本申请涉及场效应管技术领域，具体公开一种具有防冲击结构的半导体场效应管，包括场效应管主体、可升降地设置在场效应管主体上的定位座和设置在场效应管主体上的引脚，场效应管主体上套设有防冲击装置，防冲击装置包括防冲击罩，防冲击罩与场效应管主体滑移连接，防冲击罩上设置有缓冲组件，缓冲组件包括导向杆和弹簧条，导向杆与防冲击罩滑移连接，弹簧条套设在导向杆上，弹簧条设置在场效应管主体和防冲击罩之间。在外力作用造成冲击时，外力作用在防冲击装置上，弹簧条受力形变后可以通过自身的弹力进行缓冲，防止场效应管主体受到外力冲击，从而避免场效应管主体造成损伤，本申请具有减小场效应管受外力冲击时造成损伤的效果。果。果。
【技术实现步骤摘要】
一种具有防冲击结构的半导体场效应管
[0001]本申请涉及场效应管
，尤其是涉及一种具有防冲击结构的半导体场效应管。
技术介绍
[0002]场效应管是现在电子技术的基本组成部分，也是历史上最频繁制造的器件，场效应管主要有两种类型，分别是结型场效应管和金属
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氧化物半导体场效应管，由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。单极型晶体管属于电压控制型半导体器件，其具有输入电阻高、噪声小、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，场效应管的应用范围也很广泛，场效应管可应用于放大，由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器，场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换，场效应管可以用作可变电阻，且可以方便地用作恒流源，同时场效应管可以用作电子开关。
[0003]场效应管属于精密型电子元器件，场效应管在受到外力冲击时容易对场效应管主体造成损坏，导致场效应管无法使用，常见的场效应管均缺少防冲击结构，因此存在有场效应管在受外力作用时易于损坏的问题。
技术实现思路
[0004]为了减小场效应管受外力冲击时造成损伤的现象，本申请提供一种具有防冲击结构的半导体场效应管。
[0005]本申请提供的一种具有防冲击结构的半导体场效应管采用如下的技术方案：一种具有防冲击结构的半导体场效应管，包括：场效应管主体；定位座，可升降地设置在所述场效应管主体上；引脚，设置在所述场效应管主体上，所述引脚设置在所述定位座相对的一侧；防冲击装置，设置在所述场效应管主体上，所述防冲击装置包括防冲击罩，所述防冲击罩与所述场效应管主体滑移连接，所述防冲击罩上设置有缓冲组件，所述缓冲组件包括导向杆和弹簧条，所述导向杆与所述防冲击罩滑移连接，所述弹簧条套设在所述导向杆上，所述弹簧条设置在所述场效应管主体和所述防冲击罩之间。
[0006]基于上述技术方案，在外力作用造成冲击时，外力作用在防冲击装置上，此时，防冲击罩与场效应管主体之间产生滑移运动，由于防冲击罩上设置有缓冲组件，因此会对外力所带来的冲击进行缓冲，在外力冲击时，减小场效应管主体受到的冲击；弹簧条固定在场效应管主体和防冲击罩之间，防冲击罩在运动时，弹簧条受力发生弹性形变，弹簧条受力形变后可以通过自身的弹力进行缓冲，防止场效应管主体受到外力冲击，从而避免场效应管主体造成损伤；导向杆设置在场效应管主体上，且导向杆贯穿在弹簧条之间，通过设置导向杆以对弹簧条的运动方向进行限制，避免弹簧条形变时的弹力方向发生偏移。
[0007]优选的，所述防冲击罩上开设有第一通孔，所述第一通孔的半径大于所述导向杆的半径。
[0008]基于上述技术方案，防冲击罩上开设有第一通孔，第一通孔的半径大于导向杆的半径，以便于导向杆相对防冲击罩滑移运动，同时对限位杆的滑移方向进行限定，通过保证导向杆和弹簧条的运动方向以实现场效应管主体免受冲击。
[0009]优选的，所述导向杆上设置有限位块，所述限位块与所述导向杆一体化设置，所述限位块位于所述防冲击罩的外侧，所述限位块的半径大于所述第一通孔的半径。
[0010]基于上述技术方案，导向杆的一端设置有限位块，限位块与限位杆一体化设置，以便于导向杆的安装，限位块位于防冲击罩的外侧，限位块的半径大于第一通孔的半径，导向杆在第一通孔内滑移时，限位块会卡在防冲击罩外侧，避免导向杆整体进入防冲击罩内时，导向杆的位置发生偏移；导向杆与场效应管主体之间的距离大于防冲击罩和场效应管主体之间的距离，从而在外力冲击作用下，导向杆可更好地承受冲击。
[0011]优选的，所述缓冲组件设置有两组，两组所述缓冲组件关于所述场效应管主体的中心线相对称设置。
[0012]基于上述技术方案，缓冲组件设置有两组，通过两组缓冲组件可以更好地减缓外力冲击的作用；两组缓冲组件关于场效应管主体的中心线相对称设置，从而将外力的冲击均匀的分散开来，减小场效应管主体受损的情况。
