一种倒装CSP封装结构及方法技术

发明专利技术公开一种倒装CSP封装结构及方法，倒装CSP封装结构包括荧光胶层、第一金属焊接片、第二金属焊接片和LED芯片，第一金属焊接片、第二金属焊接片和LED芯片均设置于荧光胶层的封装面，LED芯片放置在第一金属焊接片和第二金属焊接片共同围成的放置区域中，将LED芯片的两个焊盘焊接在两端的第一金属焊接片、第二金属焊接片上，形成一个上面和四周覆盖有荧光胶层、底部露出由第一金属焊接片和第二金属焊接片组成的加大型焊盘的CSP封装结构，具有较大焊接面积，方便焊接，提高良率，由于第一金属焊接片和第二金属焊接片的加强作用，在后续受到焊接时能承受更大的外界应力，且LED芯片与金属焊接片之间只有金属焊料，热阻小，还兼具高导热性和高可靠性。导热性和高可靠性。导热性和高可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种倒装CSP封装结构及方法


[0001]本专利技术涉及LED封装
，尤其涉及一种倒装CSP封装结构及方法。

技术介绍

[0002]CSP(Chip Scale Package，芯片级封装)为最新一代的内存芯片封装技术。基于CSP封装LED，能有效减小封装尺寸，降低成本，目前得到广泛应用。
[0003]LED在发光过程中，会产生一定热量，如热量传导不出去，会导致LED的工作温度变高，影响LED的发光效率和使用寿命。所以目前的CSP封装结构为了提高热传导性能，直接将芯片电极与电路板焊接，但是由于芯片电极较小，这种方式的良率较低，焊接面积小，受外力作用下容易脱焊，可靠性较低。

