一种纳米压印用拼版模版的制备方法技术

本发明专利技术实施例公开了一种纳米压印用拼版模版的制备方法，包括：提供模版框架和至少两个单元模版，所述模版框架中包含至少两个子框架；所述单元模版上设有预置图案；将所述单元模版填充进所述子框架中，得到整版模版；将所述整版模版压印在待压印模版上，得到拼版模版。采用上述技术方案，能够实现制备大面积的纳米压印用拼版模版，能够提高制备效率，节约生产成本。生产成本。生产成本。

【技术实现步骤摘要】
一种纳米压印用拼版模版的制备方法


[0001]本专利技术涉及纳米压印
，尤其涉及一种纳米压印用拼版模版的制备方法。

技术介绍

[0002]纳米压印技术是当前微纳加工制造的前沿关键性技术，作为一种大面积、高产率、低成本的图案复制技术，可以继续为半导体工业界按照摩尔定律缩小半导体元器件尺寸提供技术支持，因此该技术自专利技术以后得到极大的推广和发展。
[0003]纳米压印技术的关键要素主要是：模版制备、图形压印转移方式、关键材料应用，其中模版制备作为工艺源头尤为重要，模版主要分为母模版和子模版，母模版通常采用硅材料经过光刻工艺制程制备而来，存在加工精度要求高、耗时长、成本高、易损坏等特性。子模版通常采用高分子聚合物材料，通过热固化或紫外固化方式复制母模版图形而来，大大降低了母模版的损坏风险及生产成本。
[0004]但是在大批量生产过程中，子模版复制效率低，进而影响生产效率的问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术实施例提供了一种纳米压印用拼版模版的制备方法，以制备大面积的纳米压印用拼版模版，能够提高制备效率，节约生产成本。
[0006]本专利技术实施例提供的一种纳米压印用拼版模版的制备方法，包括：
[0007]提供模版框架和至少两个单元模版，所述模版框架中包含至少两个子框架；所述单元模版上设有预置图案；
[0008]将所述单元模版填充进所述子框架中，得到整版模版；
[0009]将所述整版模版压印在待压印模版上，得到拼版模版。
[0010]可选的，所述单元模版的尺寸为第一尺寸，所述子框架的尺寸为第二尺寸，所述第一尺寸小于所述第二尺寸；
[0011]将所述单元模版填充进所述子框架中，得到整版模版，包括：
[0012]将所述单元模版填充进所述子框架中，得到填充模版；
[0013]在所述填充模版表面覆盖带有缝隙的片材，所述片材的缝隙与所述单元模版和所述子框架的缝隙相对应；
[0014]采用紫外线粘胶通过所述片材的缝隙填充所述单元模版和所述子框架的缝隙，并固化紫外线粘胶，得到所述整版模版。
[0015]可选的，在所述单元模版填充进所述模版框架中的子框架之前，还包括：
[0016]在所述模版框架和各所述单元模版的第一面设置吸附膜层；
[0017]将具有所述吸附膜层的所述单元模版填充进所述子框架中，得到填充模版之后，填充所述填充模版上的缝隙之前，还包括：
[0018]以所述第一面背离丝印机载物台第一侧的方式将所述填充模版吸附在丝印机载物台上，于所述填充模版上的所述吸附膜层表面覆盖带有缝隙的片材。
[0019]可选的，将所述整版模版压印在待压印模版上，得到拼版模版，包括：
[0020]提供基底并在所述基底上依次制备增粘剂和模版胶；
[0021]将所述整版模版贴合在所述模版胶上；
[0022]固化所述模版胶并剥离所述整版模版，得到拼版模版。
[0023]可选的，将所述整版模版压印在待压印模版上，得到拼版模版之后，还包括：
[0024]在所述拼版模版上制备抗粘层。
[0025]可选的，将所述整版模版压印在待压印模版上，得到拼版模版，包括：
[0026]提供基底并在所述基底上设置刻蚀胶；
[0027]将所述整版模版贴合在所述刻蚀胶上，以在所述刻蚀胶上形成刻蚀图案；
[0028]固化所述刻蚀胶并剥离所述整版模版；
[0029]通过所述刻蚀图案刻蚀所述基底，得到拼版模版。
[0030]可选的，将所述整版模版压印在待压印模版上，得到拼版模版，包括：
[0031]在所述整版模版的预置图案面上制备镍膜层，以将所述整版模版转印至所述镍膜层上；
[0032]在所述镍膜层表面制备电镀镍层，得到镍模版；
[0033]将所述整版模版与所述镍模版分离，得到拼版模版。
[0034]可选的，所述镍膜层的厚度为0.1
‑
1μm，所述电镀镍层的厚度为0.25
‑
0.3μm。
[0035]可选的，将所述单元模版填充进所述子框架中，得到填充模版之后，还包括：
[0036]在所述填充模版的预置图案面设置保护膜。
