【技术实现步骤摘要】
一种极紫外非化学放大光刻胶及其制备方法和应用
[0001]本专利技术涉及光刻胶
,尤其涉及一种极紫外非化学放大光刻胶及其制备方法和应用。
技术介绍
[0002]光刻胶又称光致抗蚀剂,能够在紫外光、电子束等光源的照射下发生溶解度的改变,进而在显影液中变得可溶或者不溶。根据其光照后性质的变化,光刻胶主要分为两大类:不溶于显影液的光刻胶在光源照射下变成可溶的物质,被称为正性胶;若是可溶于显影液的光刻胶在照射下变成不可溶的物质,则称为负性胶。
[0003]光刻胶是光刻过程中的关键材料之一,光刻胶的质量会直接影响到半导体集成电路以及器件制程精度。随着半导体制造业的发展,光刻技术从曝光波长上来区分,先后经历了G线(436nm)、I线(365nm)、KrF(248nm)、ArF(193nm,包括干式和浸没式)和极紫外(EUV,13.5nm)光刻。使用EUV光刻的技术已被认为是大批量生产10~16nm节点芯片的主要选择,但这就要求光刻胶灵敏度更高、分辨率更高,以确保掩膜版上的图形精确地转移到硅片上。
[0004]目前,用于EUV光刻胶的高分子材料分为化学放大光刻胶(CAR)和非化学放大光刻胶(non
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CAR),前者需要使用光致产酸剂(PAG)来产生大量强酸氢离子,但光酸扩散会造成较大线宽粗糙度,虽然将PAG分子键接到聚合物分子链上可以很大程度降低酸扩散,但是不能完全消除。
[0005]CN107991842A公开了一种聚碳酸酯作为电子束光刻胶材料的应用,所述聚碳酸酯是由二氧化碳和至少 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种极紫外非化学放大光刻胶,其特征在于,所述极紫外非化学放大光刻胶包括聚碳酸酯类树脂,所述聚碳酸酯类树脂具有式Ⅰ所示结构:其中,m和n独立地为1~200之间的整数;R1为第一单体形成的结构单元,第一单体为二元醇;R2为第二单体形成的结构单元,第二单体为如下结构:其中,x为2~12的整数。2.根据权利要求1所述的极紫外非化学放大光刻胶,其特征在于,所述第一单体选自如下结构中的任意一种或至少两种的组合:3.根据权利要求1或2所述的极紫外非化学放大光刻胶,其特征在于,所述第二单体的制备原料包括4
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羟基苯乙烯和二硫醇;优选地,所述二硫醇包括乙二硫醇、1,2
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丙二硫醇、1,3
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丙二硫醇、1,4
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丁二硫醇、2,3
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丁二硫醇、1,5
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戊二硫醇、1,6
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己二硫醇、1,8
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辛二硫醇、1,9
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壬二硫醇、1,10
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癸二硫醇或正十二硫醇中的任意一种。4.根据权利要求1
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3任一项所述的极紫外非化学放大光刻胶,其特征在于,所述聚碳酸酯类树脂包括如下化合物中的任意一种或至少两种的组合:
其中,m各自独立地为1~200之间的整数;n各自独立地为1~200之间的整数。
5.根据权利要求1
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4任一项所述的极紫外非化学放大光刻胶,其特征在于,所述聚碳酸酯类树脂的特性粘度为0.52
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1.01dL/g;优选地,所述聚碳酸酯类树脂的数均分子量为9657
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25896g/mol;优选地,所述聚碳酸酯类树脂的分子量分布指数为1.6
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2.4;优选地,所述聚碳酸酯类树脂的玻璃化转变温度为127
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151℃;优选地,所述聚碳酸酯类树脂的热分解温度≥229℃。6.一种权利要求1
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5任一项所述的极紫外非化学放大光刻胶的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括如下步骤:将碳酸二苯酯、形成R1结构单元的第一单体和形成R2结构单元的第二单体混合,进行本体熔融聚合,得到聚碳酸酯类树脂,即所述极紫外非化学放大光刻胶。7.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,所述第二单体的制备方法包括如下步骤:(a)将4
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羟基苯乙烯、二硫醇、引发剂和溶剂混合,进行交联反应,得到硫醚结构双酚单体;(b)将硫醚结构双酚单体、间氯过氧苯甲酸和溶剂混合,进行反应,得到砜结构双酚单体,为所述第二单体。优选地,步骤(a)中,所述引发剂包括光引发剂;优选地,所述引发剂包括安息香双甲醚、安息香乙醚、安息香异丙醚或安息香丁醚中的任意一种或至少两种的组合;优选地,所述溶剂包括四氢呋喃、丁酮或环戊酮中的任意一种或至少两种的组合;优选地,所述交联反应后,还包括分离和干燥;优选地,步骤(b)中,所述反应的温度为10
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40℃;优选地,所述反应后还包括洗涤和干燥。8.根据权利要求6或7所述的制备方法,其特征在于,所述碳酸二苯酯的摩尔数与第一单体和第二单体的总摩...
【专利技术属性】
技术研发人员:汪亚雄,朱海凌,彭申来,赵云川,
申请(专利权)人:中瀚新材料科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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