阵列基板及显示面板制造技术

本申请提供一种阵列基板及显示面板，其中阵列基板的焊盘由阵列基板中的三个不同的金属层叠加得到；因此可以在不改变阵列基板原有制程的前提下，利用阵列基板中的第二金属单元、部分第二金属层和部分第三金属层组成阵列基板的焊盘，增大了焊盘的厚度从而提高了焊盘的稳定性，避免焊盘厚度不够导致的脱落返修问题。题。题。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及显示面板


[0001]本申请涉及显示
，具体涉及一种阵列基板及显示面板。

技术介绍

[0002]随着显示技术的不断发展，“Mini
‑
LED”背光技术是指将晶粒尺寸在100微米左右的LED芯片阵列化后作为LCD显示屏背光的一种技术，并且采用局部调光(Local Dimming)设计，使其具有区域亮度可调、高显色性和对比度更高的优点，并可达到8K显示效果，目前已得到广泛应用。
[0003]由于“Mini
‑
LED”背板采用TFT array工艺，制备的焊盘厚度较小，容易脱落导致各种问题。

技术实现思路

[0004]本申请旨在提供一种阵列基板及显示面板，旨在解决现有技术中阵列基板及显示面板的焊盘厚度较薄容易脱落的问题。
[0005]一方面，本申请提供一种阵列基板，所述阵列基板包括：
[0006]衬底基板；
[0007]第一金属层，所述第一金属层设置在所述衬底基板上方，且所述第一金属层包括第一金属单元和第二金属单元，所述第一金属单元和所述第二金属单元独立设置在所述衬底基板上方；
[0008]层间介质层，所述层间介质层设置在所述第一金属层上方，且所述层间介质层覆盖所述第一金属单元以及部分衬底基板，所述层间介质层在所述第二金属单元对应的位置处形成开口以使得第二金属单元露出；
[0009]第二金属层，所述第二金属层设置在所述层间介质层上方，所述第二金属层覆盖所述第二金属单元；
[0010]平坦化层，所述平坦化层设置在第二金属层上方并覆盖所述第二金属层，且在所述第二金属单元对应的位置处开设有开口以使得部分第二金属层露出；
[0011]第三金属层，所述第三金属层填充在所述平坦化层形成的开口内部；
[0012]所述第二金属单元、位于所述第二金属单元上方的部分第二金属层、位于所述平坦化层的开口内部的部分第三金属层组成所述阵列基板的焊盘。
[0013]在一些可能的实施例中，所述第二金属单元包括两个子金属单元，所述两个子金属单元之间相互独立。
[0014]在一些可能的实施例中，在垂直方向上，所述第二金属单元、位于所述第二金属单元上方的部分第二金属层、位于所述平坦化层的开口内部的部分第三金属层的厚度总和为1.6微米
‑
1.8微米。
[0015]在一些可能的实施例中，在垂直方向上，所述第二金属单元、位于所述第二金属单元上方的部分第二金属层、位于所述平坦化层的开口内部的部分第三金属层的厚度均在
0.5微米
‑
0.6微米。
[0016]在一些可能的实施例中，所述第一金属层、所述第二金属层和所述第三金属层的制备材料相同。
[0017]在一些可能的实施例中，所述衬底基板包括：
[0018]玻璃基板；
[0019]阻碍层，所述阻碍层设置在所述玻璃基板上方且完全覆盖所述玻璃基板；
[0020]遮光层，所述遮光层设置在所述阻碍层上方；
[0021]缓冲层，所述缓冲层设置在所述遮光层上方并完全覆盖所述遮光层，且所述缓冲层覆盖部分阻碍层；
[0022]氧化物半导体层，所述氧化物半导体层设置在所述缓冲层上，且与所述遮光层的位置对应设置；
[0023]栅极绝缘层，所述栅极绝缘层设置在所述氧化物半导体层上方，且所述第一金属单元设置在所述栅极绝缘层上方。
[0024]在一些可能的实施例中，所述遮光层包括第一遮光层单元和第二遮光层单元，所述第一遮光单元和所述第二遮光单元独立设置在所述阻碍层上方。
[0025]在一些可能的实施例中，所述缓冲层设置在所述遮光层上方且覆盖所述第一遮光层单元，所述缓冲层上设置有开口以露出所述第二遮光层单元，所述缓冲层不覆盖所述第二遮光层单元。
