【技术实现步骤摘要】
存储设备和存储设备的操作方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年11月11日在韩国知识产权局递交的韩国专利申请No.10
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2021
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0154813的优先权,该申请的全部公开内容通过引用合并于此。
[0003]本文所述的本公开的实施例涉及半导体设备,更具体地涉及能够减小检查操作的次数和周期使得延迟减小并保持可靠性的存储设备、以及该存储设备的操作方法。
技术介绍
[0004]存储设备是指在主机设备(例如,计算机、智能电话或智能平板)的控制下存储数据的设备。存储设备包括将数据存储在磁盘(例如,硬盘驱动器(HDD))上的设备,或者将数据存储在半导体存储器,特别是非易失性存储器(例如,固态驱动器(SSD)或存储卡)中的设备。
[0005]非易失性存储器包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪存、相变随机存取存储器(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、铁电RAM(FRAM)等。
[0006]随着半导体制造技术的发展,存储设备的集成度和体积持续增加。存储设备的高度集成度使得可以降低制造存储设备所需的成本。然而,存储设备的高度集成度导致存储设备的缩小和结构变化,从而引起各种新问题。新问题导致存储在存储设备中的数据损坏。这可能意味着存储设备的可靠性降低。
[0007]各种可靠性检查方法可以用于防止存储设备的可靠性降低。 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种存储设备,包括:非易失性存储器件,包括多个存储块,其中所述多个存储块中的每一个包括多个单元串,每个单元串包括沿垂直于衬底的方向堆叠在所述衬底上的至少一个接地选择晶体管、两个或更多个存储单元、以及至少一个串选择晶体管;以及存储控制器,其中:在从所述多个存储块中选择的所选择的存储块中,所述存储控制器控制所述非易失性存储器件对所述多个单元串中的所述存储单元中的属于所选择的页的存储单元执行读取操作,在所选择的存储块中的所述读取操作之后,所述存储控制器在顺序地选择读取电压集合时控制所述非易失性存储器件对与所选择的页相关联的第一相邻页的存储单元执行第一检查读取操作,在所选择的存储块中的所述第一检查读取操作之后,所述存储控制器在顺序地选择所述读取电压集合时控制所述非易失性存储器件对与所选择的页相关联的第二相邻页的存储单元执行第二检查读取操作,以及在所述第二检查读取操作中,所述存储控制器从所述读取电压集合中首先选择在所述第一检查读取操作中使用并且纠错成功的读取电压集合。2.根据权利要求1所述的存储设备,其中,响应于确定所述读取操作在所选择的存储块中至少执行了由阈值识别的次数,所述存储控制器控制所述非易失性存储器件执行所述第一检查读取操作和所述第二检查读取操作。3.根据权利要求1所述的存储设备,其中,直到与从所述非易失性存储器件读取的数据相关联的所述纠错成功为止,所述存储控制器在顺序地选择所述读取电压集合时控制所述非易失性存储器件执行所述第一检查读取操作。4.根据权利要求3所述的存储设备,其中,响应于确定与在所述第一检查读取操作中使用所述读取电压集合从所述非易失性存储器件读取的数据相关联的所述纠错失败,所述存储控制器选择所选择的存储块作为读取回收操作的目标。5.根据权利要求3所述的存储设备,其中,所述存储控制器:通过向所述非易失性存储器件发送读取命令从所述读取电压集合中选择第一读取电压集合,以及通过向所述非易失性存储器件发送所述读取命令和电压信息从所述读取电压集合中选择第二读取电压集合。6.根据权利要求1所述的存储设备,其中,所述存储控制器选择所选择的页的上页和下页之一作为所述第一相邻页。7.根据权利要求1所述的存储设备,其中,直到与从所述非易失性存储器件读取的数据相关联的所述纠错成功为止,所述存储控制器在顺序地选择所述读取电压集合时控制所述非易失性存储器件执行所述第二检查读取操作。8.根据权利要求7所述的存储设备,其中,响应于确定与在所述第二检查读取操作中使用所述读取电压集合从所述非易失性存储器件读取的数据相关联的所述纠错失败,所述存储控制器选择所选择的存储块作为读取回收操作的目标。9.根据权利要求7所述的存储设备,其中,所述存储控制器通过向所述非易失性存储器
件发送读取命令和第一电压信息来从所述读取电压集合中选择第一读取电压集合,所述第一电压信息指示在所述第一检查读取操作中使用并且所述纠错成功的读取电压集合。10.根据权利要求1所述的存储设备,其中,所述存储控制器选择以下之一作为所述第二相邻页:所选择的页的上页中的除了竖直紧接放置的上页之外的上页,以及所选择的页的下页中的除了竖直紧接放置的下页之外的下页。11.根据权利要求1所述的存储设备,其中:在所选择的存储块中的所述第二检查读取操作之后,所述存储控制器在顺序地选择所述读取电压集合时控制所述非易失性存储器件对与所选择的页相关联的第三相邻页的存储单元执行第三检查读取操作,以及在所述第三检查读取操作中,所述存储控制器从所述读取电压集合中首先选择在所述第二检查读取操作中使用并且所述纠错成功的读取电压集合。12.根据权利要求11所述的存储设备,其中,所述存储控制器基于预先存储的页地址之一选择所述第三相邻页。13.根据权利要求11所述的存储设备,其中:在所选择的存储块中的所述第三检查读取操作之后,所述存储控制器在顺序地选择所述读取电压集合时控制所述非易失性存储器件对与所选择的页相关联的第四相邻页的存储单元执行第四检查读取操作,以及在所述第四检查读取操作中,所述存储控制器从所述读取电压集合中首先选择在所述第三检查读取操作中使用并且所述纠错成功的读取电压集合。14.一种存储设备的操作方法,所述存储设备包括非易失性存储器件和存储控制器,所述非易失性存储器件包括以行和列布置在衬底上并且在垂直于所述衬底的方向上堆叠的多个存储单元,所述方法包括:在所述存储控制器处从外部主机设备接收读取请求;响应于所述读取请求,在所述存储设备处对所述非易失性存储器件的所选择的存储单元执行读取操作;在所述存储设备处,在顺序地选择读取电压集合时,对所述非易失性存储器件的所选择的存储单元的第一相邻存储单元执行第一检查读取操作;在所述存储设备处,在顺序地选择所述读取电压集合时,对所述非易失性存储器件的所选择的存储单元的第二相邻存储单元执行第二检查读取操作;以及在所述存储设备处,在所述第二检查读取操作中从所述读取电压集合中首先选择在所述第一检查读取操作中使用并且纠错成功的读取电压集合。15.根据权利要求14所述的方法,其中,执行所述读取操作包括:在所述存储控制器处向所述非易失性存储器件发送读取命令;在所述非易失性存储器件处,响应于所述读取命令,通过...
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