应用于半导体废气处理的反应腔制造技术

本实用新型专利技术涉及半导体废气处理技术领域，提供一种应用于半导体废气处理的反应腔，包括：柱状本体，柱状本体设有反应腔室及与反应腔室连通的热源安装口、废气导流通道及排气通道；热源安装口设于柱状本体的第一端，废气导流通道设有多个，多个废气导流通道沿热源安装口的周向设置；废气导流通道的进气端设于柱状本体的第一端，废气导流通道的出气端的延伸方向相对于热源安装口的中轴线倾斜设置；排气通道的进气端和废气导流通道的出气端分设于反应腔室的相对侧，排气通道的出气端设于柱状本体的第二端。本实用新型专利技术不仅可减小反应腔所对应的通气结构的占用空间，而且提升了对半导体废气的处理效果。废气的处理效果。废气的处理效果。

【技术实现步骤摘要】
应用于半导体废气处理的反应腔


[0001]本技术涉及半导体废气处理
，尤其涉及一种应用于半导体废气处理的反应腔。

技术介绍

[0002]半导体行业在生产过程中持续产生半导体废气，这些废气大多对人体和环境危害严重，因此废气处理装置是该行业生产中不可或缺的组成部分。目前处理半导体废气的工艺有吸附法、吸收法、直接燃烧法、催化燃烧法和冷凝法等。在应用广泛的催化燃烧法中，反应腔是用于半导体废气发生反应的装置，能够加速半导体废气的完全燃烧。
[0003]当前，应用于半导体废气处理的反应腔占地体积大，对半导体废气的处理效果差。

