电子束套刻方法技术

本发明专利技术提供一种电子束套刻方法，所述方法包括：在待刻蚀器件上形成电子束标记；在所述电子束标记区域形成保护膜层；采用带有保护膜层的所述电子束标记进行对准，对所述待刻蚀器件进行第一次刻蚀；采用去除保护膜层的所述电子束标记进行对准，对所述待刻蚀器件进行第二次刻蚀。本发明专利技术提供的电子束套刻方法，能够采用单个对准标记完成两次刻蚀，减少对准误差，提高半导体器件制备质量。提高半导体器件制备质量。提高半导体器件制备质量。

【技术实现步骤摘要】
电子束套刻方法


[0001]本专利技术涉及半导体制备
，尤其涉及一种电子束套刻方法。

技术介绍

[0002]在采用电子束套刻的过程中，通常会在第一次刻蚀的过程中设置一个对准标记，该对准标记用来对刻蚀图形进行对准，在曝光和显影的过程中，依据该对准标记确定曝光和显影的图形位置。在完成曝光和显影过程中，会导致该对准标记对应的电子束胶被曝光而不能被除去。在刻蚀过程中，由于对准标记对应的电子束胶产生的残留，会对该标记造成损坏。在第二次刻蚀过程中，该对准标记不能够再继续使用，需要再次确定制备一个对准标记。在依据对准标记进行曝光和显影的过程中，以及制备对准标记的过程中，都不可避免的产生偏差，多次的曝光显影和重复制备对准标记将导致误差范围扩大。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供的电子束套刻方法，能够采用单个对准标记完成两次刻蚀，减少对准误差，提高半导体器件制备质量。
[0004]本专利技术提供一种电子束套刻方法，所述方法包括：
[0005]在待刻蚀器件上形成电子束标记；
[0006]在所述电子束标记区域形成保护膜层；
[0007]采用带有保护膜层的所述电子束标记进行对准，对所述待刻蚀器件进行第一次刻蚀；
[0008]采用去除保护膜层的所述电子束标记进行对准，对所述待刻蚀器件进行第二次刻蚀。
[0009]可选地，在待刻蚀器件上形成电子束标记包括：
[0010]在所述待刻蚀器件上形成电子束胶；
[0011]对所述电子束胶进行曝光和显影，以形成电子束标记图形掩膜；
[0012]依据所述电子束标记图形掩膜，对所述待刻蚀器件进行刻蚀，并去除所述电子束标记图形掩膜，形成电子束标记。
[0013]可选地，采用带有保护膜层的所述电子束标记进行对准，对所述待刻蚀器件进行第一次刻蚀之前，包括：
[0014]在所述待刻蚀器件上形成光刻胶膜层；
[0015]对所述光刻胶膜层进行曝光和显影，去除所述电子束标记区域以外的光刻胶膜层，保留所述电子束标记区域的光刻胶膜层作为保护膜层。
[0016]可选地，采用带有保护膜层的所述电子束标记进行对准，对所述待刻蚀器件进行第一次刻蚀包括：
[0017]在所述待刻蚀器件上形成电子束胶膜层，所述电子束胶膜层覆盖所述保护膜层和待刻蚀器件裸露的表面；
[0018]采用带有保护膜层的所述电子束标记进行对准，对所述电子束胶进行曝光和显影，形成第一次刻蚀掩膜；
[0019]依据第一次刻蚀掩膜，对所述待刻蚀器件进行刻蚀。
[0020]可选地，采用带有保护膜层的所述电子束标记进行对准，对所述电子束胶进行曝光和显影，形成第一次刻蚀掩膜之后，还包括：
[0021]对所述保护膜层进行去除，并剥离所述保护膜层对应区域的电子束胶。
[0022]可选地，对所述保护膜层进行去除包括：采用对所述保护膜层材料和与所述电子束胶具有选择性的溶剂对所述保护膜层进行去除。
[0023]可选地，依据第一次刻蚀掩膜，对所述待刻蚀器件进行刻蚀之后包括：
[0024]对所述保护膜层和所述第一次刻蚀掩膜进行去除，以裸露所述待刻蚀器件的表面。
[0025]可选地，对所述保护膜层和所述第一次刻蚀掩膜进行去除包括：
[0026]对所述第一次刻蚀掩膜进行去除，以裸露保护膜层和所述待刻蚀器件的表面；
[0027]对所述保护膜层进行去除。
[0028]可选地，对所述保护膜层和所述第一次刻蚀掩膜进行去除包括：
[0029]对所述保护膜层进行去除，并剥离与所述保护膜层所在区域对应的第一次刻蚀掩膜；
[0030]对剩余的第一次刻蚀掩膜进行去除。
[0031]可选地，采用去除保护膜层的所述电子束标记进行对准，对所述待刻蚀器件进行第二次刻蚀包括：
[0032]在所述待刻蚀器件的裸露表面上形成电子束胶膜层；
[0033]采用所述电子束标记进行对准后，对所述电子束胶进行曝光和显影，以形成第二次刻蚀掩膜；
[0034]依据所述第二次刻蚀掩膜，对所述待刻蚀器件进行刻蚀。