技术实现思路

[0004]本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术的目的在于提供一种倒装CSP封装结构及方法，以解决现有技术中CSP封装结构无法兼具高导热性、高良率和高可靠性等问题。
[0005]为达到上述目的，本专利技术采用如下技术方案：
[0006]第一方面，本申请实施例提供一种倒装CSP封装结构，包括荧光胶层、第一金属焊接片、第二金属焊接片和LED芯片；
[0007]所述荧光胶层的底面为封装面；
[0008]所述第一金属焊接片、第二金属焊接片和LED芯片均设置于所述封装面，所述第一金属焊接片设有第一凹型部，所述第二金属焊接片设有第二凹型部，所述第一凹型部与所述第二凹型部的开口部分相对，并共同围成一放置区域，所述LED芯片放置于所述放置区域，所述LED芯片分别与所述第一金属焊接片、第二金属焊接片焊接。
[0009]在一些实施例中，在所述荧光胶层的底面朝下时，所述LED芯片底部的电极朝下，所述电极的自由端与所述第一金属焊接片、第二金属焊接片的底面同处一平面。
[0010]在一些实施例中，所述荧光胶层的封装面面积大于或等于所述第一金属焊接片与第二金属焊接片外缘所围面积。
[0011]在一些实施例中，所述第一凹型部与所述第二凹型部开口部分所围的放置区域面积大于或等于所述LED芯片的面积。
[0012]在一些实施例中，所述第一金属焊接片和第二金属焊接片在所述封装面处呈镜像对称布置，所述第一金属焊接片和第二金属焊接片之间最短间隔距离大于或等于所述LED芯片的两个焊盘之间间距。
[0013]在一些实施例中，所述LED芯片与所述第一金属焊接片、第二金属焊接片之间的焊接材料为锡、锡镍、锡银、锡锑中的一种，所述第一金属焊接片和第二金属焊接片的材料为铜、铁或表面覆有锡、银、铜的复合型材料。
[0014]第二方面，本申请实施例提供一种用于制备如上述倒装CSP封装结构的封装方法，
包括：
[0015]将金属薄膜平铺于粘覆有双面胶层的平面载板，在金属薄膜上形成阵列式布置的多个间隔的封装区域，每个封装区域内包括间隔布置的第一金属焊接片和第二金属焊接片；
[0016]将LED芯片放置在每个封装区域的放置区域中，并粘覆在双面胶层上，所述放置区域由开口部分相对的所述第一金属焊接片的第一凹型部和所述第二金属焊接片的第二凹型部共同围成；
[0017]将半固态的荧光胶层覆盖在LED芯片、第一金属焊接片和第二金属焊接片上，进行真空压合固化；
[0018]将固化后的荧光胶层翻转，将LED芯片、第一金属焊接片和第二金属焊接片朝上，分别将LED芯片上的两个焊盘与所述第一金属焊接片和第二金属焊接片焊接；
[0019]沿着封装区域之间的间隙切割开，得到多个粘在所述平面载板上的封装结构，利用粘性胶膜将封装结构从平面载板上剥离。
[0020]在一些实施例中，在金属薄膜上形成阵列式布置的多个间隔的封装区域时：利用激光切割、模具冲切或者化学蚀刻的方式，在一张金属薄膜中，形成多组第一金属焊接片和第二金属焊接片，每一组第一金属焊接片和第二金属焊接片的开口部分相对。
[0021]在一些实施例中，在将LED芯片放置在每个封装区域的放置区域中之前：在所述第一金属焊接片和第二金属焊接片朝上一面覆上高反射率金属薄膜层或高反射率胶膜。
[0022]在一些实施例中，在将LED芯片放置在每个封装区域的放置区域中时，将LED芯片倒装在平面载板上，所述LED芯片的电极自由端与所述第一金属焊接片、第二金属焊接片的顶面同处一平面。
[0023]相比现有技术，本专利技术至少包括以下有益效果：
[0024]本申请实施例提供的倒装CSP封装结构及方法，将LED芯片的两个焊盘焊接在两端的第一金属焊接片、第二金属焊接片上，形成一个上面和四周覆盖有荧光胶层、底部露出由第一金属焊接片和第二金属焊接片组成的加大型焊盘的CSP封装结构，具有较大焊接面积，方便焊接，提高良率，由于第一金属焊接片和第二金属焊接片的加强作用，在后续受到焊接时能承受更大的外界应力，且LED芯片与金属焊接片之间只有金属焊料，热阻小，还兼具高导热性和高可靠性。
[0025]下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细说明。
附图说明
[0026]利用附图对本专利技术作进一步说明，但附图中的实施例不构成对本专利技术的任何限制，对于本领域的普通技术人员，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据以下附图获得其它的附图。
[0027]图1为在一个视角下倒装CSP封装结构的结构示意图。
[0028]图2为在另一个视角下倒装CSP封装结构的结构示意图。
[0029]图3是本实施例提供的一种CSP封装方法中将金属薄膜平铺于平面载板上的示意图。
[0030]图4是本实施例提供的一种CSP封装方法中在金属薄膜上形成封装区域的示意图。
[0031]图5是本实施例提供的一种CSP封装方法中将LED芯片放置在每个封装区域的放置区域中的示意图。
[0032]图6是本实施例提供的一种CSP封装方法中荧光胶层覆盖在平面载板上的示意图。
[0033]图7是本实施例提供的一种CSP封装方法中将荧光胶层翻转后的示意图。
[0034]图8是本实施例提供的一种CSP封装方法中将多个封装区域切割开的示意图。
[0035]图9是本实施例提供的一种CSP封装方法中将封装结构从平面载板上剥离后的示意图。
[0036]图10是本实施例提供的一种CSP封装方法中将封装结构倒模在粘膜上的示意图。
具体实施方式
[0037]下面将结合附图对本专利技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0038]在本专利技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种倒装CSP封装结构，其特征在于，包括荧光胶层、第一金属焊接片、第二金属焊接片和LED芯片；所述荧光胶层的底面为封装面；所述第一金属焊接片、第二金属焊接片和LED芯片均设置于所述封装面，所述第一金属焊接片设有第一凹型部，所述第二金属焊接片设有第二凹型部，所述第一凹型部与所述第二凹型部的开口部分相对，并共同围成一放置区域，所述LED芯片放置于所述放置区域，所述LED芯片分别与所述第一金属焊接片、第二金属焊接片焊接。2.如权利要求1所述的一种倒装CSP封装结构，其特征在于，在所述荧光胶层的底面朝下时，所述LED芯片底部的电极朝下，所述电极的自由端与所述第一金属焊接片、第二金属焊接片的底面同处一平面。3.如权利要求2所述的一种倒装CSP封装结构，其特征在于，所述荧光胶层的封装面面积大于或等于所述第一金属焊接片与第二金属焊接片外缘所围面积。4.如权利要求3所述的一种倒装CSP封装结构，其特征在于，所述第一凹型部与所述第二凹型部开口部分所围的放置区域面积大于或等于所述LED芯片的面积。5.如权利要求4所述的一种倒装CSP封装结构，其特征在于，所述第一金属焊接片和第二金属焊接片在所述封装面处呈镜像对称布置，所述第一金属焊接片和第二金属焊接片之间最短间隔距离大于或等于所述LED芯片的两个焊盘之间间距。6.如权利要求5所述的一种倒装CSP封装结构，其特征在于，所述LED芯片与所述第一金属焊接片、第二金属焊接片之间的焊接材料为锡、锡镍、锡银、锡锑中的一种，所述第一金属焊接片和第二金属焊接片的材料为铜、铁或表面覆有锡、银、铜的复合型材料。7.一种用于制备如权利要求1至6任一项所...

【专利技术属性】
技术研发人员：程胜鹏，程鹏，邵雪江，方晨曦，
申请(专利权)人：中山中思微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：