邻菲啰啉衍生物、有机电致发光器件及显示或照明装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了邻菲啰啉衍生物、有机电致发光器件和显示或照明装置。该有机电致发光器件中的电荷生成层和电子传输层中至少一者包含邻菲啰啉衍生物，其中，邻菲啰啉衍生物由下式1表示：本发明专利技术的有机电致发光器件具有优异的发光效率和降低的驱动电压。的驱动电压。的驱动电压。

【技术实现步骤摘要】
邻菲啰啉衍生物、有机电致发光器件及显示或照明装置


[0001]本专利技术涉及邻菲啰啉衍生物，更具体而言，涉及一种邻菲啰啉衍生物和包含其的有机电致发光器件。

技术介绍

[0002]发光器件是利用有机物质将电能转换为光能的器件，其包含在阳极和阴极之间可发光可能的有机物层的结构。有机电致发光器件可以形成多种结构，其重复数的发光部叠加的重叠(tendem)型有机电致发光器件的研究。在重叠(tendem)型有机发光器件中，在阳极和阴极之间，包含发光层的发光单元堆叠。
[0003]在邻近的发光部之间有电荷生成层，用于电荷的生成和移动。
[0004]电荷生成层需要低驱动电压和高效率。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的是提供一种邻菲啰啉衍生物，包含该衍生物的有机电致发光器件具有优异的效率和低的驱动电压。为了实现本专利技术的目的，本专利技术的技术方案如下：
[0006]本专利技术提供了一种邻菲啰啉衍生物，其结构式如式1所示：
[0007][0008]其中，Ar1和Ar2各自独立地选自取代或未取代的C12～C30邻菲啰啉衍生物，
[0009]其中所述邻菲啰啉衍生物由下式1
‑
1至1
‑
6中的任一者表示：
[0010][0011]其中，R1至R
16
各自独立地选自取代或未取代的氢、氘、卤素、烷基、C6～C30芳基和C5～C30杂芳基；
[0012]L选自单键、取代或未取代的C5～C30吡啶基。
[0013]优选地，其中所述邻菲啰啉衍生物为以下各项中任一者：
[0014][0015][0016]本专利技术进一步提供了一种有机电致发光器件，其包括：
[0017]第一电极；
[0018]第二电极；及
[0019]有机物层，其位于所述第一电极和所述第二电极之间；其中，
[0020]所述有机物层包括上述邻菲啰啉衍生物。
[0021]更优选地，其中所述有机物层为电荷生成层或电子传输层。
[0022]更优选地，其中所述电荷生成层为N型电荷生成层。
[0023]更优选地，其中所述N型电荷生成层可由金属或掺杂有n型的有机材料构成。
[0024]更优选地，其中所述金属选自Li、Na、K、Rb、Cs、Mg、Ca、Sr、Ba、La、Ce、Sm、Eu、Tb、Dy或Yb。
[0025]本专利技术又提供了一种有机电致发光器件，其包括：
[0026]第一电极；
[0027]第二电极；
[0028]第一发光层的第一发光部，其位于所述第一电极与所述第二电极之间；
[0029]第二发光层的第二发光部，其位于所述第二电极与所述第一发光部之间；及
[0030]第一电荷生成层，其位于所述第一发光部和所述第二发光部之间；
[0031]所述第一发光部、所述第二发光部或所述第一电荷生成层中至少一者包含上述邻
菲啰啉化合物。
[0032]本专利技术又提供了一种显示或照明装置，其包括上述有机电致发光器件。
[0033][0034][0035][0036][0037][0038][0039][0040][0041][0042][0043][0044]附图说明
[0045]图1是本专利技术实施例的有机电致发光器件的结构层图。
具体实施方式
[0046]本专利技术的另一个目的是将n型电荷生成层和p型电荷生成层之间的能量等级差异最小化为发光部提供能够提高电子注入 量的一种邻菲啰啉衍生物及包含该化合物有机发光器件。本专利技术的另一个目的是，即使n型电荷生成层被碱性金属掺杂时，提供了能将碱金属扩散到p型电荷生成层的现象最小 化的一种邻菲啰啉衍生物及包含其的有机电致发光器件。根据本专利技术提供了一种包含邻菲啰啉衍生物的有机电致发光器件，将n型电荷生成层和p型电荷生成层之间的能量等级 差异最小化，提高发光部的电子注入量，从而降低驱动电压和提高效率。根据本专利技术，n型电荷生成层被碱性金属掺杂情况下，碱金属为了牢牢地渗透到主化合物邻菲啰啉化合物中，将碱金属 向p型电荷生成层扩散的现象最小化，从而使有机发光素的器件。在式1中，邻菲啰啉衍生物包含四个氮原子，并在R1
