半导体结构及其形成方法技术

本发明专利技术涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构的形成方法包括如下步骤：形成电容基板，所述电容基板包括多个电容转接结构以及位于相邻所述电容转接结构之间的间隙；形成至少覆盖所述电容转接结构顶面的保护层；形成填充满所述间隙并覆盖所述保护层表面的隔离层；去除覆盖于所述保护层顶面的所述隔离层，暴露所述保护层；去除所述保护层，暴露所述电容转接结构。本发明专利技术避免了相邻所述电容转接结构之间的短路问题，提高了半导体结构的良率，改善了半导体结构的电性能。改善了半导体结构的电性能。改善了半导体结构的电性能。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法


[0001]本专利技术涉及集成电路
，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是计算机等电子设备中常用的半导体结构，其由多个存储单元构成，每个存储单元通常包括用于存储电荷的电容器和存取电容器的晶体管。所述晶体管的栅极与字线电连接、源极与位线电连接、漏极与电容器电连接，字线上的字线电压能够控制晶体管的开启与关闭，从而通过位线能够读取存储在电容器中的数据信息，或者将数据信息写入到电容器中。
[0003]所述电容器通过电容基板中的电容转接结构与所述漏极连接。但是，由于当前制造工艺的限制，电容基板表面易产生缺陷，且相邻的电容转接结构之间易发生短路。
[0004]因此，如何减少电容基板表面的缺陷，并避免相邻电容转接结构之间的短路，以提高半导体结构的电性能，是当前亟待解决的技术问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术提供一种半导体结构及其形成方法，用于解决电容基板表面易产生缺陷且相邻的电容转接结构之间易发生短路的问题，以提高半导体结构的电性能。
[0006]根据本申请的一些实施例，本申请一方面提供了一种半导体结构的形成方法，包括如下步骤：
[0007]形成电容基板，所述电容基板包括多个电容转接结构以及位于相邻所述电容转接结构之间的间隙；
[0008]形成至少覆盖所述电容转接结构顶面的保护层；
[0009]形成填充满所述间隙并覆盖所述保护层表面的隔离层；
[0010]去除覆盖于所述保护层顶面的所述隔离层，暴露所述保护层；
[0011]去除所述保护层，暴露所述电容转接结构。
[0012]在一些实施例中，形成至少覆盖所述电容转接结构顶面的保护层的具体步骤包括：
[0013]形成覆盖所述电容转接结构的顶面和侧壁的保护层。
[0014]在一些实施例中，形成至少覆盖所述电容转接结构顶面的保护层的具体步骤包括：
[0015]钝化处理所述电容转接结构的表面，形成覆盖所述电容转接结构表面的所述保护层。
[0016]在一些实施例中，钝化处理所述电容转接结构的表面的具体步骤包括：
[0017]氮化处理所述电容转接结构的表面。
[0018]在一些实施例中，所述电容转接结构的材料为金属材料；氮化处理所述电容转接结构的表面的具体步骤包括：
[0019]采用氮源气体处理所述电容转接结构表面，形成作为所述保护层的金属氮化物，所述氮源气体包括H2、O2和NH3。
[0020]在一些实施例中，去除覆盖于所述保护层顶面的所述隔离层的具体步骤包括：
[0021]采用干法刻蚀工艺去除覆盖于所述保护层顶面的所述隔离层。
[0022]在一些实施例中，所述隔离层的材料为氮化物材料；采用干法刻蚀工艺去除覆盖于所述保护层顶面的所述隔离层的具体步骤包括：
[0023]采用CF4、CHF3和O2的混合气体作为刻蚀气体刻蚀所述隔离层。
[0024]在一些实施例中，去除所述保护层的具体步骤包括：
[0025]采用湿法刻蚀工艺去除所述保护层。
[0026]在一些实施例中，所述保护层的材料为金属氮化物材料；采用湿法刻蚀工艺去除所述保护层的具体步骤包括：
[0027]采用去离子水或者有机溶剂去除所述电容转接结构顶面上的所述保护层。
[0028]在一些实施例中，去除所述保护层，暴露所述电容转接结构之后，还包括如下步骤：
[0029]清洁所述电容转接结构的表面。
[0030]在一些实施例中，清洁所述电容转接结构的表面的具体步骤包括：
[0031]采用湿法清洗工艺去除所述电容转接结构表面的颗粒物和自然氧化层；
[0032]干燥所述电容转接结构。
[0033]根据本申请的另外一些实施例，本申请还提供了一种半导体结构，采用如上任一项所述的半导体结构的形成方法形成，所述半导体结构包括：
[0034]电容基板，所述电容基板包括多个电容转接结构；
[0035]隔离层，位于相邻的所述电容转接结构之间，用于隔离相邻的所述电容转接结构；
