【技术实现步骤摘要】
一种UV减粘胶带及其制备方法
[0001]本专利技术属于胶带
,尤其涉及一种UV减粘胶带及其制备方法。
技术介绍
[0002]目前在半导体芯片制造过程中,主要经过两个重要的工序,晶圆研磨和芯片切割工序。随着切割芯片越来越小,切割过程中如果粘性不足,会造成分片现象,切割完成后,芯片拾取时需要降低粘性,便于拾取。晶圆切割时常将晶圆固定在具有较大粘性的涂有胶黏剂的基材上,扩膜拾取时,经过UV照射,基材上的胶黏剂失去粘性,非常方便拾取,所涂胶黏剂称为UV减粘胶。
[0003]为方便扩膜,常用于固定晶圆的基材为具有较大断裂伸长率的PO膜或PVC膜,所涂UV减粘胶在UV照射后失去粘性,同时会因内部双键的交联造成体积的收缩,导致与基材的分层,从而引起对芯片的污染。
[0004]现有芯片切割中运用最多的为UV减粘胶制备的UV减粘胶带,不过使用UV减粘胶制备的UV减粘胶带存在UV照射后胶层与基材层分层的现象,这是因为UV能量照射后UV胶粘性急速下降,与基材的附着力明显降低。
[0005]目前市场上的UV减粘胶黏剂主要有两种,一种是以丙烯酸酯聚合物胶黏剂为主体,再添加多官能度活性稀释剂、光引发剂和固化剂混合而成,另一种为在胶黏剂链上接枝碳碳双键。为了达到UV照射后粘性明显降低,两者都引入了较多量的碳碳双键,这就导致UV照射后胶黏剂粘性明显降低的同时体积明显收缩,与基材的附着力降低,芯片拾取时胶黏剂附着于芯片上,造成对芯片的污染。
技术实现思路
[0006]为解决上述技术问题,本专利技术提供了 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种UV减粘胶带,包括基材层、设置在所述基材层上的离型层和设置于所述基材层和所述离型层之间的胶层,其特征在于,所述胶层包括第一减粘胶层和第二减粘胶层,所述第一减粘胶层与所述基材层相邻;所述第二减粘胶层与所述离型层相邻;所述第一减粘胶层以质量份计,包括含碳碳双键的丙烯酸树脂20
‑
70份、光引发剂0.4
‑
2份、热固化剂0.01
‑
0.1份和有机溶剂50
‑
100份;所述第二减粘胶层以质量份计,包括含碳碳双键的活性稀释剂0.1
‑
3份、含碳碳双键的丙烯酸树脂20
‑
70份、光引发剂0.4
‑
2份、热固化剂0.01
‑
0.1份和有机溶剂50
‑
100份;所述含碳碳双键的丙烯酸树脂的重均分子量为30万
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70万;玻璃化转变温度为
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50℃至
‑
10℃;碳碳双键含量为0.1
‑
0.3mmol/g。2.根据权利要求1所述的UV减粘胶带,其特征在于,所述含碳碳双键的丙烯酸树脂的制备方法包括以下步骤:S1、惰性氛围下,将软单体、硬单体、功能性单体和含活性羟基的功能性单体溶于部分溶剂,搅拌条件下升温至60
‑
80℃,分步加入引发剂并保温4
‑
8h,后降温至50
‑
60℃,得到反应液;S2、向S1步骤所述的反应液中加入催化剂,搅拌条件下滴加含碳碳双键的异氰酸酯和剩余溶剂的混合液,反应3
‑
5h,最后将反应液降温至室温,得到所述含碳碳双键的丙烯酸树脂,所述滴加的时间为0.1
‑
1h。3.根据权利要求2所述的UV减粘胶带,其特征在于,在S1中,所述软单体为丙烯酸烷基酯,烷基的碳原子数为1
‑
12的整数;所述硬单体为甲基丙烯酸烷基酯,烷基的碳原子数为1
‑
6的整数;所述功能单体为丙烯酸、甲基丙烯酸、N
‑
羟甲基丙烯酰胺、甲基丙烯酸缩水甘油酯、N,N
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二甲基丙烯酰胺和甲基丙烯酸异冰片酯中的一种或多种;所述含活性羟基的功能性单体为丙烯酸羟乙酯、甲基丙烯酸羟乙酯、4
‑
丙烯酸羟丁酯、4
‑
甲基丙烯酸羟丁酯和二乙二醇单丙烯酸酯中的一种或多种;所述引发剂为过氧化苯甲酰、偶氮二异丁腈、二叔丁基过氧化氢和叔丁基过氧化
‑2‑
乙基己酸中的一种或多种;所述溶剂为乙酸乙酯、甲苯、丁酮和庚烷中的一种或多种。4.根据权利要求2所述的UV减粘胶带,其特征在于,在S1中,软单体为丙烯酸...
【专利技术属性】
技术研发人员:张卫,吴喜来,李根,芋野昌三,李燚,陈洪野,吴小平,
申请(专利权)人:苏州赛伍应用技术股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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