[0037]可选的，所述整版模版与所述待压印模版尺寸相同。
[0038]本专利技术实施例提供的一种纳米压印用拼版模版的制备方法，通过提供模版框架和至少两个单元模版，并将单元模版填充进子框架中，可以得到带有预置图案的整版模版，然后将整版模版压印在待压印模版上，即可以将整版模版上的图案转移到待压印模版上，最终得到拼版模版，能够实现制备大面积的纳米压印用拼版模版，提高制备效率，节约生产成本。
附图说明
[0039]图1为本专利技术实施例提供的一种纳米压印用拼版模版的制备方法的流程图；
[0040]图2为本专利技术实施例提供的一种整版模版的正面示意图；
[0041]图3为本专利技术实施例提供的一种拼版模版的正面示意图；
[0042]图4为本专利技术实施例提供的另一种纳米压印用拼版模版的制备方法的流程图；
[0043]图5和图6为本专利技术实施例提供的一种纳米压印用拼版模版的制备过程中对应的结构示意图；
[0044]图7为本专利技术实施例提供的一种拼版模版的截面图；
[0045]图8为本专利技术实施例提供的又一种纳米压印用拼版模版的制备方法的流程图；
[0046]图9为本专利技术实施例提供的又一种纳米压印用拼版模版的制备方法的流程图；
[0047]图10为本专利技术实施例提供的又一种纳米压印用拼版模版的制备方法的流程图；
[0048]图11为本专利技术实施例提供的又一种纳米压印用拼版模版的制备方法的流程图；
[0049]图12为本专利技术实施例提供的又一种纳米压印用拼版模版的制备方法的流程图；
[0050]图13为本专利技术实施例提供的又一种纳米压印用拼版模版的制备方法的流程图。
具体实施方式
[0051]下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。
[0052]图1为本专利技术实施例提供的一种纳米压印用拼版模版的制备方法的流程图。如图1所示，纳米压印用拼版模版的制备方法，包括：
[0053]S101、提供模版框架和至少两个单元模版，模版框架中包含至少两个子框架；单元模版上设有预置图案。
[0054]示例性的，单元模版的制备工艺可以采用0.1
‑
0.5mm厚度的含氟塑料片贴合硅模版，放置压印机腔室，升温到155
‑
180℃，施加3.5
‑
8MPa气压，持续1
‑
3min之后冷却至室温，剥离出带预置图案的单元模版。
[0055]需要说明的是，预置图案可以设置在单元模版的第二本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种纳米压印用拼版模版的制备方法，其特征在于，包括：提供模版框架和至少两个单元模版，所述模版框架中包含至少两个子框架；所述单元模版上设有预置图案；将所述单元模版填充进所述子框架中，得到整版模版；将所述整版模版压印在待压印模版上，得到拼版模版。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述单元模版的尺寸为第一尺寸，所述子框架的尺寸为第二尺寸，所述第一尺寸小于所述第二尺寸；将所述单元模版填充进所述子框架中，得到整版模版，包括：将所述单元模版填充进所述子框架中，得到填充模版；在所述填充模版表面覆盖带有缝隙的片材，所述片材的缝隙与所述单元模版和所述子框架的缝隙相对应；采用紫外线粘胶通过所述片材的缝隙填充所述单元模版和所述子框架的缝隙，并固化紫外线粘胶，得到所述整版模版。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在所述单元模版填充进所述模版框架中的子框架之前，还包括：在所述模版框架和各所述单元模版的第一面设置吸附膜层；将具有所述吸附膜层的所述单元模版填充进所述子框架中，得到填充模版之后，填充所述填充模版上的缝隙之前，还包括：以所述第一面背离丝印机载物台第一侧的方式将所述填充模版吸附在丝印机载物台上，于所述填充模版上的所述吸附膜层表面覆盖带有缝隙的片材。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，将所述整版模版压印在待压印模版上，得到拼版模版，包括：提供基底并在所述基底上依次制备增粘...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡庆文，史瑞，史瑞城，李晓军，
申请(专利权)人：广纳四维广东光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：