技术实现思路

[0004]本技术提供一种应用于半导体废气处理的反应腔，用以解决现有的废气反应腔存在占地体积大，对半导体废气的处理效果差的问题。
[0005]本技术提供一种应用于半导体废气处理的反应腔，包括柱状本体，所述柱状本体设有反应腔室及与所述反应腔室连通的热源安装口、废气导流通道及排气通道；
[0006]所述热源安装口设于所述柱状本体的第一端，所述废气导流通道设有多个，多个所述废气导流通道沿所述热源安装口的周向设置；
[0007]所述废气导流通道的进气端设于所述柱状本体的第一端，所述废气导流通道的出气端的延伸方向相对于所述热源安装口的中轴线倾斜设置；
[0008]所述排气通道的进气端和所述废气导流通道的出气端分设于所述反应腔室的相对侧，所述排气通道的出气端设于所述柱状本体的第二端。
[0009]根据本技术提供的一种应用于半导体废气处理的反应腔，所述热源安装口沿所述柱状本体的中轴线设置，多个所述废气导流通道沿所述热源安装口的周向均匀排布；
[0010]其中，多个所述废气导流通道的出气端的延伸方向相交于第一位置，所述第一位置位于所述反应腔室内，并且所述第一位置分布于所述柱状本体的中轴线上。
[0011]根据本技术提供的一种应用于半导体废气处理的反应腔，所述废气导流通道为废气导流管；和/或，所述废气导流通道沿圆弧轨迹延伸为圆弧通道。
[0012]根据本技术提供的一种应用于半导体废气处理的反应腔，所述柱状本体还设有多个催化气体入口；
[0013]多个所述催化气体入口沿所述热源安装口的周向设置，多个所述催化气体入口和多个所述废气导流通道一一相对设置；
[0014]其中，所述催化气体入口的进气端设于所述柱状本体的第一端，所述催化气体入口的出气端和所述废气导流通道的出气端连通。
[0015]根据本技术提供的一种应用于半导体废气处理的反应腔，所述排气通道包括渐缩段、喉段和渐扩段；
[0016]所述渐缩段、所述喉段和所述渐扩段依次连接，所述渐缩段远离所述喉段的一端和所述反应腔室连通，所述渐扩段远离所述喉段的一端设于所述柱状本体的第二端。
[0017]根据本技术提供的一种应用于半导体废气处理的反应腔，所述排气通道沿所述柱状本体的中轴线延伸，并且所述排气通道相对于所述柱状本体的中轴线呈中心对称设置；
[0018]其中，所述渐缩段的侧壁相对于所述柱状本体的中轴线的夹角小于所述渐扩段的侧壁相对于所述柱状本体的中轴线的夹角。
[0019]根据本技术提供的一种应用于半导体废气处理的反应腔，所述柱状本体包括壳体组件和隔热衬套；
[0020]所述壳体组件和所述隔热衬套同轴设置，所述隔热衬套可拆卸地设于所述壳体组件内；所述热源安装口、所述废气导流通道、所述反应腔室及所述排气通道分别设于所述隔热衬套。
[0021]根据本技术提供的一种应用于半导体废气处理的反应腔，所述壳体组件包括内壳体和外壳体；
[0022]所述内壳体设于所述外壳体的内侧，以在所述内壳体和所述外壳体之间形成夹层空间；所述隔热衬套设于所述内壳体中；
[0023]所述壳体组件的底部设有流体入口，所述壳体组件的顶部设有流体出口，所述流体入口和所述流体出口分别与所述夹层空间连通。
[0024]根据本技术提供的一种应用于半导体废气处理的反应腔，所述壳体组件还包括第一法兰和第二法兰；
[0025]所述第一法兰设于所述内壳体的第一端和所述外壳体的第一端之间；所述第二法兰设于所述内壳体的第二端和所述外壳体的第二端之间。
[0026]根据本技术提供的一种应用于半导体废气处理的反应腔，所述壳体组件还包括导流板和托板；
[0027]所述导流板上设有多个导流口，多个所述导流口和多个所述废气导流通道的进气端一一相对设置；所述导流板抵接于所述隔热衬套的第一端，所述托板抵接于所述隔热衬套的第二端。
[0028]本技术提供的应用于半导体废气处理的反应腔，通过将热源安装口和废气导流通道均设于柱状本体的第一端，可以在柱状本体的第一端进行外部半导体废气引入管道和热源的布设，使得对外部半导体废气引入管道的布设尽可能地紧凑，减小了反应腔所对应的通气结构的占用空间；并且通过将多个废气导流通道沿热源安装口的周向设置，并且使废气导流通道的出气端的延伸方向相对于热源安装口的中轴线倾斜设置，可使得从各个方向朝向反应腔室内通入的半导体废气均倾斜地朝向热源火焰的传播方向聚集，并且半导体废气燃烧后的产物可迅速沿排气通道排布，这种设置结构既确保了半导体废气燃烧的稳定性，又提高了半导体废气的燃烧效率，从而对半导体废气达到较好的处理效果。
附图说明
[0029]为了更清楚地说明本技术或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用
新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0030]图1是本技术提供的应用于半导体废气处理的反应腔的结构示意图；
[0031]图2是本技术提供的应用于半导体废气处理的反应腔的局部剖视图；
[0032]图3是本技术提供的应用于半导体废气处理的反应腔的半剖视图；
[0033]附图标记：
[0034]1、柱状本体；
[0035]11、反应腔室；12、热源安装口；13、废气导流通道；
[0036]14、排气通道；141、渐缩段；142、喉段；143、渐扩段；
[0037]15、催化气体入口；
[0038]16、壳体组件；161、内壳体；162、外壳体；163、第一法兰；164、第二法兰；165、导流板；1651、导流口；166、托板；
[0039]17、隔热衬套。
具体实施方式
[0040]为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术中的附图，对本技术中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种应用于半导体废气处理的反应腔，其特征在于，所述反应腔包括柱状本体，所述柱状本体设有反应腔室及与所述反应腔室连通的热源安装口、废气导流通道及排气通道；所述热源安装口设于所述柱状本体的第一端，所述废气导流通道设有多个，多个所述废气导流通道沿所述热源安装口的周向设置；所述废气导流通道的进气端设于所述柱状本体的第一端，所述废气导流通道的出气端的延伸方向相对于所述热源安装口的中轴线倾斜设置；所述排气通道的进气端和所述废气导流通道的出气端分设于所述反应腔室的相对侧，所述排气通道的出气端设于所述柱状本体的第二端。2.根据权利要求1所述的应用于半导体废气处理的反应腔，其特征在于，所述热源安装口沿所述柱状本体的中轴线设置，多个所述废气导流通道沿所述热源安装口的周向均匀排布；其中，多个所述废气导流通道的出气端的延伸方向相交于第一位置，所述第一位置位于所述反应腔室内，并且所述第一位置分布于所述柱状本体的中轴线上。3.根据权利要求1所述的应用于半导体废气处理的反应腔，其特征在于，所述废气导流通道为废气导流管；和/或，所述废气导流通道沿圆弧轨迹延伸为圆弧通道。4.根据权利要求1所述的应用于半导体废气处理的反应腔，其特征在于，所述柱状本体还设有多个催化气体入口；多个所述催化气体入口沿所述热源安装口的周向设置，多个所述催化气体入口和多个所述废气导流通道一一相对设置；其中，所述催化气体入口的进气端设于所述柱状本体的第一端，所述催化气体入口的出气端和所述废气导流通道的出气端连通。5.根据权利要求1所述的应用于半导体废气处理的反应腔，其特征在于，所述排气通道包括渐缩段、喉段和渐扩段；所述渐缩段、所述喉段和所述渐扩段依次连接，所述渐缩段远离所述喉段的一...

【专利技术属性】
技术研发人员：章文军，闫潇，杨春水，张坤，宁腾飞，王继飞，蔡传涛，席涛涛，杨春涛，陈彦岗，
申请(专利权)人：安徽京仪自动化装备技术有限公司，
类型：新型
国别省市：