【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】乙烯和单环有机硅氧烷的交联聚合物和方法
技术介绍
[0001]聚乙烯是现今使用最广泛的热塑性材料。在一些应用中,必须对聚乙烯进行改性以提高某些特性。例如,聚合物链之间的交联形成提高耐热性的三维(3D)网络,从而提供具有更高操作温度的交联聚乙烯。过氧化物固化在工业中广泛用于使聚乙烯交联。例如,可交联聚乙烯(XLPE)广泛用作中压(MV)、高压(HV)和超高压(EHV)电线和电缆应用的绝缘材料,所述绝缘材料由低密度聚乙烯(LDPE)、过氧化物和抗氧化剂构成。在电线和电缆应用中,在三重挤出工艺中内部半导电层、XLPE绝缘层和外部半导电层通常通过十字头涂覆到导体上。由导体、内部半导电层、XLPE绝缘层和外部半导电层构成的电缆芯随后穿过具有10巴N2压力的硫化管以引发过氧化物交联。在通过穿过冷却管冷却后,将电缆芯放置到处于升高的温度(例如70℃)下的腔室中以去除从过氧化物分解的副产物。
[0002]因此,本领域认识到需要具有改进的过氧化物固化的LDPE,该改进的过氧化物固化通过增加固化速率和减少过氧化物负载量(和减少副产物)来提供提高的生产率。因此,本领域还认识到需要不仅对于XLPE绝缘应用而且对于其他过氧化物可交联组合物具有改进的过氧化物固化响应的LDPE。
技术实现思路
[0003]本公开提供了一种方法。在一个实施方案中,该方法包括提供(A)乙烯/MOCOS共聚物,该乙烯/MOCOS共聚物由(i)衍生自乙烯的单元、(ii)0.01wt%至0.5wt%的衍生自共聚单体的单元和(iii)任选地衍生自三元共聚单体的单元构成。该共聚 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种方法,所述方法包括:提供(A)乙烯/MOCOS共聚物,所述乙烯/MOCOS共聚物包含(i)衍生自乙烯的单元,(ii)0.01wt%至0.5wt%的衍生自共聚单体的单元,以及(iii)任选的衍生自三元共聚单体的单元,并且所述共聚单体是下式(I)的单环有机硅氧烷(MOCOS)[R1,R2SiO
2/2
]
n
其中n是大于或等于3的整数,每个R1独立地是(C2‑
C4)烯基或H2C=C(R
1a
)
‑
C(=O)
‑
O
‑
(CH2)m
‑
其中R
1a
是H或甲基;m是1至4的整数;并且每个R2独立地是H、(C1‑
C4)烷基、苯基或R1;将(B)自由基引发剂与(A)所述乙烯/MOCOS共聚物混合以形成混合物;加热所述混合物;以及形成可交联乙烯/MOCOS共聚物组合物。2.根据权利要求1所述的方法,所述方法包括使所述可交联乙烯/MOCOS共聚物组合物交联;以及形成凝胶含量大于70%的交联的乙烯/MOCOS共聚物组合物。3.根据权利要求1至2中任一项所述的方法,所述方法包括提供乙烯/MOCOS共聚物,其中所述MOCOS共聚单体选自由以下组成的组:2,4,6
‑
三甲基
‑
2,4,6
‑
三乙烯基
‑
环三硅氧烷、2,4,6,8
‑
四甲基
‑
2,4,6,8
‑
四乙烯基
‑
环四硅氧烷、2,4,6,8,10
‑
五甲基
‑
2,4,6,8,10
‑
五乙烯基
‑
环五硅氧烷以及它们的组合。4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,所述方法包括将3wt%至0.3wt%的所述自由基引发剂(B)与97wt%至99.7wt%的所述乙烯/MOCOS共聚物(A)混合;在70℃至90℃的温度下加热所述混合物;固化所述可交联乙烯/MOCOS共聚物组合物;以及形成T90小于5分钟的交联的乙烯/MOCOS共聚物组合物。5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法,所述方法包括将1.5wt%至0.5wt%的所述自由基引发剂(B)与98.5wt%至99.5wt%的乙烯/MOCOS共聚物(A)混合,所述乙烯/MOCOS共聚物(A)具有0.3wt%至0.5wt%的衍生自所述MOCOS共聚单体的单元;在70℃至90℃的温度下加热所述混合物;形成可交联乙烯/MOCOS共聚物组合物;固化所述可交联乙烯/MOCOS共聚物组合物;以及形成热蠕变伸长率为20%至50%的交联的乙烯/MOCOs共聚物组合物。6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法,所述方法包括将1.5wt%至0.5wt%的所述自由基引发剂(B)与98.5wt%至99.5wt%的乙烯/MOCOS共聚物(A)混合,所述乙烯/MOCOS共聚物(A)具有0.05wt%至0.2wt%的衍生自所述MOCOS共聚
单体的单元;在70℃至90℃的温度下加热所述混合物;以及形成可交联乙烯/MOCOS共聚物组合物;固化所述可交联乙烯/MOCOS共聚物组合物;以及形成热蠕变伸长率为50%至90%的交联的乙烯/MOCOs共聚物组合物。7.一种可交联的基于乙烯的聚合物组合物,所述可交联的基于乙烯的聚合物组合物包含:(A)乙烯共聚物,所述乙烯共聚物包含(i)衍生自乙烯的单元,(ii)0.01wt%至0.5wt%的衍生自共聚单体的单...
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