‑
R16引入芳香族化合物和杂芳基，使氮原子的电子更加 丰富，因此更快的电子迁移率促进电子传输。此外，N型电荷生成层(N
‑
CGL)中包含sp2杂化轨道的氮，该 氮与作为N型电荷生成层掺杂的金属结合形成间隙状态(Gap state)。因此，电子可以通过间隙状态从P型电 荷生成层(P
‑
CGL)平滑地转移到N型电荷生成层(N
‑
CGL)。此外，通过在上述核心结构中引入各种取代基，可以合成具有引入的取代基的固有性质的化合物。例如， 制造有机电致发光器件使用的空穴注入层材料和空穴传输层材料沿着最高能级轨道轨道(HOMO)输送空穴的化 合物和阻挡从发光层沿最低能级轨道(LUMO)越过的电子的化合物。
特别是，该化合物的核心结构对电子具有稳定的特性，可以对提高器件寿命。可以制备具有适当的能量带 隙的用于电子传输层和空穴阻挡物质。此外，通过在核心结构中引入各种取代基，可以微调能带隙，同时改善有机材料之间的界面性质，使材料 的用途多样化。其中，电荷生成层(CG)包括P型电荷生成层(CGP)和N型电荷生成层(CGN)位于包括第一空穴传输层、第一发光层、第一 电子传输层的第一发光部和依次包括第二空穴传输层、第二发光层和第二电子传输层的第二发光部之间，由PN连接结构组 成，连接上述第一发光部和第二发光部。即，上述第一电子传输层上面PN接合结构，并提供包括P型电荷生成层(CGP)和N型电荷生成层(CGN)的电荷生成层， 上述N型电荷提供生成层材料可以使用根据本专利技术的由式1表示的菲咯啉的化合物。这里，N型电荷生成层向第一发光部的 第一电子传输层提供电子，第一电子传输层向第一发光层提供电子，P型电荷生成层为第二发光层是第二发光部的第二第二 空穴传输层提供空穴，第二空穴传输层是第二发光部提供空穴。这里，第一发光部的第一发光层；以及第二发光部分的第二发光层；每个可以包括相同或不同的主体和相同或不同的掺 杂剂。另外，在根据本专利技术实施例的有机电致发光器件中，空穴注入层(30)位于在阳极(20)和第一空穴传输层(40
‑
1)之间， 第二电子传输层(60
‑
2)位于电子注入层(70)和阴极(80)之间。所述的有机电致发光器件可以有多种变化。一些有机层可能被省略或增加，可能不是重叠结构，也可能是2个或4个以 上发光层的重叠。另外，有机电致发光器件可以包含电子传输和电子注入同时进行有机层，在这种情况下也可以使用本专利技术 的邻菲啰啉衍生物。实施例
[0047]本专利技术的有机电致发光器件的制备方法没有特殊的限制，除了使用式1所示的邻菲啰啉衍生物之外，其它采用本领域技术人员公知的发光器件的制备方法和材料制备得到即可。
[0048]实施例1：化本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.邻菲啰啉衍生物，其结构式如式1所示：其中，Ar1和Ar2各自独立地选自取代或未取代的C12～C30邻菲啰啉衍生物，其中所述邻菲啰啉衍生物由下式1
‑
1至1
‑
6中的任一者表示：其中，R1至R
16
各自独立地选自取代或未取代的氢、氘、卤素、烷基、C6～C30芳基和C5～C30杂芳基；L选自单键、取代或未取代的C5～C30吡啶基。2.根据权利要求1所述的邻菲啰啉衍生物，其中所述邻菲啰啉衍生物为以下各项中任一者：
3.有机电致发光器件，其包括：第一电极；第二电极；及有机物层，其位于所述第一电极和所述第二电极之间；其中，所述有机物层包括权利要求1或2所述的邻菲啰啉衍生物。4.根据权利要求3所述的有机电致发光器件，其中所述有机物层为电荷生成层或电子传输层。5....

【专利技术属性】
技术研发人员：赵晓宇，高春吉，
申请(专利权)人：浙江华显光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：