光掩模、光掩模制造方法以及光掩模缺陷修正方法技术

光掩模缺陷修正方法、光掩模制造方法、相移掩模制造方法、光掩模、相移掩模、光掩模组以及图案转印方法。在第１光掩模（１）所形成的第１转印图案中产生的图案缺陷（４、５）中，仅对如下区域中的缺陷（４）进行修正，即进行使用第１光掩模（１）对被转印体进行的转印、和与第１光掩模（１）组合使用向同一被转印体转印第２转印图案的第２光掩模对被转印体进行的转印这两者时，在被转印体上第１转印图案所包含的图案中，通过第２转印图案的转印而不形成图案的区域之外的区域。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在利用投影曝光装置来转印大规模集成电路(LSI)等的精细图案时所使用的光掩模的制造方法，尤其涉及容易地对光掩模进行 缺陷修正的方法、相移掩模的制造方法、相移掩模、光掩模组以及图案 转印方法。
技术介绍
一直以来，伴随着大规模集成电路(LSI)的高集成化以及电路图案的 精细化，在光刻工艺中作为超解像技术提出了相移掩模，并已实际应用。 由于相移掩模有利于解像性能和焦点深度，所以主要用于具有精细图案 的半导体器件的制造中。关于相移掩模，提出了利文森(Levenson)型、边缘强调型、辅助 图案型、无铬型以及半色调型等各种各样的类型。对于相移掩模中的开口图案规则地重复的线隙(line and space)，交 替相移技术(alternating PSM、或利文森型相移掩模)是有用的。在该相移 掩模中，可以对透过邻接的透光部的光赋予180。前后的相位差，由此提 高解像性能。作为赋予相位差的层(移相器)，可对石英基板进行蚀刻，以 形成刻入部，或者使用透过曝光光的相移膜。例如，利文森型相移掩模构成为在透明基板上具有由铬等金属膜等 形成的遮光图案，在如线隙图案那样、遮光部和透光部反复存在的情况 下，构成为透过隔着遮光部邻接的透光部的透过光的相位相差180。。由于透过这些透光部的透过光的相位错开，所以可防止由于衍射光干涉而 导致的解像度降低，实现线隙图案的解像度提高。在这样的相移掩模中，在隔着遮光部邻接的透光部之间，对于波长 入的透过光，产生(这里，m为自然数)的光程差，因此在这些5透过光之间产生180。的相位差。在设隔着遮光部邻接的透光部间的透明基板的厚度差为d、透明基板的折射率为n时，只要使成立 即可产生这样的光程差。在相移掩模中，为了产生透光部间的透明基板的厚度差，在一方的 透光部中在透明基板上覆盖透明薄膜以增加厚度，或者在一方的透光部 中对透明基板进行挖刻以减小厚度。即，在透明基板上覆盖有透明薄膜 的移相器覆盖型(凸部型)相移掩模的相移部被厚度《=入(2m-l)/2n)的透 明薄膜(移相器)覆盖。另外，在对透明基板进行挖刻的挖刻型相移掩模的 相移部中，对透明基板进行深度d(-A(2m-l)/2n)的刻蚀。另外，既没有覆 盖透明薄膜又没有进行挖刻的透光部是非相移部，或者在透光部具有浅 挖刻部和深挖刻部的情况下，浅挖刻部为非相移部。在使用这样的相移掩模时，有时需要对被转印体上的光致抗蚀剂层 的同一位置进行两次曝光。基本上为了消除由第一次曝光产生的无用图 案、或在第一次曝光所形成的图案上赋予追加图案，而进行第二次曝光。在日本特开平11-260699号公报(专利文献1)中记载了如下的技术，即 在通过多次曝光对正型抗蚀剂进行栅图案转印的图案形成方法中，使用 将元件区域及栅图案形成区域作为遮光部的掩模图案、和将从元件区域 中去除栅图案形成区域后的区域作为透光部的掩模图案，对具有这些掩 模图案的光掩模分别以最佳曝光条件进行重复曝光，由此来形成抗蚀剂 图案。即，在专利文献l中公开了利用第二掩模来消除由相移掩模产生的 转印图案的一部分。作为上述例子，例如当使用利文森型相移掩模来对被转印体上的正 型抗蚀剂膜转印线隙时，在移相器产生的线的终端部，由于不期望的相 位边界而形成无用的线。为了消除这种无用的线，考虑了使用修整掩模 来进行第二次曝光(修整曝光)。但是，在相移掩模中也与其他掩模一样，无法完全避免在制作时产 生图案的形状缺陷。这些缺陷包括在透明基板上形成的遮光膜欠缺的 缺陷、在透明基板上产生的不透明缺陷、或者在相移区域中产生的移相 器欠缺及移相器的位置偏差等的相位缺陷等。这样的缺陷在能够修正时进行修正，在不能修正时，则整个掩模都不能使用。这些缺陷的容许范围受使用掩模而获得的器件的性能限制。 一般地， 缺陷的容许范围根据掩模的用途而决定为与一种掩模相对应的规格。艮P， 针对一种掩模，缺陷规格根据其领域而不同。因此，基本上需要对相移 掩模图案上的缺陷全部进行检查并进行修正，以满足所要求的规格。另一方面，当前，使用光刻技术形成的半导体器件的电路有越来越 精细的倾向，与此相伴，容许的缺陷范围也越来越小。在无法完全避免 相移掩模中发生缺陷的状况下，缺陷检査以及修正工艺成为生产高效率 化的阻碍，另外期望比以往进一步提高成品率。
