本发明专利技术属于化学气相沉积技术领域，具体为一种附带气动密封的CVD真空反应器，包括：壳体、进气管、调节单元和置物单元，所述置物单元包括弹簧，通过判断置物单元中弹簧的变形量，若弹簧的压缩量较大，则需要镀膜的基材较多，基材从置物单元的中心分布至置物单元的边缘，此时工作人员通过正向调节调节单元，增大进气流量，增大喷射面积，若弹簧的压缩量较小，则需要镀膜的基材较少，且基材集中分布于置物单元的中心，此时工作人员通过反向调节调节单元，减小进气流量，减小喷射面积，使处于置物单元中心处的基材能够与气态物质均匀接触，喷头边缘处的喷射孔不会分散进气量，从而提高了基材覆膜效果，降低了气态物质的浪费。降低了气态物质的浪费。降低了气态物质的浪费。
【技术实现步骤摘要】
一种附带气动密封的CVD真空反应器
[0001]本专利技术属于化学气相沉积
，具体为一种附带气动密封的CVD真空反应器。
技术介绍
[0002]CVD全称为Chemical vapor deposition，意指“化学气相沉积”，是利用气态的物质在一定温度下，通过化学反应，在气体或者气固界面上生成固态沉积物的一种气相沉积固体薄膜的技术，由两种或两种以上的气态原材料倒入到反应器内，相互之间产生化学反应，形成一种新的材料沉积在基材表面，CVD反应通常在常压或真空中进行，镀膜的绕射性好，对于形状复杂的工件表面都能均匀覆膜。
[0003]在目前基材真空镀膜时，通常采用进气装置将两种或两种以上的气态物质导入到壳体中，而后通过喷头自上而下向壳体内位于置物架上的基材表面喷射气态物质，而后通过化学反应形成新的材料沉积在基材表面，然而，喷头的喷射面积与进气量无法根据基材的数量调整，若需要镀膜的基材较少时，工件集中分布于置物架的中心处，而现有的CVD真空反应器此时依旧处于较大的进气量与较大的喷射面积的工作状态，处于喷头边缘处喷射出的气态物质被浪费，造成了气态物质的能源浪费，且喷头边缘处的喷孔依旧均匀分散了进气装置输入壳体内的气态物质含量，降低了位于喷头中心处喷射孔喷出的气态物质的含量，从而降低了工件的镀膜效果。
[0004]鉴于此，为了改善上述技术问题，本专利技术提供了一种附带气动密封的CVD真空反应器，改善了上述技术问题。
技术实现思路
[0005]本专利技术所要解决的技术问题：喷头的喷射面积与进气量无法根据基材的数量调整，若需要镀膜的基材较少时，工件集中分布于置物架的中心处，而现有的CVD真空反应器此时依旧处于较大的进气量与较大的喷射面积的工作状态，处于喷头边缘处喷射出的气态物质被浪费，造成了气态物质的能源浪费，且喷头边缘处的喷孔依旧均匀分散了进气装置输入壳体内的气态物质含量，降低了位于喷头中心处喷射孔喷出的气态物质的含量，从而降低了工件的镀膜效果。
[0006]本专利技术提供的一种附带气动密封的CVD真空反应器，所述一种附带气动密封的CVD真空反应器包括：壳体、进气管、调节单元和置物单元；
[0007]所述壳体上安装有进料门，所述进料门通过阀门与壳体连接，所述壳体内安装有加热设备；
[0008]所述进气管通过支架固定安装于壳体顶部；
[0009]所述调节单元安装于进气管的底端，所述调节单元的上下两端分别与进气管和壳体安装连接，所述调节单元用于根据基材数量调节喷射面积与进气流量；
[0010]所述置物单元安装于壳体内，所述置物单元位于调节单元的下方，所述置物单元包括弹簧，所述置物单元用于防止并固定多个基材。
[0011]相较于现有技术中，在对基材镀膜时，无法根据基材的数量调节进气量与喷射面积，若需要镀膜的基材较少时，基材集中分布于置物架的中心处，而现有的CVD真空反应器依旧处于较大的进气量与较大的喷射面积的工作状态，处于喷头边缘处喷射出的气态物质被浪费，造成了气态物质的能源浪费，且喷头边缘处的喷孔依旧均匀分散了进气管输入壳体内的气态物质含量，降低了位于喷头中心处喷射孔喷出的气态物质的含量，从而降低了基材的镀膜效果；
[0012]而本专利技术通过判断置物单元中弹簧的变形量，若弹簧的压缩量较大，则需要镀膜的基材较多，基材从置物单元的中心分布至置物单元的边缘，此时工作人员通过正向调节调节单元，增大进气流量，增大喷射面积，使处于置物单元边缘处的基材依旧能够与气态物质均匀接触，若弹簧的压缩量较小，则需要镀膜的基材较少，且基材集中分布于置物单元的中心，此时工作人员通过反向调节调节单元，减小进气流量，减小喷射面积，使处于置物单元中心处的基材能够与气态物质均匀接触，喷头边缘处的喷射孔不会分散进气量，从而提高了基材覆膜效果，降低了气态物质的浪费，提高能源的有效利用。
[0013]优选的，所述调节单元包括：转动内管、转动外管、底环、拉杆、限位盘、连接杆、滑块、引流块、喷孔、一号流量调节片和二号流量调节片；
[0014]所述转动内管位于进气管与壳体之间，所述转动内管与进气管转动连接；
[0015]所述转动外管套设于转动内管的外部，所述转动外管的内壁与转动内管转动连接，所述转动内管的外壁与壳体固定连接，所述转动外管上端面的水平高度低于转动内管上端面的水平高度，所述转动外管的下端面与转动内管的下端面平齐，所述转动外管与进气管之间存在间隙；
[0016]所述底环位于转动内管的底部，且与转动内管固接；
[0017]所述拉杆设有多个，多个所述拉杆呈“L”形结构，多个所述拉杆呈圆周状均匀固定安装于底环的下表面上；
[0018]所述限位盘位于底环的下方，所述限位盘上开设有多个弧形槽；