[0036]保护层，覆盖于所述电容转接结构的部分侧壁。
[0037]在一些实施例中，还包括：
[0038]扩散阻挡层，覆盖所述电容转接结构的底面和部分侧壁。
[0039]在一些实施例中，所述扩散阻挡层和所述保护层共同覆盖所述电容转接结构的整个侧壁。
[0040]在一些实施例中，所述保护层的厚度为0.5nm～5nm。
[0041]本申请一些实施例中提供的半导体结构及其形成方法，通过形成至少覆盖电容转接结构顶面的保护层，使得在去除覆盖于所述保护层顶面的所述隔离层不对所述电容转接结构造成损伤，确保了电容转接结构的形貌完整性，减少了电容转接结构中的缺陷。而且，由于所述保护层的覆盖，避免了在去除覆盖于所述保护层顶面的所述隔离层的过程中所述电容转接结构中的导电粒子飞溅至所述隔离层表面，从而避免了相邻所述电容转接结构之间的短路问题，提高了半导体结构的良率，改善了半导体结构的电性能。
附图说明
[0042]附图1是本专利技术具体实施方式中半导体结构的形成方法流程图；
[0043]附图2A
‑
2J是本专利技术具体实施方式在形成半导体结构的过程中主要的工艺示意图；
[0044]附图3是本专利技术具体实施方式中半导体结构的示意图。
具体实施方式
[0045]下面结合附图对本专利技术提供的半导体结构及其形成方法的具体实施方式做详细说明。
[0046]本具体实施方式提供了一种半导体结构的形成方法，附图1是本专利技术具体实施方式中半导体结构的形成方法流程图，附图2A
‑
2J是本专利技术具体实施方式在形成半导体结构的过程中主要的工艺示意图。如图1、图2A
‑
图2J所示，所述半导体结构的形成方法，包括如下步骤：
[0047]步骤S11，形成电容基板，所述电容基板包括多个电容转接结构21以及位于相邻所述电容转接结构21之间的间隙22，如图2A所示。
[0048]在一些实施例中，形成电容基板的具体步骤可以包括：
[0049]提供衬底20，所述衬底20内具有多个电容接触区；
[0050]形成多个电容转接结构21于所述衬底20表面，且多个所述电容转接结构21与多个所述电容接触区一一对应电连接，且相邻的所述电容转接结构21之间具有所述间隙22。
[0051]具体来说，所述衬底20可以是但不限于硅衬底，本具体实施方式以所述衬底20为硅衬底为例进行说明。在其他示例中，所述衬底20可以为氮化镓、砷化镓、碳化镓、碳化硅或SOI等半导体衬底。所述衬底20内具有呈阵列排布的多个有源区，每一所述有源区中均包括位线接触区和电容接触区。在形成多个所述电容转接结构21之前，还可以先于所述衬底20表面形成电容接本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：形成电容基板，所述电容基板包括多个电容转接结构以及位于相邻所述电容转接结构之间的间隙；形成至少覆盖所述电容转接结构顶面的保护层；形成填充满所述间隙并覆盖所述保护层表面的隔离层；去除覆盖于所述保护层顶面的所述隔离层，暴露所述保护层；去除所述保护层，暴露所述电容转接结构。2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成至少覆盖所述电容转接结构顶面的保护层的具体步骤包括：形成覆盖所述电容转接结构的顶面和侧壁的保护层。3.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成至少覆盖所述电容转接结构顶面的保护层的具体步骤包括：钝化处理所述电容转接结构的表面，形成覆盖所述电容转接结构表面的所述保护层。4.根据权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，钝化处理所述电容转接结构的表面的具体步骤包括：氮化处理所述电容转接结构的表面。5.根据权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述电容转接结构的材料为金属材料；氮化处理所述电容转接结构的表面的具体步骤包括：采用氮源气体处理所述电容转接结构表面，形成作为所述保护层的金属氮化物，所述氮源气体包括H2、O2和NH3。6.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除覆盖于所述保护层顶面的所述隔离层的具体步骤包括：采用干法刻蚀工艺去除覆盖于所述保护层顶面的所述隔离层。7.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述隔离层的材料为氮化物材料；采用干法刻蚀工艺去除覆盖于所述保护层顶面的所述隔离层的具体步骤包...

【专利技术属性】
技术研发人员：王沛萌，卢经文，郗宁，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：