一种功率模块的热敏电阻连接结构制造技术

本发明专利技术公开了一种功率模块的热敏电阻连接结构，属于半导体功率模块封装技术领域；包括：一覆铜陶瓷基板，所述覆铜陶瓷基板上设有热敏电阻焊盘，所述热敏电阻焊盘上设有用于焊料和固定热敏电阻的电阻连接凹槽。上述技术方案的有益效果是：由于采用以上技术方案，本发明专利技术具备精准确定热敏电阻在模块上的焊接位置的功能，限制热敏电阻滑动，保证了连接质量。保证了连接质量。保证了连接质量。

【技术实现步骤摘要】
一种功率模块的热敏电阻连接结构


[0001]本专利技术涉及半导体功率模块封装
，尤其涉及一种功率模块的热敏电阻连接结构。

技术介绍

[0002]随着技术的发展，热设计成了电力电子系统设计中的重要一环，其中电力电子器件结温是一个重要参数，一般会通过热敏电阻检测功率模块的稳定壳温，为了保证系统的安全可靠运动，热敏电阻的连接必须有效可靠。
[0003]现有技术中，功率模块上热敏电阻常规连接方法是成型锡片焊接，需要人工焊接，焊接位置不精确，影响连接质量。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于，提供一种功率模块的热敏电阻连接结构，解决以上技术问题；
[0005]本专利技术所解决的技术问题可以采用以下技术方案来实现：
[0006]一种功率模块的热敏电阻连接结构，包括，
[0007]一覆铜陶瓷基板，所述覆铜陶瓷基板上设有热敏电阻焊盘，所述热敏电阻焊盘上设有用于焊料和固定热敏电阻的电阻连接凹槽。
[0008]优选地，所述电阻连接凹槽的深度不超过所述覆铜陶瓷基板的单面覆铜厚度。
[0009]优选地，所述覆铜陶瓷基板上还设有一主体焊盘，所述电阻连接凹槽的面积小于所述主体焊盘的面积。
[0010]优选地，所述电阻连接凹槽包括均匀深度凹槽、渐变深度凹槽，所述渐变深度凹槽靠近中间陶瓷沟槽的深度高于末尾深度一倍。
[0011]优选地，所述电阻连接凹槽的面积大于所述热敏电阻焊盘整体面积。
[0012]优选地，所述电阻连接凹槽的外槽形状为半方形或半梯形或半圆形或半条形。
[0013]优选地，所述热敏电阻通过钎焊或烧结工艺连接于所述热敏电阻焊盘。
[0014]优选地，所述热敏电阻焊盘与所述主体焊盘对称设置在所述电阻连接凹槽上。
[0015]本专利技术的有益效果是：由于采用以上技术方案，本专利技术具备精准确定热敏电阻在模块上的焊接位置的功能，限制热敏电阻滑动，保证了连接质量。
附图说明
[0016]图1是本专利技术的较佳的实施例中，一种功率模块的热敏电阻连接结构的示意图；
[0017]图2是本专利技术的较佳的实施例中，一种功率模块的热敏电阻连接结构的均匀深度电阻连接凹槽结构示意图；
[0018]图3是本专利技术的较佳的实施例中，一种功率模块的热敏电阻连接结构的渐变深度电阻连接凹槽结构示意图；
[0019]图4是本专利技术的较佳的实施例中，一种功率模块的热敏电阻连接结构的位置关系
结构示意图。
[0020]附图中：1、主体焊盘；2、电阻连接凹槽；21、均匀深度凹槽；22、渐变深度凹槽；3、热敏电阻焊盘；4、热敏电阻；5、覆铜陶瓷基板。
具体实施方式
[0021]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0022]需要说明的是，在不冲突的情况下，本专利技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0023]下面结合附图和具体实施例对本专利技术作进一步说明，但不作为本专利技术的限定。
[0024]一种功率模块的热敏电阻连接结构，如图1、图2、图3、图4所示，包括：
