本发明专利技术公开了一种延胡索块茎的培植法，包括以下步骤：１）将无病斑、无虫瘿且健壮饱满的延胡索块茎放入生化培养箱进行催芽；２）将带芽的延胡索块茎切割成所需的带芽块茎，经常规消毒后，接种到含有活性炭的ＭＳ培养基上进行培养；３）待带芽块茎上的小芽长成小苗时，割取小苗；４）将小苗接种到诱导块茎培养基上进行培养；５）待小苗长成类球形小块茎时，将其接种到块茎增殖培养基使其生长，直至长成所需的规格；６）待步骤３）所得的带芽块茎重新长出小苗时，割取小苗；并重复依次进行步骤４）和步骤５）。采用本发明专利技术的方法能获得大量的延胡索块茎。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种延胡索块茎的培植法。技术背景生产上，延胡索品种混杂严重，造成栽培技术体系规范化程度不高；而 长期以来一直采用块茎繁育的无性繁殖方法进行繁殖，繁殖系数低，严重阻 碍了良种推广。据生产调査，延胡索的田间块茎繁殖系数一般为IO倍左右， 田间品种混杂程度高达40%，严重影响到优良品种的大规模应用和药材品质 的一致性和稳定性。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种延胡索块茎的培植法，采用该方法 能获得大量的延胡索块茎。为了解决上述技术问题，本专利技术提供一种延胡索块茎的培植法，包括以 下步骤1) 、将无病斑、无虫瘿且健壮饱满的延胡索块茎放入生化培养箱进行催芽，直至从延胡索块茎上萌发的芽眼长成0.2 0.4(^1高的小芽、或者待全部的 芽眼完全萌发；培养条件为26 28。C暗培养；2) 、将上述带芽的延胡索块茎切割成长X宽X高为0.2 cm~0.5 cm X0.2 cm 0.5cmX0.1cm 0.2cm的带芽块茎；将上述带芽块茎经常规消毒后，接种 到含有活性炭的MS培养基上进行培养；培养条件为16小时光照，光照强度10 30Mmolm-2.s(即10 30微摩尔/平方米.秒)，温度为26 28t; 8小时 暗培养，温度为20 22T:;上述光照和暗培养交替进行；3) 、待上述带芽块茎上的小芽长成至0.5 cm~1.5 cm高的小苗时，割取上 述小苗；4) 、将上述小苗接种到诱导块茎培养基上进行培养；培养条件为16小 时光照，光照强度10 30 pmol m-2.5-1，温度为26 28t:; 8小时暗培养，温度为 20 22°C;上述光照和暗培养交替进行；5) 、待上述小苗长成至最小处直径为0.2 cm~0.5 cm的类球形小块茎时， 将上述类球形小块茎接种到块茎增殖培养基使其生长，直至长成所需的规格； 生长条件为16小时光照，光照强度10 30 pmol m-2.3-1，温度为26 28。C; 8 小时暗培养，温度为20 22。C;上述光照和暗培养交替进行。6) 、待步骤3)所得的带芽块茎重新长出0.5cm 1.5cm高的小苗时，割取 上述小苗；并重复依次进行步骤4)和步骤5)。作为本专利技术的延胡索块茎的培植法的改进，步骤2)中的含有活性炭的MS 培养基为MS基本培养基+2 3。/。糖+0.5 0.9。/Q琼脂+0.05 0.2。/o活性炭，pH为 5.5~6.0。上述含有活性炭的MS培养基的制作方法具体如下以MS基本培养基作为 基础，分别加入糖、琼脂和活性炭，均匀混合，利用lmol/L的KOH或lmol/L 的HCl调节pH为5.5 6.0;每lL的MS基本培养基中加20 30g糖、5 9g琼脂和 0.5 2.0g活性炭。作为本专利技术的延胡索块茎的培植法的进一步改进，步骤4)中的诱导块茎 培养基为MS基本培养基+0.01 0.5 mg/1萘乙酸+2~3%糖+0.5~0.9%琼脂+0.05~0.2%活性炭，pH为5.5 6.0。