一种用于电雷管起爆的驱动板卡制造技术

本实用新型专利技术提供一种用于电雷管起爆的驱动板卡，包括单片机、USB转TTL模块、第一低压触发电路、第二低压触发电路、第一光耦、第二光耦、第一高压输出电路以及第二高压输出电路；单片机接收PC端发出的控制指令，并依次通过低第一低压触发电路、第二低压触发电路、第一光耦、第二光耦、第一高压输出电路以及第二高压输出电路引爆电雷管。本实用新型专利技术可以防止第一高压输出电路或第二高压输出电路的电压波动损坏第一低压触发电路或第二低压触发电路，能够避免因电压波动导致的电雷管无法正常起爆的问题，有效提高电雷管起爆的可靠性和稳定性。性。性。

【技术实现步骤摘要】
一种用于电雷管起爆的驱动板卡


[0001]本技术涉及电雷管起爆
，具体涉及一种用于电雷管起爆的驱动板卡。

技术介绍

[0002]民用爆炸物品行业是推进现代化基础设施体系建设、保障国民经济建设和社会发展需要的重要基础性行业。工业雷管作为民爆行业重要组成部分，在资源开发和基础设施建设领域具有不可替代的作用。其在管壳内装有点火装置、延期药、起爆药和猛炸药的工业火工品，常用于采矿和工程爆破作业中。
[0003]工业雷管由外界能激发，是能可靠地引起其后的起爆材料或各种工业炸药爆轰的起爆材料。工业雷管可以分为火雷管与电雷管两种，使用导火索引爆的雷管被称为火雷管，用通电点火引爆的雷管被称为电雷管。由于煤矿井下存在瓦斯和煤尘，因此，煤矿井下禁止使用明火起爆，只能采用电能激发的电雷管。电雷管可以分成瞬发电雷管和延期电雷管，瞬发电雷管激发后瞬时爆炸，而延期电雷管通电后隔一定时间才会爆炸，按延期间隔时间不同，延期电雷管又可以分为秒延期电雷管和毫秒延期电雷管。
[0004]当前用于电雷管的起爆电路中，高压电路和低压电路之间并不采用隔离措施，高压电路的电压波动很容易造成低压电路损坏，导致电雷管无法正常起爆，影响电雷管起爆的可靠性和稳定性。

