磁性隧道结、磁阻式随机存取存储器和电子器件制造技术

一种磁性隧道结(200，300，400)、磁阻式随机存取存储器(50)和电子器件，能够提高磁性隧道结的热稳定性。该磁性隧道结包括：参考层区域(204)；隧穿层(203)，隧穿层的构成材料为MgO；自由层区域(202)，自由层区域(202)中包括第一自由层(2021)、至少一个第二自由层(2022)以及至少一个插入层(2023)；其中，第一自由层(2021)与隧穿层(203)相邻，第一自由层(2021)的构成材料包括CoFeB，至少一个第二自由层(2022)的构成材料包括FeB，或者，至少一个第二自由层(2022)的构成材料包括CoFeB，并且Co的含量占比小于5％，插入层(2023)的构成材料包括非磁性材料，插入层(2023)间隔分布在第一自由层(2021)和至少一个第二自由层(2022)之间。由层(2021)和至少一个第二自由层(2022)之间。由层(2021)和至少一个第二自由层(2022)之间。由层(2021)和至少一个第二自由层(2022)之间。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：秦青，周雪，路鹏，朱靖华，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：