多层聚酰亚胺薄膜制造技术

多层聚酰亚胺薄膜(10)具有非热塑性聚酰亚胺层(11)和在非热塑性聚酰亚胺层(11)的至少单面配置的热塑性聚酰亚胺层(12)。非热塑性聚酰亚胺层(11)中所含的非热塑性聚酰亚胺具有四羧酸二酐残基和二胺残基。二胺残基包括具有联苯骨架的二胺残基、4,4

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】多层聚酰亚胺薄膜


[0001]本专利技术涉及多层聚酰亚胺薄膜。

技术介绍

[0002]近年来，随着以智能手机、平板电脑、笔记本电脑等为中心的电子产品的需求扩大，挠性印刷电路板(以下，有时记载为“FPC”)的需求增长。其中，使用包含热塑性聚酰亚胺层作为粘接层的多层聚酰亚胺薄膜作为材料的挠性印刷电路板由于耐热性、弯曲性优异，因此需求有待进一步增长。此外，近年来，电子设备的轻量化、小型化、薄膜化不断发展，FPC布线的微细化的要求依然强烈。
[0003]在制作微细双面FPC或多层FPC时，通常使用在聚酰亚胺薄膜的两面贴合铜箔等金属箔而成的覆金属层叠板作为材料。在FPC制造中，有首先开设用于进行层间导通的孔(以下，有时记载为“通孔”)的工序。通过对通孔的内壁实施镀覆而使布线板的两面导通。在通孔形成工序中，有利用钻头或激光在两面的金属箔和绝缘层(聚酰亚胺层)开设贯通孔的通孔法、和利用激光等切削一面的金属箔和绝缘层而留下另一面的金属箔的盲孔法，尤其在微细FPC中，为了有效地使用面积，高频率地采用盲孔法。
[0004]以往，在这样的通孔形成工序中，为了在开孔后对孔的内部、金属箔表面进行清洁化或去除树脂的残渣，进行在加热下用碱性高锰酸钾水溶液等对层叠板进行处理的湿式除污处理。聚酰亚胺原本在碱性条件下容易水解，但在进行了激光加工的情况下由于受到局部的加热而产生残留应力，因此在通孔形成工序后的除污处理中，在通孔内壁容易产生裂纹等缺陷。在专利文献1中记载了在激光加工与除污处理之间追加热处理工序，去除在激光加工中产生的残留应力，抑制缺陷的产生的方法。专利文献2中公开了对显影工序、蚀刻处理工序以及抗蚀剂剥离工序中使用的碱性溶液具有耐受性的聚酰亚胺。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：日本特开2012
‑
186377号公报
[0008]专利文献2：日本特开2017
‑
179148号公报