技术实现思路
因此，本专利技术是鉴于前述情况而提出的，其目的是提供相移掩模缺 陷修正方法以及相移掩模制造方法，该相移掩模缺陷修正方法以及相移 掩模制造方法可实现相移掩模中的缺陷检查以及修正工艺的高效率化， 可实现掩模生产中的成品率的提高以及稳定，另外，还提供经由这样的 修正而制造的相移掩模以及光掩模组。此外，在为了得到通过使用相移掩模而实现的解像度的解像力以及 焦点深度而对多重曝光(使用多个光掩模对同一被转印体依次转印图案， 由此对一个光掩模所无法解像的精细图案进行解像)及多重构图(使用多 个光掩模对同一被转印体依次进行图案加工，由此获得比一次的基于光 掩模的光刻工艺更高的加工精度)的方法进行研究时，专利技术人认识到在这 些方法中，效率高、成品率良好的缺陷修正方法也是未解决的课题。从 而本专利技术的目的还在于解决这些问题。为了解决前述问题并实现上述目的，本专利技术具有以下结构的任意一 个结构。本专利技术的光掩模缺陷修正方法的特征是，在光掩模上形成的第l转印 图案中产生的图案缺陷中，仅对如下区域中的图案缺陷进行缺陷修正， 该区域是在进行使用光掩模对被转印体进行的转印、和与光掩模相组合地使用向同一被转印体转印第2转印图案的另一光掩模而对被转印体进行的转印这二者时，在被转印体上第l转印图案所包含的图案中，通过第2转印图案的转印而不形成图案的区域之外的区域。在具有结构l的光掩模缺陷修正方法中，其特征是第l转印图案包含相移图案，该相移图案具有在透明基板上形成的挖刻部。在具有结构1或结构2的光掩模缺陷修正方法中，其特征是第1和第2转印图案中的一个转印图案消除由另一个转印图案在被转印体上形成的无用图案。在具有结构1至结构3中任意一项的光掩模缺陷修正方法中，其特征是关于第1和第2转印图案，其中一个转印图案向被转印体的转印提高把另一个转印图案转印到被转印体上时的解像度。本专利技术的光掩模制造方法的特征是，包含基于结构1至结构4中任意一项的光掩模缺陷修正方法的缺陷修正工序。本专利技术的相移掩模制造方法是通过在透明基板上具有分别实施了规定的构图的遮光层以及移相器层、从而具有包含非相移透光部、相对于非相移透光部使曝光光的相位大致反转180。后透过的相移部以及遮光部的相移掩模图案的相移掩模的制造方法，该相移掩模制造方法的特征是具有在遮光层以及移相器层的构图之后对形成的相移掩模图案进行缺陷修正的缺陷修正工序，在缺陷修正工序中，确定相移掩模图案的图案缺陷的位置，并且对于使用相移掩模进行相移掩模图案转印的被转印体，参照该转印前或转印后进行转印的修整掩模的修整掩模图案的数据，在已确定位置的图案缺陷中，仅修正处于以下区域中的图案缺陷，该区域是通过修整掩模图案的转印而不在被转印体上形成图案的区域之外的区域。本专利技术的光掩模的特征在于，在形成有第l转印图案的光掩模中，在第l转印图案中产生的图案缺陷中，仅对如下区域中的图案缺陷进行缺陷修正，该区域是在进行使用光掩模对本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光掩模缺陷修正方法，其特征在于，　在上述光掩模上形成的第１转印图案中产生的图案缺陷中，仅对如下区域中的图案缺陷进行缺陷修正，所述区域是：进行使用上述光掩模对被转印体进行的转印、和与上述光掩模组合使用向同一被转印体转印第２转印图案的 第２光掩模对上述被转印体进行的转印这两者时，在上述被转印体上第１转印图案所包含的图案中，通过第２转印图案的转印而不形成图案的区域之外的区域。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：须田秀喜，
申请(专利权)人：HOYA株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]