一种储能充电装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种储能充电装置，包括：电源、电流限制模组、采样模块、比较模块以及储能模组，电流限制模组的输入端、输出端分别与电源的输出端以及采样模块的输入端电连接，采样模块的输出端与储能模组电连接，比较模块的输入端与采样模块的输出端连接，比较模块的输出端与电流限制模组电连接，采样模块对电流限制模组输出的充电电流进行采样并生成采样信号后，发送给比较模块，比较模块接收外部设备的充电控制信号，并根据充电控制信号以及采样信号产生调节信号后，将调节信号发送至电流限制模组，以调节信号调节输出的充电电流的大小。本实用新型专利技术的储能充电装置可以严格的限制充电电流，减小对电源和储能设备的冲击。减小对电源和储能设备的冲击。减小对电源和储能设备的冲击。

【技术实现步骤摘要】
一种储能充电装置


[0001]本技术涉及恒流充电
，尤其涉及一种储能充电装置。

技术介绍

[0002]储能电容作为脉冲电源的关键组成部分，其充放电控制十分关键。脉冲电源中储能电容的容量一般在F级，当该电容加在充电电源上时，对电源而言基本是短路，这样会给电源造成很大的电流冲击，此时如果电源过流保护处理不当的话会出现电源损坏。电容都有其额定的纹波电流，当其充电电流长期大于额定纹波电流时会对电容造成一定的损伤，影响电容的寿命。
[0003]常见的电路都是采用电源直接对电容进行充电，很难避免电容损伤。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本技术提供一种储能充电装置，能够限制充电电流、避免电容损伤。
[0005]为了达到上述目的，本技术解决技术问题的技术方案是提供一种储能充电装置，包括：
[0006]电源、电流限制模组、采样模块、比较模块以及储能模组，所述电流限制模组的输入端、输出端分别与所述电源的输出端以及所述采样模块的输入端电连接，所述采样模块的输出端与所述储能模组电连接，所述比较模块的输入端与所述采样模块的输出端连接，所述比较模块的输出端与所述电流限制模组电连接，由所述电流限制模组对所述电源输出的电流进行限流处理后，输出充电电流至所述储能模组，以使所述储能模组进行充电，所述采样模块对所述电流限制模组输出的充电电流进行采样并生成采样信号后，发送给所述比较模块，所述比较模块接收外部设备的充电控制信号，并根据所述充电控制信号以及采样信号产生调节信号后，将所述调节信号发送至所述电流限制模组，以使所述电流限制模组根据所述调节信号调节输出的充电电流的大小。
[0007]进一步，所述电流限制模组包括NMOS管Q1、NMOS管Q2以及光耦U1，所述NMOS管Q1的漏极与所述电源电连接，所述NMOS管Q1的源级与所述NMOS管Q2的源级以及所述光耦U1的受光器输入端电连接，所述NMOS管Q1的栅级、所述光耦U1的受光器输出端与所述NMOS管Q2的栅级电连接，所述NMOS管Q2的漏极与所述采样模块电连接，所述光耦U1的发光器输入端接供电设备，所述光耦U1的发光器输出端与所述比较模块的输出端电连接。
[0008]进一步，所述采样模块包括采样电阻R1以及运算放大器U3，所述采样电阻R1的一端以及所述运算放大器U3的反相输入端与所述电流限制模组电连接，所述采样电阻R1的另一端以及所述运算放大器U3的同相输入端与所述储能模组电连接，所述运算放大器U3的输出端与所述比较模块电连接。
[0009]进一步，所述比较模块包括电阻R2、电阻R3以及运算放大器U2，所述电阻R3一端与所述采样模块电连接，所述电阻R3另一端与所述运算放大器U2的反相输入端电连接，所述
电阻R2一端接入外部设备的充电控制信号，所述电阻R2另一端与所述运算放大器U2的反相输入端电连接，所述运算放大器U2的同相输入端接地，所述运算放大器U2的输出端与所述电流限制模组电连接。
[0010]进一步，所述储能模组包括若干电容C1，若干所述电容C1相互并联且一端与所述采样模块电连接，另一端接地。
[0011]进一步，所述运算放大器U3的型号为TL
‑
060C。
[0012]进一步，所述运算放大器U2的型号为TL
‑
060C。
[0013]进一步，所述NMOS管Q1和所述NMOS管Q2的型号为IXFN170N10。
[0014]进一步，所述光耦U1的型号为PC817。
[0015]进一步，所述电源为通用电源。
[0016]与现有技术相比，本技术所提供的储能充电装置具有以下有益效果：
[0017]本技术的储能充电装置可以严格的限制充电电流，能够保障充电电流处于设定范围内，减小对电源和储能设备的冲击。
附图说明
