半导体工艺设备的清洁方法及清洁系统技术方案

本发明专利技术提供一种半导体工艺设备的清洁方法及清洁系统，半导体工艺设备的清洁方法是应用于一物件上，且至少一污染物附着于物件上，该掩膜保护膜的清洁方法是包括下列步骤。首先，提供多道激光钳照射于该污染物及污染物的邻近处，以使这些激光钳对该污染物产生一合力。之后，提供一气流至该物件。其中，该合力大于该污染物与该物件之间的最大静摩擦力，此外，本发明专利技术不提供一种半导体工艺设备的清洁系统应用于一物件上，且至少一污染物附着于物件上。上。上。

【技术实现步骤摘要】
半导体工艺设备的清洁方法及清洁系统


[0001]本专利技术涉及一种半导体工艺设备的清洁方法及清洁系统，特别涉及一种用 来清除污染物的半导体工艺设备的清洁方法及清洁系统。

技术介绍

[0002]在半导体工艺中，是包括一曝光工艺，其是先将一具有图案的掩膜置于晶 圆的上方，再利用一曝光光源透过掩膜射于一晶圆上。之后，将该晶圆浸入一 显影液中，就可以在晶圆上看到掩膜的图案了。
[0003]该掩膜上会有一层掩膜保护膜，该掩膜保护膜能避免掩膜图案受到刮伤， 以及使得掩膜上的污染不会影响曝光良率。此外，由于该掩膜保护膜会因静电 而附着污染物(Particle)、化学物质等，所以需要对该掩膜保护膜进行清洁，才 不会影响到半导体工艺的良率。然而，当污染物附着于掩膜保护膜时，污染物与掩膜保护膜之间具有很大的结合力，所以传统清洁方法不容易去除位于掩膜 保护膜的污染物。
[0004]因此，如何改善上述的问题，便是本领域具有通常知识者值得去思量地。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供一半导体工艺设备的清洁方法，半导体工艺设备的 清洁方法对于掩膜保护膜或掩膜具有极佳的除尘效果。
[0006]本专利技术的半导体工艺设备的清洁方法是应用于一掩膜的一掩膜保护膜上， 且至少一污染物附着于该掩膜保护膜上，该掩膜保护膜的清洁方法是包括下列 步骤：
[0007]首先，(a)提供多道激光钳(optical tweezers)照射于该污染物及该污染物的 邻近处，以使这些激光钳对该污染物产生一合力。之后，(b)提供一气流至该 掩膜保护膜。其中，该合力大于该污染物与该掩膜保护膜之间的最大静摩擦力。
[0008]在上所述的半导体工艺设备的清洁方法中，当执行步骤(a)时同时执行步骤(b)。
[0009]在上所述的半导体工艺设备的清洁方法中，物件为一掩膜或一掩膜保护 膜。
[0010]在上所述的半导体工艺设备的清洁方法中，这些激光钳分别来自不同的方 向。
[0011]在上所述的半导体工艺设备的清洁方法中，这些激光钳经由一道主激光进 入一空间光调制器而形成。
[0012]本专利技术另一目的在于提供一半导体工艺设备的清洁系统，半导体工艺设备 的清洁系统对于掩膜保护膜或掩膜具有极佳的除尘效果。
[0013]本专利技术的半导体工艺设备的清洁系统是应用于一物件上，且至少一污染物 附着于物件上，半导体工艺设备的清洁系统包括一光源、一扩束镜、一空间光 调制器及一监控模块。其中，光源是发出一初始光线，该初始光线是进入该扩 束镜，且扩束镜将初始光线调整为一道主激光。此外，主激光进入空间光调制 器，且空间光调制器将主激光调整为多道激光钳。另外，监控模块是电性连接空间光调制器，监控模块拍摄并获得该污染物的位置，且监控模块传送污染物 的位置至该空间光调制器。其中，这些激光钳照射于污染物及/或
该污染物的 邻近处，以使这些激光钳对该污染物产生一合力。
[0014]在上所述的半导体工艺设备的清洁系统中，扩束镜位于光源及空间光调制 器之间。
[0015]在上所述的半导体工艺设备的清洁系统中，监控模块为CCD摄影机或 CMOS摄影机。
[0016]在上所述的半导体工艺设备的清洁系统中，物件为一掩膜或一掩膜保护 膜。
[0017]本专利技术具有下述优点：半导体工艺设备的清洁方法及清洁系统能有效挪动 附着于掩膜或掩膜保护膜上的污染物(Particle)，所以本方法具有极佳的除尘效 果。
[0018]以下结合附图和具体实施例对本专利技术进行详细描述，但不作为对本专利技术的 限定。
附图说明
[0019]图1A所绘示为本实施例的半导体工艺设备的清洁系统10的方框图；