[0026]在一些可能的实施例中，所述第二金属单元设置在所述第二遮光单元上方，所述第二遮光单元、所述第二金属单元、位于所述第二金属单元上方的部分第二金属层、位于所述平坦化层的开口内部的部分第三金属层组成所述阵列基板的焊盘。
[0027]第二方面，本申请实施例还提供一种显示面板，所述显示面板包括如前任一项所述的阵列基板。
[0028]本申请提供一种阵列基板及显示面板，所述阵列基板包括：衬底基板；设置在衬底基板上方的第一金属层，第一金属层包括第一金属单元和第二金属单元；设置在第一金属层上方的层间介质层，且层间介质层覆盖第一金属单元以及部分衬底基板，层间介质层围绕第二金属单元设置且第二金属单元露出；第二金属层，第二金属层设置在层间介质层上方，第二金属层覆盖第二金属单元并与第二金属单元直接接触；平坦化层，平坦化层覆盖第二金属层且在第二金属单元对应的区域处开设有开口以使得部分第二金属层露出；第三金属层，第三金属层设置在开口位置处，第三金属层与第二金属层直接接触；直接接触的第二金属单元、部分第二金属层和部分第三金属层组成阵列基板的焊盘。本申请在不改变阵列基板原有制程的前提下，利用阵列基板中的第二金属单元、部分第二金属层和部分第三金属层组成阵列基板的焊盘，大大增加了焊盘的厚度并提高焊盘的稳定性；避免焊盘脱落导致的返修问题。
附图说明
[0029]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附
图。
[0030]图1为本申请实施例所提供的阵列基板一实施例结构示意图；
[0031]图2为本申请实施例提供的制备两个子金属单元时的结构示意图；
[0032]图3为本申请实施例制备第二金属层的一实施例结构示意图；
[0033]图4为本申请实施例提供的制备第三金属层一实施例结构示意图；
[0034]图5为本申请实施例提供的阵列基板另一实施例结构示意图。
具体实施方式
[0035]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0036]在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：衬底基板；第一金属层，所述第一金属层设置在所述衬底基板上方，且所述第一金属层包括第一金属单元和第二金属单元，所述第一金属单元和所述第二金属单元独立设置在所述衬底基板上方；层间介质层，所述层间介质层设置在所述第一金属层上方，且所述层间介质层覆盖所述第一金属单元以及部分衬底基板，所述层间介质层在所述第二金属单元对应的位置处形成开口以使得第二金属单元露出；第二金属层，所述第二金属层设置在所述层间介质层上方，所述第二金属层覆盖所述第二金属单元；平坦化层，所述平坦化层设置在第二金属层上方并覆盖所述第二金属层，且在所述第二金属单元对应的位置处开设有开口以使得部分第二金属层露出；第三金属层，所述第三金属层填充在所述平坦化层形成的开口内部；所述第二金属单元、位于所述第二金属单元上方的部分第二金属层、位于所述平坦化层的开口内部的部分第三金属层组成所述阵列基板的焊盘。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二金属单元包括两个子金属单元，所述两个子金属单元之间相互独立。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，在垂直方向上，所述第二金属单元、位于所述第二金属单元上方的部分第二金属层、位于所述平坦化层的开口内部的部分第三金属层的厚度总和为1.6微米
‑
1.8微米。4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，在垂直方向上，所述第二金属单元、位于所述第二金属单元上方的部分第二金属层、位于所述平坦化层的开口内部的部分第三金属层的厚度均在0...

【专利技术属性】
技术研发人员：林晓丹，
申请(专利权)人：广州华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：