[0013]优选的，所述防冲击罩的内侧壁上开设有滑槽，所述场效应管主体上设置有滑块，所述滑块与所述滑槽相适配。
[0014]基于上述技术方案，在防冲击罩上开设滑槽，在场效应管主体伤设置滑块，滑槽的开设方向与导向杆的方向相同，滑块与滑槽相适配，通过滑块、滑槽和导向杆对防冲击罩和场效应管主体的运动方向进行双重限位。
[0015]优选的，所述滑槽和所述滑块均设置有两组，且两组所述滑槽和两组所述滑块均关于场效应管主体的中心线相对称设置。
[0016]基于上述技术方案，设置两组滑槽和两组滑块，且两组滑槽和两组滑块均关于场效应管主体的中心线相对称设置，从而在防冲击罩受到外力冲击时，将外力冲击平均的分散出去，便于防冲击罩相对于场效应管主体进行滑移运动。
[0017]优选的，所述防冲击罩上开设有多组第二通孔，所述第二通孔的半径大于所述引脚的半径。
[0018]基于上述技术方案，防冲击罩上开设有第二通孔，第二通孔的半径大于引脚的半径，以便于引脚从第二通孔内伸出，从而便于防冲击罩和场效应管主体之间的安装。
[0019]优选的，所述场效应管主体的一侧开设有安装槽，所述安装槽内设置有轴承，所述轴承上贯穿连接有长螺栓。
[0020]基于上述技术方案，在场效应管主体的一侧开设安装槽，以便于轴承和长螺栓的安装，使得轴承和长螺栓可安装在防冲击罩内，其中，长螺栓贯穿在轴承上，以便于长螺栓相对于场效应管主体转动。
[0021]优选的，所述定位座上固定连接有升降块，所述升降块上开设有螺纹孔，所述升降块通过所述螺纹孔套设在所述长螺栓上，所述升降块与所述长螺栓转动连接。
[0022]基于上述技术方案，定位座上设置有升降块，升降块位于靠近场效应管主体的一
侧，升降块上开设有螺纹孔，通过该螺纹孔以便于升降块与长螺栓之间的连接。
[0023]优选的，所述长螺栓与所述轴承转动连接，所述长螺栓的螺纹面与所述螺纹孔相适配。
[0024]基于上述技术方案，长螺栓与轴承转动连接，轴承的外壁与场效应管主体固定连接，轴承的内壁与长螺栓固定连接，以便于长螺栓相对场效应管主体转动，长螺栓的螺纹面与升降块上开设的螺纹孔相适配，可通过长螺栓和升降块之间的转动实现对定位座位置的调节，可根据实际的场效应管主体的情况对定位做的位置进行调节，以实现对不同场效应管主体的定位。
[0025]综上所述，本申请包括以下至少一种有益技术效果：1.在外力作用造成冲击时，防冲击罩与场效应管主体之间产生滑移运动，缓冲组件对外力所带来的冲击进行缓冲，弹簧条受力形变后可以通过自身的弹力进行缓冲，防止场效应管主体受到外力冲击，从而避免场效应管主体造成损伤；2.导向杆对弹簧和场效应管主体的运动方向进行限制，防冲击罩上的滑槽与场效应管主体上的滑块相配合，以实现对场效应管主体的二次限制；3.通过长螺栓、轴承、升降块与螺纹孔的设置，通过转动长螺栓带动升降块纵向运动，升降块纵向运动可以带动场效应管主体和引脚纵向运动，可根据实际情况对定位座的位置进行本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种具有防冲击结构的半导体场效应管，其特征在于，包括：场效应管主体(10)；定位座(20)，可升降地设置在所述场效应管主体(10)上；引脚(30)，设置在所述场效应管主体(10)上，所述引脚(30)设置在所述定位座(20)相对的一侧；防冲击装置(40)，设置在所述场效应管主体(10)上，所述防冲击装置(40)包括防冲击罩(41)，所述防冲击罩(41)与所述场效应管主体(10)滑移连接，所述防冲击罩(41)上设置有缓冲组件(42)，所述缓冲组件(42)包括导向杆(421)和弹簧条(422)，所述导向杆(421)与所述防冲击罩(41)滑移连接，所述弹簧条(422)套设在所述导向杆(421)上，所述弹簧条(422)设置在所述场效应管主体(10)和所述防冲击罩(41)之间。2.根据权利要求1所述的具有防冲击结构的半导体场效应管，其特征在于，所述防冲击罩(41)上开设有第一通孔(411)，所述第一通孔(411)的半径大于所述导向杆(421)的半径。3.根据权利要求2所述的具有防冲击结构的半导体场效应管，其特征在于，所述导向杆(421)上设置有限位块(423)，所述限位块(423)与所述导向杆(421)一体化设置，所述限位块(423)位于所述防冲击罩(41)的外侧，所述限位块(423)的半径大于所述第一通孔(411)的半径。4.根据权利要求1所述的具有防冲击结构的半导体场效应管，其特征在于，所述缓冲组件(42)设置有两组，两组所述缓冲组件(42)关于所述场效应管主体(10...
【专利技术属性】
技术研发人员：张西刚，
申请(专利权)人：深圳市深鸿盛电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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