一种制程工艺气体的导流配件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种制程工艺气体的导流配件，包括配件主体，配件主体的轴向设有通孔，通孔的底部侧壁沿着配件主体的进气端倾斜向下延伸出一斜面。本实用新型专利技术在反应室下游炉腔出口处增加配件主体后，反应室炉腔上下方工艺气体的对流现象减轻，工艺气体反应产生的粉尘颗粒通过配件主体上的斜面被排气口排出，沉积现象减轻。积现象减轻。积现象减轻。

【技术实现步骤摘要】
一种制程工艺气体的导流配件


[0001]本技术涉及化学气相沉积(CVD)工艺制程中所用到的配件，特别涉及一种制程工艺气体的导流配件。

技术介绍

[0002]在化学气相沉积(CVD)当中需要向反应室内通入制程工艺气体。工艺气体反应炉腔为石墨配件组合而成的水平直通式炉腔。工艺气体在高温炉腔反应后通过炉腔下游出口排向反应室下游。反应室排气口不位于高温反应炉腔下游出口的正下方，反应室排气口与反应炉腔下游出口相距26cm左右并且高低落差13cm左右。反应室下游上方的工艺气体流速与下方的工艺气体流速不一致，上方工艺气体流速慢、下方工艺气体流速快，容易使上下方工艺气体形成对流。因反应室排气口与反应炉腔下游出口有高低落差的原因，工艺气体经高温炉腔制程反应后形成的粉尘颗粒容易堆积在反应炉腔下游出口的下方。
[0003]对流和粉尘堆积可能使得在反应室下游的粉尘颗粒因上下方工艺气体的对流重新进入炉腔内，引起晶片生长的缺陷。

技术实现思路

[0004]为了克服现有技术中存在的缺点和不足，本技术的目的在于提供一种制程工艺气体的导流配件。
[0005]本技术的目的通过下述技术方案实现：一种制程工艺气体的导流配件，包括配件主体，所述配件主体的轴向设有通孔，所述通孔的底部侧壁沿着所述配件主体的进气端倾斜向下延伸出一斜面。斜面可以使得工艺气体在排出并被排气口吸取的过程中可沿配件斜面流动。工艺气体反应产生的粉尘颗粒也可通过配件斜面流动从而被排气口吸取。从而减轻反应室上下方工艺气体对流和工艺气体反应物的沉积。配件上半部分对应炉腔上壁做相应的延伸突出，以减轻工艺气体在炉腔反应后通过高温反应炉腔下游出口时工艺气体的喷射扰动。
[0006]作为本技术制程工艺气体的导流配件的一种改进，所述斜面的上端位于所述通孔的底部侧壁的中间位置。
[0007]作为本技术制程工艺气体的导流配件的一种改进，所述斜面的斜度在30度
‑
70度之间。斜面的最佳斜度为45度，斜面能够一定程度的降低反应炉腔下游出口的气体的流速，使反应炉腔上下游出口的气体流速差更小，斜面的斜度也可以根据反应炉腔上下游出口的气体流速的差值大小进行斜度设置。
[0008]作为本技术制程工艺气体的导流配件的一种改进，所述通孔呈长方形。通孔的形状与排气孔的形状相同，大小相同，配件主体对接排气管道时，通孔与所述排气孔连通。
[0009]作为本技术制程工艺气体的导流配件的一种改进，还包括套筒，所述套筒内设有限位套，所述配件主体穿入所述套筒内、并用所述限位套抵顶限位。
[0010]作为本技术制程工艺气体的导流配件的一种改进，还包括排气管道，所述排气管道的轴向设有排气孔，所述排气孔呈长方形。
[0011]作为本技术制程工艺气体的导流配件的一种改进，所述配件主体的出气端对接在所述排气管道的进气端，所述通孔与所述排气孔连通。
[0012]作为本技术制程工艺气体的导流配件的一种改进，所述配件主体呈圆柱形，所述配件主体为石英材料构件。
[0013]作为本技术制程工艺气体的导流配件的一种改进，所述斜面对应反应炉腔下游出口位置设置。
[0014]本技术的有益效果在于：本技术在反应室下游炉腔出口处增加配件主体后，反应室炉腔上下方工艺气体的对流现象减轻，工艺气体反应产生的粉尘颗粒通过配件主体上的斜面被排气口排出，沉积现象减轻。
附图说明
[0015]图1是本技术的立体图；
[0016]图2是本技术的分解示意图；
[0017]附图标记为：1、配件主体2、通孔3、斜面4、套筒5、限位套6、排气管道7、排气孔
具体实施方式
[0018]下面将结合本技术实施例中的附图对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0019]需要说明，本技术实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后
……
)仅用于解释某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
[0020]另外，在本技术中涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本技术要求的保护范围内。
[0021]如图1和图2所示，一种制程工艺气体的导流配件，包括配件主体1，配件主体1的轴向设有通孔2，通孔2的底部侧壁沿着配件主体1的进气端倾斜向下延伸出一斜面4。斜面4可以使得工艺气体在排出并被排气口吸取的过程中可沿配件斜面流动。工艺气体反应产生的粉尘颗粒也可通过配件斜面流动从而被排气口吸取。从而减轻反应室上下方工艺气体对流和工艺气体反应物的沉积。配件上半部分对应炉腔上壁做相应的延伸突出，以减轻工艺气体在炉腔反应后通过高温反应炉腔下游出口时工艺气体的喷射扰动。
[0022]优选的，斜面3的上端位于通孔2的底部侧壁的中间位置。
[0023]优选的，斜面3的斜度在30度
‑
70度之间。斜面3的最佳斜度为45度，斜面能够一定
程度的降低反应炉腔下游出口的气体的流速，使反应炉腔上下游出口的气体流速差更小，斜面3的斜度也可以根据反应炉腔上下游出口的气体流速的差值大小进行斜度设置。
[0024]优选的，通孔2呈长方形。通孔2的形状与排气孔的形状相同，大小相同，配件主体对接排气管道时，通孔与排气孔连通。
[0025]优选的，还包括套筒4，套筒4内设有限位套5，配件主体1穿入套筒4内、并用限位套5抵顶限位。
[0026]优选的，还包括排气管道6，排气管道6的轴向设有排气孔7，排气孔7呈长方形。
[0027]优选的，配件主体1的出气端对接在排气管道6的进气端，通孔2与排气孔7连通。
[0028]优选的，配件主体1呈圆柱形，配件主体1为石英材料构件。圆柱形的配件主体1与套筒4的形状相同，方便装配。
[0029]作为本技术制程工艺气体的导流配件的一种改进，斜面对应反应炉腔下游出口位置设置。
[0030]尽管已经示出和描述了本技术的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本技术的原理和结构的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本技术的范围由所附权利要求及其等同范围限定。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制程工艺气体的导流配件，其特征在于，包括配件主体，所述配件主体的轴向设有通孔，所述通孔的底部侧壁沿着所述配件主体的进气端倾斜向下延伸出一斜面。2.根据权利要求1所述的制程工艺气体的导流配件，其特征在于，所述斜面的上端位于所述通孔的底部侧壁的中间位置。3.根据权利要求1所述的制程工艺气体的导流配件，其特征在于，所述斜面的斜度在30度
‑
70度之间。4.根据权利要求1所述的制程工艺气体的导流配件，其特征在于，所述通孔呈长方形。5.根据权利要求1所述的制程工艺气体的导流配件，其特征在于，还包括套筒，所述套筒内设...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏年勇，张仲若，李迅，王飞，
申请(专利权)人：广东天域半导体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：