光掩模坯的制造方法以及光掩模的制造方法技术

本发明专利技术的课题在于提供一种在光掩模的制造时容易进行图案的尺寸控制，能够在光掩模中提高图案的尺寸精度的光掩模坯的制造方法以及光掩模的制造方法。该光掩模坯的制造方法用于制造将透明基板(3)的表面划分为第一图案区域和第二图案区域，在第一图案区域形成有第一功能性膜，在第二图案区域形成有第二功能性膜的光掩模坯(2)。的光掩模坯(2)。的光掩模坯(2)。

【技术实现步骤摘要】
光掩模坯的制造方法以及光掩模的制造方法


[0001]本专利技术涉及一种光掩模坯的制造方法以及光掩模的制造方法。

技术介绍

[0002]作为光刻技术，已知有相移掩模、半色调掩模。相移掩模是在透明基板的一部分具备相移膜，具有通过改变通过该部分的光的相位、强度，来提高分辨率的功能、改善焦深(DOF)的功能的光掩模。半色调掩模是在透明基板的一部分上具备半色调膜，具有通过改变通过该部分的光的强度而实现三灰阶以上的多灰阶功能的光掩模。
[0003]这种光掩模经过如下工序制造：i)准备在透明基板之上形成有遮光膜的光掩模坯的工序；ii)在遮光膜上形成抗蚀剂膜的工序；iii)在抗蚀剂膜上描绘规定的抗蚀剂图案，通过显影去除不需要的抗蚀剂膜，形成规定的抗蚀剂图案的工序；iv)将抗蚀剂图案作为掩模，通过蚀刻去除遮光膜的露出部分的工序；v)去除残存的抗蚀剂膜的工序；vi)在去除了遮光膜的透明基板的露出部分以及遮光膜上形成相移膜或半色调膜的工序；vii)在相移膜或者半色调膜上形成抗蚀剂膜的工序；viii)在抗蚀剂膜上描绘规定的抗蚀剂图案，通过显影去除不需要的抗蚀剂膜，形成规定的抗蚀剂图案的工序；ix)将抗蚀剂图案作为掩模，通过蚀刻去除相移膜或半色调膜的露出部分以及遮光膜的露出部分的工序；x)去除残存的抗蚀剂膜的工序。例如，在专利文献1中，作为工序vi)，记载了形成半色调膜的光掩模的制造方法。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1日本特开2005
‑
257712号公报