上述诱导块茎培养基的制作方法具体如下以MS基本培养基作为基础， 分别加入萘乙酸(NAA)、糖、琼脂和活性炭，均匀混合，利用lmol/L的KOH 或lmol/L的HCl调节pH为5.5 6.0;每1L的MS基本培养基加入0.01 0.5 mg NAA、 20 30g糖、5-9g琼脂和0.5 2.0g活性炭。作为本专利技术的延胡索块茎的培植法的进一步改进，步骤5)中的块茎增殖 培养基为1/2MS基本培养基+0.01 0.5 mg/1 NAA+2 3%糖+0.5 0.9%琼脂 +0.05~0.20/0活性炭，pH为5.5 6.0。上述块茎增殖培养基的制作方法具体如下以1/2MS基本培养基(即溶液 中所有物质的含量为MS基本培养基的一半)作为基础，分别加入NAA、糖、 琼脂和活性炭，均匀混合，利用lmol/L的KOH或lmol/L的HCl调节pH为 5.5-6.0;每1L的1/2MS基本培养基加入0.01 0.5 mg NAA、 20 30g糖、5 9g 琼脂和0.5 2.0g活性炭。本专利技术的延胡索块茎的培植法，属于一种诱导延胡索试管块茎的组织培 养方法。依照植物组织培养中细胞全能性的原理，可以在短时间内生产大量 遗传背景相同、长势一致的优质种苗(种子)，而且依靠实验室可以实现周年 的长期提供优质种苗。在本专利技术的方法中，将健壮的延胡索块茎先进行催芽， 有助于打破块茎休眠；这样可以保证诱导获得一定量的无菌苗，从而诱导获 得试管块茎。采用本专利技术的方法，延胡索块茎一周年内的繁殖系数为IOOO倍 以上，且块茎田间移栽成活率达到100%。所以，本专利技术的延胡索块茎的培植 法，是一种不受季节等因素影响，高效、快速提供优质延胡索块茎的方法， 可以加速良种推广速度，提高田间品种种植纯度。具体实施方式实施例l、 一种延胡索块茎的培植法，依次进行以下步骤1) 、将无病斑、无虫瘿且健壮饱满的延胡索块茎放入生化培养箱进行催芽，直至从延胡索块茎上萌发的至少l个的芽眼长成0.3cm高的小芽，培养条 件为26 28。C暗培养。2) 、将上述带芽的延胡索块茎切割成长X宽X高为0.2 cm X0.5 cmXO.l cm的带芽块茎；将上述带芽块茎经常规消毒后，接种到含有活性炭的MS培养 基上进行培养；培养条件为16小时光照，光照强度10拜olm-V1，温度为26 28°C; 8小时暗培养，温度为20 22。C;上述光照和暗培养交替进行。该种含有活性炭的MS培养基为MS+2。/。糖+0.8。/。琼脂+0.1。/。活性炭，pH 为5.5~6.0。3) 、待上述带芽块茎上的小芽长成至0.5 cm~1.5 cm高的小苗时，割取上 述小苗。4) 、将上述小苗接种到诱导块茎培养基上进行培养；培养条件为16小 时光照，光照强度20 nmol m'2.3-1，温度为26 28。C; 8小时暗培养，温度为20 22°C;上述光照和暗培养交替进行。该种诱导培养基为MS+0.2mg/lNAA+2°/。糖+0.9°/。琼脂+0.2%活性炭， pH为5.5 6.0。5) 、待上述小苗长成至最小处直径为0.2 cm~0.5 cm的类球形小块茎时， 将上述类球形小块茎接种到块茎增殖培养基使其生长，直至长成所需的规格; 生长条件为16小时光照，光照强度30 nmolm-V1，温度为26 28。C; 8小时 暗培养，温度为20 22。C;上述光照和暗培养交替进行；该种增殖培养基为1/2MS (MS的量全减半)+0.01 mg/1 NAA+3%糖 +0.6%琼脂+0.05%活性炭，pH为5.5 6.0。6)、待步骤3)所得的带芽块茎重新长出0.5cm 1.5cm高的小苗，割取上 述小苗；并重复依次进行步骤4)和步骤5)。