[0018]图1为本技术一实施例提供的一种储能充电装置的模块示意图；
[0019]图2为本技术一实施例提供的一种储能充电装置的电路结构图。
具体实施方式
[0020]为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
[0021]请参阅图1，本技术第一实施例提供的一种储能充电装置，其包括：电源1、电流限制模组2、采样模块3、比较模块4以及储能模组5，所述电流限制模组2的输入端、输出端分别与所述电源1的输出端以及所述采样模块3的输入端电连接，所述采样模块3的输出端与所述储能模组5电连接，所述比较模块4的输入端与所述采样模块3的输出端连接，所述比较模块4的输出端与所述电流限制模组2电连接，由所述电流限制模组2对所述电源1输出的电流进行限流处理后，输出充电电流至所述储能模组5，以使所述储能模组5进行充电，所述采样模块3对所述电流限制模组2输出的充电电流进行采样并生成采样信号后，发送给所述比较模块4，所述比较模块4接收外部设备的充电控制信号，并根据所述充电控制信号以及采样信号产生调节信号后，将所述调节信号发送至所述电流限制模组2，以使所述电流限制模组2根据所述调节信号调节输出的充电电流的大小。
[0022]具体的，所述电源1为通用电源。
[0023]具体的，请参阅图2，所述电流限制模组2包括NMOS管Q1、NMOS管Q2以及光耦U1，所述NMOS管Q1的漏极与所述电源1电连接，所述NMOS管Q1的源级与所述NMOS管Q2的的源级以及所述光耦U1的受光器输入端电连接，所述NMOS管Q1的栅级、所述光耦U1的受光器输出端与所述NMOS管Q2的栅级电连接，所述NMOS管Q2的漏极与所述采样模块3电连接，所述光耦U1的发光器输入端接供电设备，所述光耦U1的发光器输出端与所述比较模块4的输出端电连接。
[0024]所述NMOS管Q1、所述NMOS管Q2的导通状态受所述光耦U1控制，光耦U1内部发光器发光程度增强，所述光耦U1副边输出电压提高，所述NMOS管Q1、所述NMOS管Q2导通程度变深，功率调整管两端压降减小，则流向所述采样模块3的电流逐渐增大；光耦U1内部发光器发光程度降低，所述光耦U1副边输出电压降低，所述NMOS管Q1、所述NMOS管Q2导通程度变浅，功率调整管两端压降增大，则流向所述采样模块3的电流逐渐减小。
[0025]在本实施例中，所述光耦U1的型号为PC817；所述NMOS管Q1和所述NMOS管Q2的型号为IXFN170N10。
[0026]所述比较模块4的输出端的信号能够调整所述光耦U1的发光器的工作状态，进而调节所述光耦U1的受光器部分的工作状态，从而调节所述电流限制模组2的输出电流。
[0027]具体的，所述采样模块3包括采样电阻R1以及运算放大器U3，所述采样电阻R1的一端以及所述运算放大器U3的反相输入端与所述电流限制模组2电连接，所述采样电阻R1的另一端以及所述运算放大器本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种储能充电装置，其特征在于，包括：电源、电流限制模组、采样模块、比较模块以及储能模组，所述电流限制模组的输入端、输出端分别与所述电源的输出端以及所述采样模块的输入端电连接，所述采样模块的输出端与所述储能模组电连接，所述比较模块的输入端与所述采样模块的输出端连接，所述比较模块的输出端与所述电流限制模组电连接，由所述电流限制模组对所述电源输出的电流进行限流处理后，输出充电电流至所述储能模组，以使所述储能模组进行充电，所述采样模块对所述电流限制模组输出的充电电流进行采样并生成采样信号后，发送给所述比较模块，所述比较模块接收外部设备的充电控制信号，并根据所述充电控制信号以及采样信号产生调节信号后，将所述调节信号发送至所述电流限制模组，以使所述电流限制模组根据所述调节信号调节输出的充电电流的大小。2.如权利要求1所述的一种储能充电装置，其特征在于：所述电流限制模组包括NMOS管Q1、NMOS管Q2以及光耦U1，所述NMOS管Q1的漏极与所述电源电连接，所述NMOS管Q1的源级与所述NMOS管Q2的源级以及所述光耦U1的受光器输入端电连接，所述NMOS管Q1的栅级、所述光耦U1的受光器输出端与所述NMOS管Q2的栅级电连接，所述NMOS管Q2的漏极与所述采样模块电连接，所述光耦U1的发光器输入端接供电设备，所述光耦U1的发光器输出端与所述比较模块的输出端电连接。3.如权利要求1所述的一种储能充电装置，其特征在于：所述采样模块包括采样电阻R1以及运算放大器U3，所述采样电阻...

【专利技术属性】
技术研发人员：王承，黄秋元，周鹏，
申请(专利权)人：武汉普赛斯仪表有限公司，
类型：新型
国别省市：