技术实现思路

[0005]为了克服当前电雷管起爆电路中，高压电路的电压波动容易损坏低压电路的问题，本技术提供一种用于电雷管起爆的驱动板卡，包括单片机、USB转TTL模块、第一低压触发电路、第二低压触发电路、第一光耦、第二光耦、第一高压输出电路以及第二高压输出电路；
[0006]单片机通过USB转TTL模块与PC端通信连接；单片机的第一输出端通过第一低压触发电路、第一光耦以及第一高压输出电路与电雷管第一起爆端连接；
[0007]单片机的第二输出端通过第二低压触发电路、第二光耦以及第二高压输出电路与电雷管第二起爆端连接；
[0008]单片机接收PC端发出的控制指令，并依次通过低第一低压触发电路、第二低压触发电路、第一光耦、第二光耦、第一高压输出电路以及第二高压输出电路引爆电雷管。
[0009]优选地，第一低压触发电路包括：场效应管Q31、三极管Q32、电阻R30、电阻R31以及电阻R32；
[0010]场效应管Q31栅极以及电阻R30第一端分别与单片机第一输出端连接，三极管Q32基极以及电阻R31第一端分别与场效应管Q31漏极连接，三极管Q32发射极以及电阻R31第二端分别与第二降压电路输出端连接，三极管Q32集电极与电阻R32第一端连接，电阻R32第二端与第一光耦第一引脚连接；
[0011]场效应管Q31源极、电阻R30第二端以及第一光耦第二引脚分别接地；
[0012]优选地，第一光耦采用OR
‑
354B型光耦。
[0013]优选地，第二低压触发电路包括：场效应管Q33、三极管Q34、电阻R33、电阻R34、电阻R35；
[0014]场效应管Q33栅极以及电阻R33第一端分别与单片机第二输出端连接，三极管Q34基极以及电阻R34第一端分别与场效应管Q33漏极连接，三极管Q34发射极以及电阻R34第二端分别与第二降压电路输出端连接，三极管Q34集电极与电阻R35第一端连接，电阻R35第二端与第二光耦第一引脚连接；
[0015]场效应管Q33源极、电阻R33第二端以及第二光耦(6)第二引脚分别接地；
[0016]优选地，第二光耦采用OR
‑
354B型光耦。
[0017]优选地，第一高压输出电路包括：场效应管Q35、电阻R36、电阻R37、立式功率电阻RTP1以及立式功率电阻RTP2；
[0018]场效应管Q35源极以及电阻R37第二端分别与36V直流电源连接，场效应管Q35栅极以及电阻R37第一端分别与电阻R36第一端连接，电阻R36第二端与第一光耦第六引脚连接，场效应管Q35漏极分别与立式功率电阻RTP1第一端以及立式功率电阻RTP2第一端连接，立式功率电阻RTP1第二端以及立式功率电阻RTP2第二端分别与电雷管第一起爆端连接。
[0019]优选地，第二高压输出电路包括：场效应管Q36、肖特基二极管D31、电阻R38以及电阻R39；第一光耦第四引脚接地。
[0020]场效应管Q36栅极、电阻R39以及肖特基二极管阴极分别与第二光耦第四引脚连接，场效应管Q36漏极与电雷管第二起爆端连接；肖特基二极管阳极、电阻R39第二端以及场效应管Q36源极分别接地。
[0021]优选地，本技术还包括：36V转5V变压电路；
[0022]36V转5V变压电路输入端连接36V电源，36V转5V变压电路输出的5V连接单片机供电端；
[0023]36V转5V变压电路包括：降压芯片U1、电感D11、电容C11、电容C12、二极管D11、瞬态抑制二极管D12以及瞬态抑制二极管D13；
[0024]降压芯片U1第一引脚、电容C11、瞬态抑制二极管D12分别连接36V直流电源；降压芯片U1第二引脚、二极管D11阴极分别连接电感L11第一端；降压芯片U1第四引脚、电感L11第二端、电容C12第一端以及瞬态抑制二极管D13第一端分别接第一降压电路输出端，降压芯片U1第三引脚、降压芯片U1第五引脚、瞬态抑制二极管D12第二端、电容C11第二端、二极管D11阳极、电容C12第二端以及瞬态抑制二极管D13第二端分别接地；
[0025]优选地，降压芯片U1采用LM2575HVS
‑
5V芯片。
[0026]优选地，本技术还包括：5V转3.3V变压电路；
[0027]5V转3.3V变压电路输入端连接5V转3.3V变压电路输出端，5V转3.3V变压电路输出的3.3V连接第一低压触发电路以及第二低压触发电路的供电端；
[0028]5V转3.3V变压电路包括：降压芯片U2、场效应管Q21、三极管Q22、二极管D21、电阻R21、电阻R22、电阻R23、电容C21以及电容C22；
[0029]降压芯片U2第三引脚以及电容C21第一端分别与二极管D21阴极连接，二极管D21阳极与三极管Q22集电极连接，三极管Q22基极以及电阻R22第二端分别与场效应管Q21漏极
连接，场效应管Q21栅极以及电阻R23第一端分别与电阻R21第二端连接，电阻R21第一端、电阻R22第一端以及三极管Q22发射极分别与第一降压电路输出端连接；
[0030]降压芯片U2第二引脚以及电容C22第一端分别与第二降压电路输出端连接，电容C22第二端与降压芯片U2第一引脚连接；
[0031]降压芯片U3第一引脚、电容C21第二端、电阻R23第二端以及场效应管源极分别接地；
[0032]优选地，降压芯片U2采用AMS1117
‑
3.3V芯片。
[0033]优选地，单片机采用STM32F103RCT6单片机或采用STC12LE5A60S2单片机。
[0034]本技术的优本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于电雷管起爆的驱动板卡，其特征在于，包括：单片机(1)、USB转TTL模块(2)、第一低压触发电路(3)、第二低压触发电路(4)、第一光耦(5)、第二光耦(6)、第一高压输出电路(7)以及第二高压输出电路(8)；单片机(1)通过USB转TTL模块(2)与PC端(10)通信连接；单片机(1)的第一输出端依次通过第一低压触发电路(3)、第一光耦(5)以及第一高压输出电路(7)与电雷管(9)第一起爆端连接；单片机(1)的第二输出端依次通过第二低压触发电路(4)、第二光耦(6)以及第二高压输出电路(8)与电雷管(9)第二起爆端连接；单片机(1)接收PC端(10)发出的控制指令，并依次通过第一低压触发电路(3)、第二低压触发电路(4)、第一光耦(5)、第二光耦(6)、第一高压输出电路(7)以及第二高压输出电路(8)引爆电雷管(9)。2.根据权利要求1所述的用于电雷管起爆的驱动板卡，其特征在于，第一低压触发电路(3)包括：场效应管Q31、三极管Q32、电阻R30、电阻R31以及电阻R32；场效应管Q31栅极以及电阻R30第一端分别与单片机(1)第一输出端连接，三极管Q32基极以及电阻R31第一端分别与场效应管Q31漏极连接，三极管Q32发射极以及电阻R31第二端分别与第二降压电路输出端连接，三极管Q32集电极与电阻R32第一端连接，电阻R32第二端与第一光耦(5)第一引脚连接；场效应管Q31源极、电阻R30第二端以及第一光耦(5)第二引脚分别接地；第一光耦(5)采用OR
‑
354B型光耦。3.根据权利要求1所述的用于电雷管起爆的驱动板卡，其特征在于，第二低压触发电路(4)包括：场效应管Q33、三极管Q34、电阻R33、电阻R34、电阻R35；场效应管Q33栅极以及电阻R33第一端分别与单片机(1)第二输出端连接，三极管Q34基极以及电阻R34第一端分别与场效应管Q33漏极连接，三极管Q34发射极以及电阻R34第二端分别与第二降压电路输出端连接，三极管Q34集电极与电阻R35第一端连接，电阻R35第二端与第二光耦(6)第一引脚连接；场效应管Q33源极、电阻R33第二端以及第二光耦(6)第二引脚分别接地；第二光耦(6)采用OR
‑
354B型光耦。4.根据权利要求1所述的用于电雷管起爆的驱动板卡，其特征在于，第一高压输出电路(7)包括：场效应管Q35、电阻R36、电阻R37、立式功率电阻RTP1以及立式功率电阻RTP2；场效应管Q35源极以及电阻R37第二端分别与36V直流电源连接，场效应管Q35栅极以及电阻R37第一端分别与电阻R36第一端连接，电阻R36第二端与第一光耦(5)第六引脚连接，场效应管Q35漏极分别与立式功率电阻RTP1第一端以及立式功率电阻RTP2第一端连接，立式功率电阻RTP1第二端以及立式功率电阻RTP2第二端...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙丽萍，张仁柱，娄国强，
申请(专利权)人：济南腾越电子有限公司，
类型：新型
国别省市：