[0025]一覆铜陶瓷基板5，覆铜陶瓷基板5上设有热敏电阻焊盘3，热敏电阻焊盘3上设有用于焊料和固定热敏电阻4的电阻连接凹槽2。
[0026]具体地，本专利技术提供了一种功率模块的热敏电阻连接结构，主要应用于热敏电阻连接，通过在覆铜陶瓷基板5上热敏电阻焊盘3的位置开一定规则的电阻连接凹槽2，来固定热敏电阻4，以提高连接质量，通过电阻连接凹槽2限制了热敏电阻4滑动，从而保证热敏电阻4位置的精确和一致性，维持了产品质量。
[0027]在一种较优的实施例中，电阻连接凹槽2的深度不超过覆铜陶瓷基板5的单面覆铜厚度。
[0028]具体地，在热敏电阻焊盘3的位置向下开长宽150um
‑
250um，深度50um
‑
250um的电阻连接凹槽2，其中，具体尺寸根据实际热敏电阻焊盘3的大小和热敏电阻4的大小确定，电阻连接凹槽2用于防止热敏电阻4滑动。
[0029]在一种较优的实施例中，覆铜陶瓷基板5上还设有一主体焊盘1，电阻连接凹槽2的面积小于主体焊盘1的面积，电阻连接凹槽2包括均匀深度凹槽21、渐变深度凹槽22，渐变深度凹槽22靠近中间陶瓷沟槽的深度高于末尾深度一倍。
[0030]在一种较优的实施例中，电阻连接凹槽2的面积大于热敏电阻焊盘3整体面积，电阻连接凹槽2的外槽形状为半方形或半梯形或半圆形或半条形。
[0031]具体地，电阻连接凹槽2面积介于热敏电阻焊盘3面积的120％
‑
200％，约为22500um2‑
80000um2，其中，具体尺寸根据实际热敏电阻焊盘3的大小和热敏电阻4的大小确定，热敏电阻焊盘3用于放置焊料和热敏电阻4定位，半方形或半梯形或半圆形或半条形的外槽更利于热敏电阻4嵌入电阻连接凹槽2中。
[0032]在一种较优的实施例中，热敏电阻4通过钎焊或烧结工艺连接于热敏电阻焊盘3，热敏电阻4的焊料在电阻连接凹槽2上，热敏电阻4嵌于电阻连接凹槽2内，有效避免了热敏电阻4虚焊、滑动偏移的情况。
[0033]在一种较优的实施例中，热敏电阻焊盘3与主体焊盘1对称设置在电阻连接凹槽2上。
[0034]综上，本申请提供了一种功率模块的热敏电阻连接结构，在覆铜陶瓷基板5上热敏
电阻焊盘3的位置开一定规则的电阻连接凹槽2，在热敏电阻焊盘3的位置向下开长宽150um
‑
250um，深度50um
‑
250um的电阻连接凹槽2，固定热敏电阻4的位置，保证了连接质量，有利于功率模块地稳定壳温，确保产品的稳定性，减少事故或损失。
[0035]以上所述仅为本专利技术较佳的实施例，并非因此限制本专利技术的实施方式及保护范围，对于本领域技术人员而言，应当能够意识到凡运用本专利技术说明书及图示内容所作出的等同替换和显而易见的变化所得到的方案，均应当包含在本专利技术的保护范围内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种功率模块的热敏电阻连接结构，其特征在于，包括：一覆铜陶瓷基板，所述覆铜陶瓷基板上设有热敏电阻焊盘，所述热敏电阻焊盘上设有用于焊料和固定热敏电阻的电阻连接凹槽。2.根据权利要求1所述的功率模块的热敏电阻连接结构，其特征在于，所述电阻连接凹槽的深度不超过所述覆铜陶瓷基板的单面覆铜厚度。3.根据权利要求2所述的功率模块的热敏电阻连接结构，其特在于，所述覆铜陶瓷基板上还设有一主体焊盘，所述电阻连接凹槽的面积小于所述主体焊盘的面积。4.根据权利要求3所述的功率模块的热敏电阻连接结构，其特征在于，所述电阻连接凹槽包括均匀深度凹槽、渐变深度凹槽，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：马宏伟，张强，
申请(专利权)人：上海道之科技有限公司，
类型：发明
国别省市：