技术实现思路

[0009]专利技术要解决的问题
[0010]因激光加工后的除污处理而在通孔内壁产生的裂纹在镀覆处理后的工序中，成为使镀覆部分变形、连接可靠性降低的原因，或者成为由于化学溶液侵入裂纹内而使绝缘可靠性降低的原因，因此对品质造成不良影响。裂纹在形成盲孔时比在形成贯通孔时更容易产生。需要说明的是，通过本专利技术人等的研究判明：在激光加工后不进行除污处理而利用蚀刻等去除金属箔的情况下、在不进行激光加工而去除金属箔的状态下进行除污处理的情况下，不会产生裂纹。另外，通过本专利技术人等的研究判明：在激光加工后的除污处理中，若延长溶胀时间和粗糙化时间，则变得容易产生裂纹。
[0011]作为用于抑制裂纹产生的方法，如果采用专利文献1中公开的在激光加工与除污处理之间追加热处理工序这样的方法，由于额外增加了热处理工序，因此导致电路板的生产率降低。另外，专利文献1所记载的方法对于抑制通孔内壁的裂纹的产生还存在改进的余地。
[0012]另外，专利文献2中记载的方法虽能够抑制碱性环境下薄膜的破裂，但对于抑制通孔内壁的裂纹的产生还存在改进的余地。
[0013]本专利技术是鉴于这些问题而完成的，其目的在于提供在激光加工后的除污处理时能够抑制通孔内壁的裂纹的产生的多层聚酰亚胺薄膜。
[0014]用于解决问题的方案
[0015]在激光加工后的除污处理时，为了抑制通孔内壁的裂纹的产生，重要的是缓和激光加工时在聚酰亚胺薄膜中产生的应力。另一方面，如果使用包含大量柔软骨架的聚酰亚胺薄膜，则容易缓和应力，但那样的聚酰亚胺与贴合的金属相比线膨胀系数变得非常大，因此在与金属箔的贴合时会产生翘曲或褶皱。本专利技术人等进行了深入研究，结果发现，通过采用具有特定结构的聚酰亚胺作为用作多层聚酰亚胺薄膜的芯材而使用的非热塑性聚酰亚胺，能够确保与金属同等程度的线膨胀系数，并且能够缓和激光加工时在聚酰亚胺薄膜中产生的应力。
[0016]本专利技术的多层聚酰亚胺薄膜具有非热塑性聚酰亚胺层和在所述非热塑性聚酰亚胺层的至少单面配置的热塑性聚酰亚胺层。所述非热塑性聚酰亚胺层中所含的非热塑性聚酰亚胺具有四羧酸二酐残基和二胺残基。所述二胺残基包括具有联苯骨架的二胺残基、4,4
’‑
二氨基二苯基醚残基和对苯二胺残基。相对于构成所述非热塑性聚酰亚胺的全部二胺残基，所述具有联苯骨架的二胺残基的含有率为20摩尔％以上且35摩尔％以下。
[0017]在本专利技术的一个实施方式的多层聚酰亚胺薄膜中，所述具有联苯骨架的二胺残基为4,4
’‑
二氨基
‑
2,2
’‑
二甲基联苯残基。
[0018]在本专利技术的一个实施方式的多层聚酰亚胺薄膜中，相对于构成所述非热塑性聚酰亚胺的全部二胺残基，所述4,4
’‑
二氨基二苯基醚残基的含有率为40摩尔％以上且70摩尔％以下。
[0019]在本专利技术的一个实施方式的多层聚酰亚胺薄膜中，相对于构成所述非热塑性聚酰亚胺的全部二胺残基，所述对苯二胺残基的含有率为5摩尔％以上且50摩尔％以下。
[0020]在本专利技术的一个实施方式的多层聚酰亚胺薄膜中，所述四羧酸二酐残基包括选自由3,3
’
,4,4
’‑
联苯四羧酸二酐残基和均苯四甲酸二酐残基组成的组中的一种以上。
[0021]在本专利技术的一个实施方式的多层聚酰亚胺薄膜中，所述四羧酸二酐残基还包括4,4
’‑
氧双邻苯二甲酸酐残基。
[0022]在本专利技术的一个实施方式的多层聚酰亚胺薄膜中，相对于构成所述非热塑性聚酰亚胺的全部四羧酸二酐残基，所述4,4
’‑
氧双邻苯二甲酸酐残基的含有率为5摩尔％以上且15摩尔％以下。
[0023]在本专利技术的一个实施方式的多层聚酰亚胺薄膜中，所述热塑性聚酰亚胺层中所含的热塑性聚酰亚胺具有选自由3,3
’
,4,4
’‑
联苯四羧酸二酐残基和均苯四甲酸二酐残基组成的组中的一种以上和2,2
‑
双[4
‑
(4
‑
氨基苯氧基)苯基]丙烷残基。
[0024]在本专利技术的一个实施方式的多层聚酰亚胺薄膜中，所述非热塑性聚酰亚胺层在温
度为380℃下的储能模量小于0.350GPa。
[0025]在本专利技术的一个实施方式的多层聚酰亚胺薄膜中，所述非热塑性聚酰亚胺层在温度为100℃至200℃下的升温时线膨胀系数为5.0ppm/K以上且19.0ppm/K以下。
[0026]专利技术的效果
[0027]根据本专利技术的多层聚酰亚胺薄膜，能够在激光加工后的除污处理时抑制通孔内壁的裂纹的产生而在电路板的制造工序中不增加工时。
附图说明
[0028]图1是表示本专利技术的多层聚酰亚胺薄膜的一个例子的截面图。
[0029]图2是表示使用本专利技术的多层聚酰亚胺薄膜的一个例子得到的覆金属层叠板的截面图。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种多层聚酰亚胺薄膜，其中，所述多层聚酰亚胺薄膜具有非热塑性聚酰亚胺层和在所述非热塑性聚酰亚胺层的至少单面配置的热塑性聚酰亚胺层，所述非热塑性聚酰亚胺层中所含的非热塑性聚酰亚胺具有四羧酸二酐残基和二胺残基，所述二胺残基包括具有联苯骨架的二胺残基、4,4
’‑
二氨基二苯基醚残基和对苯二胺残基，相对于构成所述非热塑性聚酰亚胺的全部二胺残基，所述具有联苯骨架的二胺残基的含有率为20摩尔％以上且35摩尔％以下。2.根据权利要求1所述的多层聚酰亚胺薄膜，其中，所述具有联苯骨架的二胺残基为4,4
’‑
二氨基
‑
2,2
’‑
二甲基联苯残基。3.根据权利要求1或2所述的多层聚酰亚胺薄膜，其中，相对于构成所述非热塑性聚酰亚胺的全部二胺残基，所述4,4
’‑
二氨基二苯基醚残基的含有率为40摩尔％以上且70摩尔％以下。4.根据权利要求1～3中任一项所述的多层聚酰亚胺薄膜，其中，相对于构成所述非热塑性聚酰亚胺的全部二胺残基，所述对苯二胺残基的含有率为5摩尔％以上且50摩尔％以下。5.根据权利要求1～4中任一项所述的多层聚酰亚胺薄膜，其中，所述四羧酸二酐残基包括选自由3,3
’
,4,...

【专利技术属性】
技术研发人员：秋永隆宏，斋藤隼平，
申请(专利权)人：株式会社钟化，
类型：发明
国别省市：