依照上述方法，可以长期得到大量的试管块茎。实施例2、 一种延胡索块茎的培植法，依次进行以下步骤1) 、将无病斑、无虫瘿且健壮饱满的延胡索块茎放入生化培养箱进行催 芽，直至全部的芽眼均完全萌发(即长出小芽)；培养条件为26 28。C暗培养。2) 、将上述带芽的延胡索块茎切割成长X宽X高为0.3 cm X0.4 cmX0.2cm的带芽块茎；将上述带芽块茎经常规消毒后，接种到含有活性炭的 MS培养基上进行培养；培养条件为16小时光照本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种延胡索块茎的培植法，其特征是包括以下步骤：１）、将无病斑、无虫瘿且健壮饱满的延胡索块茎放入生化培养箱进行催芽，直至从延胡索块茎上萌发的芽眼长成０．２～０．４ｃｍ高的小芽、或者待全部的芽眼完全萌发；培养条件为：２６～２８℃暗培养；２）、将上述带芽的延胡索块茎切割成长×宽×高为０．２ｃｍ～０．５ｃｍ×０．２ｃｍ～０．５ｃｍ×０．１ｃｍ～０．２ｃｍ的带芽块茎；将上述带芽块茎经常规消毒后，接种到含有活性炭的ＭＳ培养基上进行培养；培养条件为：１６小时光照，光照强度１０～３０μｍｏｌｍ↑［－２］．ｓ↑［－１］，温度为２６～２８℃；８小时暗培养，温度为２０～２２℃；上述光照和暗培养交替进行；３）、待上述带芽块茎上的小芽长成至０．５ｃｍ～１．５ｃｍ高的小苗时，割取上述小苗；４）、将上述小苗接种到诱导块茎培养基上进行培养；培养条件为：１６小时光照，光照强度１０～３０μｍｏｌｍ↑［－２］．ｓ↑［－１］，温度为２６～２８℃；８小时暗培养，温度为２０～２２℃；上述光照和暗培养交替进行；５）、待上述小苗长成至最小处直径为０．２ｃｍ～０．５ｃｍ的类球形小块茎时，将上述类球形小块茎接种到块茎增殖培养基使其生长，直至长成所需的规格；生长条件为：１６小时光照，光照强度１０～３０μｍｏｌｍ↑［－２］．ｓ↑［－１］，温度为２６～２８℃；８小时暗培养，温度为２０～２２℃；上述光照和暗培养交替进行；６）、待步骤３）所得的带芽块茎重新长出０．５ｃｍ～１．５ｃｍ高的小苗时，割取上述小苗；并重复依次进行步骤４）和步骤５）。...
【技术特征摘要】
1、一种延胡索块茎的培植法，其特征是包括以下步骤1)、将无病斑、无虫瘿且健壮饱满的延胡索块茎放入生化培养箱进行催芽，直至从延胡索块茎上萌发的芽眼长成0.2～0.4cm高的小芽、或者待全部的芽眼完全萌发；培养条件为26～28℃暗培养；2)、将上述带芽的延胡索块茎切割成长×宽×高为0.2cm～0.5cm×0.2cm～0.5cm×0.1cm～0.2cm的带芽块茎；将上述带芽块茎经常规消毒后，接种到含有活性炭的MS培养基上进行培养；培养条件为16小时光照，光照强度10～30μmol m-2.s-1，温度为26～28℃；8小时暗培养，温度为20～22℃；上述光照和暗培养交替进行；3)、待上述带芽块茎上的小芽长成至0.5cm～1.5cm高的小苗时，割取上述小苗；4)、将上述小苗接种到诱导块茎培养基上进行培养；培养条件为16小时光照，光照强度10～30μmol m-2.s-1，温度为26～28℃；8小时暗培养，温度为20～22℃；上述光照和暗培养交替进行；5)、待上述小苗长成至最小处直径为0.2cm～0.5cm的类球形小块茎时，将上述类球形小块茎接种到块...
【专利技术属性】
技术研发人员：毛碧增，冯利，张国芳，孙丽，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：86[中国|杭州]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。