[0020]图1B所绘示为半导体工艺设备的清洁系统10、污染物7及物件8的示意 图；
[0021]图2A所绘示为本实施例的半导体工艺设备的清洁方法的流程图；
[0022]图2B所绘示为污染物7附着于物件8的示意图；
[0023]图3A所绘示为多道激光钳L1、L2照射于污染物7及污染物7的邻近处 的示意图；
[0024]图3B所绘示为主激光ML进入空间光调制器14的示意图；
[0025]图3C所绘示为风刀装置6产生气流至掩膜保护膜8F的示意图。
[0026]其中，附图标记
[0027]S1～S2：步骤 10：半导体工艺设备的清洁系统
[0028]12：光源
[0029]13：扩束镜
[0030]14：空间光调制器
[0031]141：像素
[0032]15：监控模块
[0033]6：风刀装置
[0034]61：风刀喷嘴
[0035]7：污染物
[0036]8：物件
[0037]L1、L2：激光钳
[0038]FL：初始光线
[0039]ML：主激光
[0040]R：合力
具体实施方式
[0041]下面结合附图对本专利技术的结构原理和工作原理作具体的描述：
[0042]请参阅图1A及图1B，图1A所绘示为本实施例的半导体工艺设备的清洁 系统10的方框图，图1B所绘示为半导体工艺设备的清洁系统10、污染物7及物件8的示意图。本实施例的半导体工艺设备的清洁系统10是应用于一物 件8上，物件8例如为一掩膜或一掩膜保护
膜，且至少一污染物7是附着于物 件8上，污染物7的粒径大小通常不小于5纳米。
[0043]本实施例的半导体工艺设备的清洁系统10是包括一光源12、一扩束镜13、 一空间光调制器14及一监控模块15。其中，扩束镜13是位于光源12及空间 光调制器14之间，而监控模块15是电性连接于空间光调制器14。在本实施 例中，光源12及扩束镜13分属于两个装置。然而，在其他实施例中，扩束镜 13也能整合于光源12中。
[0044]上述中，光源12是用以发出一初始光线FL进入扩束镜13内，且扩束镜 13用以将初始光线FL调整为一道主激光ML。并且，主激光ML再进入空间 光调制器14内。此外，空间光调制器14是用以将接收到的主激光ML划分成 为多道激光钳L1及激光钳L2，空间光调制器14如何将主激光ML划分成多 道激光钳L1及激光钳L2的方式会在下方段落详细说明。
[0045]请再次参阅图1B，监控模块15例如包括CCD摄影机或CMOS摄影机， 用以拍摄并获得污染物7的位置。并且，当监控模块15获得污染物7的位置 时，监控模块15便将污染物7的位置传送至空间光调制器14。因此，当确认 污染物7的所在位置后，空间光调制器14是用以将多道激光钳L1集中照射于 污染物7以及将多道激光钳L2照射于污染物7的邻近处。
[0046]在上述的实施例中，已揭露半导体工艺设备的清洁系统10的基本架构及 各部件的运行方式。在下列的实施例中，会再透过半导体工艺设备的清洁方法 更详细说明半导体工艺设备的清洁系统10的主要功效。
[0047]请参本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体工艺设备的清洁方法，应用于一物件上，且至少一污染物附着于该物件上，其特征在于，该半导体工艺设备的清洁方法包括：(a)提供多道激光钳照射于该污染物及该污染物的邻近处，以使这些激光钳对该污染物产生一合力；及(b)提供一气流至该物件；其中，该合力大于该污染物与该物件之间的最大静摩擦力。2.根据权利要求1所述的半导体工艺设备的清洁方法，其特征在于，当执行步骤(a)时同时执行步骤(b)。3.根据权利要求1所述的半导体工艺设备的清洁方法，其特征在于，该物件为一掩膜或一掩膜保护膜。4.根据权利要求1所述的半导体工艺设备的清洁方法，其特征在于，这些激光钳分别来自不同的方向。5.根据权利要求1所述的半导体工艺设备的清洁方法，其特征在于，这些激光钳经由一道主激光进入一空间光调制器而形成。6.一种半导体工艺设备的清洁系统，应用于一物件上，且至少一污染物附着于...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱俊荣，陈俊雄，庄完祯，
申请(专利权)人：陈俊雄庄完祯，
类型：发明
国别省市：