技术实现思路

[0007]专利技术所要解决的课题
[0008]根据上述以往的光掩模的制造方法，遮光部由遮光膜和相移膜或半色调膜的层叠部构成。因此，在对遮光部进行构图时，需要对相移膜或半色调膜和遮光膜这两者进行蚀刻。但是，在两者的蚀刻速率不同的情况下，在相移膜或半色调膜和遮光膜之间，侧蚀刻量产生差异。其结果是，在遮光部的边缘产生边缘粗糙，而难以按照预期对遮光部的尺寸精度(遮光部相对于透射部的边缘位置精度)进行精加工。此外，由于是层叠部，所以蚀刻时间有时也比单层的情况长，而使遮光部的尺寸控制(遮光部相对于透射部的边缘位置控制(CD(Critical Dimension：临界尺寸)控制)变得困难。
[0009]因此，本专利技术是鉴于上述情况而完成的，其课题在于提供一种在光掩模的制造时容易进行图案的尺寸控制，能够在光掩模中提高图案的尺寸精度的光掩模坯的制造方法以及光掩模的制造方法。
[0010]用于解决课题的手段
[0011]本专利技术的光掩模坯的制造方法，是将透明基板的表面划分为第一图案区域和第二
图案区域，在第一图案区域形成有第一功能性膜，在第二图案区域形成有第二功能性膜的光掩模坯的制造方法，包括：
[0012]光掩模坯准备工序，准备在透明基板之上形成有第一功能性膜的第一次光掩模坯；第一构图工序，以与第一图案区域对应的图案对第一功能性膜进行构图，去除第二图案区域中的第一功能性膜；功能性膜形成工序，在去除了第一功能性膜的透明基板的露出部分以及第一功能性膜之上形成第二功能性膜；第二构图工序，以与第二图案区域对应的图案对第二功能性膜进行构图，去除第一图案区域中的第二功能性膜。
[0013]在此，作为本专利技术的光掩模坯的制造方法的一种实施方式，可以采用如下构成：
[0014]第二构图工序包括：抗蚀剂膜形成工序，在第二功能性膜之上形成抗蚀剂膜；抗蚀剂构图工序，通过将抗蚀剂图案的边缘位置向外偏移，而形成以规定的重叠量在第一功能性膜以及第二功能性膜的层叠部的边缘部进行重叠的抗蚀剂图案，其中，该抗蚀剂图案与第二图案区域对应；蚀刻工序，将抗蚀剂图案作为掩模，通过蚀刻去除第二功能性膜在第一图案区域中的露出部分。
[0015]这种情况下，可以采用如下的构成：
[0016]还包括：精加工工序，去除由于规定的重叠量的重叠而残留的第二功能性膜的残渣。
[0017]此外，作为本专利技术的光掩模坯的制造方法的其他实施方式，可以采用如下构成：
[0018]作为第一次光掩模坯，使用在透明基板之上形成有第一功能性膜，在第一功能性膜之上形成有具有与第一功能性膜不同的蚀刻特性的中间膜的光掩模坯；作为第二功能性膜，使用具有与第一功能性膜相同的蚀刻特性的膜。
[0019]这种情况下，可以采用如下的构成：
[0020]作为第一功能性膜以及第二功能性膜，使用选自Cr类、Ni类、Ti类、Si类、金属硅化物类、以及调整了氮含量的金属中的材质的膜。
[0021]此外，作为本专利技术的光掩模坯的制造方法的其他实施方式，可以采用如下构成：
[0022]作为第一次光掩模坯，使用在透明基板之上形成有第一功能性膜的光掩模坯；作为第二功能性膜，使用具有与第一功能性膜不同的蚀刻特性的膜。
[0023]此外，作为本专利技术的光掩模坯的制造方法的其他实施方式，可以采用如下构成：
[0024]作为第一功能性膜，使用具有调整曝光光的光学特性的功能的膜；作为第二功能性膜，使用具有调整曝光光的光学特性的功能、且功能和第一功能性膜不同的膜。
[0025]这种情况下，可以采用如下的构成：
[0026]作为第一功能性膜或者第二功能性膜的任意一者，使用相移膜或者半色调膜；作为第一功能性膜或者第二功能性膜的任意另一者，使用遮光膜。
[0027]此外，作为本专利技术的光掩模坯的制造方法的其他实施方式，可以采用如下构成：
[0028]调整第一功能性膜或者第二功能性膜的任意一者或两者，使其蚀刻速率与第一功能性膜或者第二功能性膜的任意另一者相同。
[0029]此外，本专利技术的光掩模的制造方法，包括：
[0030]光掩模坯准备工序，准备通过上述任一项的光掩模坯的制造方法所制造的光掩模坯；构图工序，以规定的图案对第一功能性膜以及第二功能性膜进行构图。
[0031]在此，作为本专利技术的光掩模的制造方法的一种实施方式，可以采用如下构成：
[0032]构图工序包括仅一次的描绘工序。
[0033]此外，作为本专利技术的光掩模的制造方法的其他实施方式，可以采用如下构成：
[0034]构图工序包括：抗蚀剂膜形成工序，在光掩模坯的表面形成抗蚀剂膜；抗蚀剂构图工序，形成考虑了第一功能性膜以及第二功能性膜的蚀刻速率的差异的抗蚀剂图案，其中，该抗蚀剂图案为规定的图案的抗蚀剂图案；蚀刻工序，将抗蚀剂图案作为掩模，通过蚀刻去除第一功能性膜以及第二功能性膜的露出部分。
[0035]专利技术效果
[0036]根据本专利技术，可制造在透明基板上以第一功能性膜和第二功能性膜彼此边缘相接并同一平面状地排列的方式形成的复合型光掩模坯。在该光掩模坯中，不存在第一功能性膜以及第二功能性膜的实质上的层叠部，光掩模的图案边缘分别被规定在实质上为单层的第一功能性膜和第二功能性膜上。这意味着在光掩模的图案的边缘不容易产生边缘粗糙，而且蚀刻时间变短。因此，根据本专利技术，在光掩模的制造时本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.光掩模坯的制造方法，是将透明基板的表面划分为第一图案区域和第二图案区域，在第一图案区域形成有第一功能性膜，在第二图案区域形成有第二功能性膜的光掩模坯的制造方法，其特征在于，包括：光掩模坯准备工序，准备在透明基板之上形成有第一功能性膜的第一次光掩模坯；第一构图工序，以与第一图案区域对应的图案对第一功能性膜进行构图，去除第二图案区域中的第一功能性膜；功能性膜形成工序，在去除了第一功能性膜的透明基板的露出部分以及第一功能性膜之上形成第二功能性膜；第二构图工序，以与第二图案区域对应的图案对第二功能性膜进行构图，去除第一图案区域中的第二功能性膜。2.根据权利要求1所述的光掩模坯的制造方法，其特征在于，第二构图工序包括：抗蚀剂膜形成工序，在第二功能性膜之上形成抗蚀剂膜；抗蚀剂构图工序，通过将抗蚀剂图案的边缘位置向外偏移，而形成以规定的重叠量在第一功能性膜以及第二功能性膜的层叠部的边缘部进行重叠的抗蚀剂图案，其中，该抗蚀剂图案与第二图案区域对应；蚀刻工序，将抗蚀剂图案作为掩模，通过蚀刻去除第二功能性膜在第一图案区域中的露出部分。3.根据权利要求2所述的光掩模坯的制造方法，其特征在于，还包括：精加工工序，去除由于规定的重叠量的重叠而残留的第二功能性膜的残渣。4.根据权利要求1至3中任一项所述的光掩模坯的制造方法，其特征在于，作为第一次光掩模坯，使用在透明基板之上形成有第一功能性膜，在第一功能性膜之上形成有具有与第一功能性膜不同的蚀刻特性的中间膜的光掩模坯；作为第二功能性膜，使用具有与第一功能性膜相同的蚀刻特性的膜。5.根据权利要求4所述的光掩模坯的制造方法，其特征在于，作为第一功能性膜以及第二功能性膜，使用选自Cr类、Ni类、Ti类、Si类、金属...

【专利技术属性】
技术研发人员：山田慎吾，森山久美子，
申请(专利权)人：株式会社SK电子，
类型：发明
国别省市：