检测主用隔离芯片的状态检测寄存器；
[0040]当检测到主用隔离芯片的状态检测寄存器为逻辑低电平时，主用隔离芯片的检测信号发生器根据主用隔离芯片的信号频率寄存器的运行输入信号频率值向主用隔离芯片输出一个同频率的脉冲信号作为主用隔离芯片的检测输入信号，同时通过主用隔离芯片的检测使能寄存器为主用隔离芯片提供一个检测输出使能信号作为检测输出信号；
[0041]步骤3、通过主用隔离芯片的比较寄存器对比主用隔离芯片的检测输入信号和检测输出信号，判断主用隔离芯片是否异常；
[0042]如果主用隔离芯片的检测输入信号和检测输出信号不一致，则判断主用隔离芯片异常；
[0043]如果主用隔离芯片异常，则将主用隔离芯片的状态检测寄存器置逻辑高电平。
[0044]进一步地，在线检测模块对备用隔离芯片进行延时参数检测，包括如下步骤：
[0045]1、为备用隔离芯片定义状态检测寄存本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种励磁隔离芯片延时参数自诊断自愈方法，其特征在于，包括如下步骤：构建隔离芯片电路，所述隔离芯片电路由两片隔离芯片组成，互为主备用；隔离芯片电路正常运行时，主用隔离芯片运行，备用隔离芯片冗余；在主用隔离芯片空闲状态时进行延时参数检测，在备用隔离芯片定时进行延时参数检测，以判断隔离芯片是否异常；当检测到主用隔离芯片异常，且备用隔离芯片正常时，则进行隔离芯片的主备用切换；在完成隔离芯片的主备用切换后，对备用隔离芯片进行数次自愈处理，并在每次自愈处理完成后进行延时参数检测，以判断备用隔离芯片是否恢复正常；如果数次自愈处理后，备用隔离芯片依旧异常，则报出备用隔离芯片异常。2.根据权利要求1所述的励磁隔离芯片延时参数自诊断自愈方法，其特征在于，通过检测主用隔离芯片的输出使能信号，判断主用隔离芯片的运行状态；当主用隔离芯片的输出使能信号为逻辑高电平时，判断主用隔离芯片处于工作状态；当主用隔离芯片的输出使能信号为逻辑低电平时，判断主用隔离芯片处于空闲状态。3.根据权利要求2所述的励磁隔离芯片延时参数自诊断自愈方法，其特征在于，对隔离芯片进行延时参数检测，包括如下步骤：根据隔离芯片运行输入信号频率，向隔离芯片输出一个同频率的脉冲信号作为检测输入信号，并为隔离芯片提供检测输出使能信号作为检测输出信号；对比隔离芯片的检测输入信号和检测输出信号，判断隔离芯片是否异常；如果隔离芯片的检测输入信号和检测输出信号不一致，则判断隔离芯片异常。4.根据权利要求3所述的励磁隔离芯片延时参数自诊断自愈方法，其特征在于，根据主用隔离芯片的运行状态，对主用隔离芯片的运行输入信号和检测输入信号，以及运行输出信号和检测输出信号这两组信号进行隔离；当主用隔离芯片的运行输出使能信号为逻辑高电平时，为主用隔离芯片选通运行输入信号和运行输出信号；当主用隔离芯片的运行输出使能信号为逻辑低电平时，为主用隔离芯片提供检测输出使能信号选通检测输入信号和检测输出信号。5.根据权利要求4所述的励磁隔离芯片延时参数自诊断自愈方法，其特征在于，当检测到主用隔离芯片异常时，进一步检测备用隔离芯片是否异常；如果备用隔离芯片异常，则无法完成隔离芯片的主备用切换，主用隔离芯片继续保持当前运行状态；如果备用隔离芯片无异常，则进行隔离芯片的主备用切换；在完成隔离芯片的主备用切换后，对备用隔离芯片进行自愈处理；自愈处理后，通过检测备用隔离芯片是否异常来判断是否对备用隔离芯片再次进行自愈处理；当再次查询到备用隔离芯片异常时，再次对备用隔离芯片进行自愈处理；如果自愈处理次数重复十次以上，备用隔离芯片依旧异常，则不再执行自愈处理，并报出备用隔离芯片异常。6.一种励磁隔离芯片延时参数自诊断自愈装置，其特征在于，包括隔离芯片电路、在线检测模块和异常切换自愈模块；
所述隔离芯片电路由两片隔离芯片组成，互为主备用；隔离芯片电路正常运行时，主用隔离芯片运行，备用隔离芯片冗余；所述在线检测模块，用于在主用隔离芯片空闲状态时进行延时参数检测，在备用隔离芯片定时进行延时参数检测，以判断隔离芯片是否异常；所述异常切换自愈模块，用于在主用隔离芯片异常，且备用隔离芯片正常时，进行隔离芯片的主备用切换；在完成隔离芯片的主备用切换后，对备用隔离芯片进行数次自愈处理；在备用隔离芯片每次自愈处理完成后进行延时参数检测，以判断备用隔离芯片是否恢复正常；以及在数次自愈处理后，备用隔离芯片依旧异常时，报出备用隔离芯片异常。7.根据权利要求6所述的励磁隔离芯片延时参数自诊断自愈装置，其特征在于，在线检测模块通过检测主用隔离芯片的输出使能信号，判断主用隔离芯片的运行状态；当主用隔离芯片的输出使能信号为逻辑高电平时，在线检测模块判断主用隔离芯片处于工作状态；当主用隔离芯片的输出使能信号为逻辑低电平时，在线检测模块判断主用隔离芯片处于空闲状态。8.根据权利要求7所述的励磁隔离芯片延时参数自诊断自愈装置，其特征在于，在线检测模块设有状态检测寄存器、检测使能信号寄存器、检测信号发生器、信号频率寄存器和比较寄存器；在线检测模块对隔离芯片进行...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈晓勇，任振耀，葛起峰，魏彦勋，沈晓晖，山江川，张乐安，吴玉鹏，包彦省，李嘉敏，邱立伟，李强，王鑫，刘怡君，
申请(专利权)人：核电秦山联营有限公司，
类型：发明
国别省市：