[0035]在本专利技术提供的技术方案中，通过对电子束标记的保护，避免了在第一次刻蚀的过程中对电子束标记产生的损害，从而，在多次刻蚀过程中，使用同一个电子束标记，从而，避免了重复制备电子束标记的过程中产生的误差，能够有效的降低整体的工艺误差，提高器件质量。
附图说明
[0036]图1为本专利技术一实施例电子束套刻方法的流程图；
[0037]图2为本专利技术另一实施例电子束套刻方法形成电子束标记的流程图；
[0038]图3为本专利技术另一实施例电子束套刻方法形成保护膜层的流程图；
[0039]图4为本专利技术另一实施例电子束套刻方法第一次刻蚀的流程图；
[0040]图5为本专利技术另一实施例电子束套刻方法第二次刻蚀的流程图。
具体实施方式
[0041]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅
仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0042]本专利技术实施例提供一种电子束套刻方法，如图1所示，所述方法包括：
[0043]步骤100，在待刻蚀器件上形成电子束标记；
[0044]在一些实施例中，电子束标记是指在待刻蚀器件上形成的图形，通常情况下，是采用刻蚀的方式形成的。
[0045]步骤200，在所述电子束标记区域形成保护膜层；
[0046]在一些实施例中，保护膜层是覆盖了电子束标记附近的区域的膜层。在一些优选的实施方式中，该膜层应当与刻蚀过程中采用的掩膜材料不同。例如，掩膜材料采用电子束胶时，保护膜层可以采用光刻胶。在掩膜的曝光和显影过程中会对掩膜材料同样形成曝光，不同的材料曝光条件不同，采用与掩膜材料不同的材料能够在掩膜材料的曝光和显影过程中使保护膜层不受影响。
[0047]步骤300，采用带有保护膜层的所述电子束标记进行对准，对所述待刻蚀器件进行第一次刻蚀；
[0048]在一些实施例中，在第一次刻蚀过程中，包括了第一次刻蚀掩膜的曝光和显影过程，采用带有保护膜层的电子束标记进行对准并进行曝光和显影，在后续的刻蚀过程中，将不会对电子束标记造成损伤。
[0049]步骤400，采用去除保护膜层的所述电子束标记进行对准，对所述待刻蚀器件进行第二次刻蚀。
[0050]在一些实施例中，由于保护膜层的存在，在第一次刻蚀过程中，不会对电子束标记造成损伤，在去除保护膜层以后，电子束标记将仍为完好的电子束标记。因此，第二次刻蚀过程仍采用同一电子束标记进行曝光和显影的对准。
[0051]在本专利技术实施例提供的技术方案中，通过对电子束标记的保护，避免了在第一次刻蚀的过程中对电子本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子束套刻方法，其特征在于，所述方法包括：在待刻蚀器件上形成电子束标记；在所述电子束标记区域形成保护膜层；采用带有保护膜层的所述电子束标记进行对准，对所述待刻蚀器件进行第一次刻蚀；采用去除保护膜层的所述电子束标记进行对准，对所述待刻蚀器件进行第二次刻蚀。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在待刻蚀器件上形成电子束标记包括：在所述待刻蚀器件上形成电子束胶；对所述电子束胶进行曝光和显影，以形成电子束标记图形掩膜；依据所述电子束标记图形掩膜，对所述待刻蚀器件进行刻蚀，并去除所述电子束标记图形掩膜，形成电子束标记。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用带有保护膜层的所述电子束标记进行对准，对所述待刻蚀器件进行第一次刻蚀之前，包括：在所述待刻蚀器件上形成光刻胶膜层；对所述光刻胶膜层进行曝光和显影，去除所述电子束标记区域以外的光刻胶膜层，保留所述电子束标记区域的光刻胶膜层作为保护膜层。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用带有保护膜层的所述电子束标记进行对准，对所述待刻蚀器件进行第一次刻蚀包括：在所述待刻蚀器件上形成电子束胶膜层，所述电子束胶膜层覆盖所述保护膜层和待刻蚀器件裸露的表面；采用带有保护膜层的所述电子束标记进行对准，对所述电子束胶进行曝光和显影，形成第一次刻蚀掩膜；依据第一次刻蚀掩膜，对所述待刻蚀器件进行刻蚀。5.根据权利要求4所述的方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：贺晓彬，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：