[0019]所述连接杆贯穿弧形槽，且通过滑槽与弧形槽表面滑动连接，所述连接杆的上端与拉杆转动连接；
[0020]所述滑块位于连接杆的下方，所述滑块与连接杆的下端转动连接；
[0021]所述引流块位于滑块下方，所述引流块上设置有多个滑槽，所述滑块位于滑槽内，所述滑块与滑槽相配合；
[0022]多个所述喷孔开设于引流块上，多个所述喷孔均匀分布于位于滑槽内；
[0023]所述一号流量调节片固定安装于进气管的底端，所述一号流量调节盘上开设有一号孔；
[0024]所述二号流量调节片固定安装于转动内管的顶端，所述二号流量调节片上开设有二号孔，所述二号流量调节片与一号流量调节片接触，所述二号孔的圆心与一号孔的圆心在同一圆周上。
[0025]优选的，所述置物单元还包括：十字架、转轴、置物槽、推片和限位片；
[0026]所述十字架位于引流块的下方；
[0027]所述转轴位于十字架的下方，所述十字架的中心固定安装于转轴上；
[0028]所述置物槽开设于十字架的上表面上，所述置物槽设有多个，多个所述置物槽自
十字架的中心向周边散开布置；
[0029]所述推片设有四个，四个所述推片滑动安装于十字架上，所述推片在初始状态时位于十字架的中心；
[0030]所述弹簧位于推片远离十字架中心的一侧面上，所述弹簧一端与推片固接；
[0031]所述限位片固定安装于十字槽上，所述限位片位于十字槽的边缘，所述弹簧远离推片一端与限位片固接。
[0032]通过观察弹簧的压缩量，判断基材的数量，基材的数量越多，基材在十字槽中的分布圈数越多，则工作人员正向转动内管，增大一号孔与二号孔的相对应面积，从而增大气态物质的流量，并通过拉动滑块，增加与转动内管相对应的喷孔数量，从而增大喷射面积，基材的数量越少，基材在十字槽中的分布圈数越少，则工作人员反向转动内管，减小一号孔与二号孔的相对应面积，从而减小气态物质的流量，并通过拉动滑块，减少与转动内管相对应的喷孔数量，从而减小喷射面积，减少气态物质的浪费。
[0033]优选的，所述转轴的下方设置有电机，所述电机固定安装于壳体内部，所述电机输出轴与转轴固接。
[0034]在对基材本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种附带气动密封的CVD真空反应器，其特征在于：所述一种附带气动密封的CVD真空反应器包括：壳体(1)、进气管(2)、调节单元(3)和置物单元(4)；所述壳体(1)上安装有进料门，所述进料门通过阀门与壳体(1)连接，所述壳体(1)内安装有加热设备；所述进气管(2)通过支架固定安装于壳体(1)顶部；所述调节单元(3)安装于进气管(2)的底端，所述调节单元(3)的上下两端分别与进气管(2)和壳体(1)安装连接，所述调节单元(3)用于根据基材数量调节喷射面积与进气流量；所述置物单元(4)安装于壳体(1)内，所述置物单元(4)位于调节单元(3)的下方，所述置物单元(4)包括弹簧(41)，所述置物单元(4)用于防止并固定多个基材。2.根据权利要求1所述的一种附带气动密封的CVD真空反应器，其特征在于：所述调节单元(3)包括：转动内管(31)、转动外管(32)、底环(33)、拉杆(34)、限位盘(35)、连接杆(36)、滑块(37)、引流块(38)、喷孔(39)、一号流量调节片(310)和二号流量调节片(311)；所述转动内管(31)位于进气管(2)与壳体(1)之间，所述转动内管(31)与进气管(2)转动连接；所述转动外管(32)套设于转动内管(31)的外部，所述转动外管(32)的内壁与转动内管(31)转动连接，所述转动内管(31)的外壁与壳体(1)固定连接，所述转动外管(32)上端面的水平高度低于转动内管(31)上端面的水平高度，所述转动外管(32)的下端面与转动内管(31)的下端面平齐，所述转动外管(32)与进气管(2)之间存在间隙；所述底环(33)位于转动内管(31)的底部，且与转动内管(31)固接；所述拉杆(34)设有多个，多个所述拉杆(34)呈“L”形结构，多个所述拉杆(34)呈圆周状均匀固定安装于底环(33)的下表面上；所述限位盘(35)位于底环(33)的下方，所述限位盘(35)上开设有多个弧形槽；所述连接杆(36)贯穿弧形槽，且通过滑槽与弧形槽表面滑动连接，所述连接杆(36)的上端与拉杆(34)转动连接；所述滑块(37)位于连接杆(36)的下方，所述滑块(37)与连接杆(36)的下端转动连接；所述引流块(38)位于滑块(37)下方，所述引流块(38)上设置有多个滑槽，所述滑块(37)位于滑槽内，所述滑块(37)与滑槽相配合；多个所述喷孔(39)开设于引流块(38)上，多个所述喷孔(39)均匀分布于位于滑槽内；所述一号流量调节片(310)固定安装于进气管(2)的底端，所述一号流量调节盘上开设有一号孔；所述二号流量调节片(311)固定安装于转动内管(31)的顶端，所述二号流量调节片(31...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡常青，赵建海，
申请(专利权)人：上海铂世光半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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