电子装置及其制备方法制造方法及图纸

本公开是提供一种电子装置及其制备方法，其中该电子装置，包含：第一绝缘层；第一金属凸块，设置于该第一绝缘层上；以及第二绝缘层，设置于该第一金属凸块上，其中，该第二绝缘层具有第一开口，且该第一开口暴露部分该第一金属凸块；其中，该第一绝缘层的厚度大于该第二绝缘层的厚度。缘层的厚度。缘层的厚度。

【技术实现步骤摘要】
电子装置及其制备方法


[0001]本公开是涉及一种电子装置及其制备方法，尤指一种改善粗糙度影响的电子装置及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着科技发展及因应消费者需求，现今电子产品大多朝向高整合度方向发展，即单一电子装置中可具有多种功能，而越多功能的电子产品伴随着越多数量的芯片需求，在线路I/O设计上将受到考验。一般可通过重布层(re
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distribution layer)来改变线路I/O原有设计、或加大I/O的间距或数量等方式，以符合需求。
[0003]然而，随着工艺步骤的增加，线路中的金属层的表面粗糙度也会随之增加，进而影响电子装置的电性效果。因此，目前亟需提供一种电子装置及其制备方法，以改善以往缺陷。

技术实现思路

[0004]本公开提供一种电子装置，包含：第一绝缘层；第一金属凸块，设置于该第一绝缘层上；以及第二绝缘层，设置于该第一金属凸块上，其中，该第二绝缘层具有第一开口，且该第一开口暴露部分该第一金属凸块；其中，该第一绝缘层的厚度大于该第二绝缘层的厚度。
[0005]本公开也提供一种制备电子装置的方法，包含以下步骤：提供基板；形成第一绝缘层在该基板上；形成第一金属凸块在该第一绝缘层上；以及形成第二绝缘层在该第一金属凸块上，其中，该第二绝缘层具有第一开口，且该第一开口暴露部分该第一金属凸块；其中，该第一绝缘层的厚度大于该第二绝缘层的厚度。
附图说明
[0006]图1A为本公开的一实施例的电子装置的剖面图。
[0007]图1B为图1A的部分放大图。
[0008]图1C为图1A的另一实施形式的部分放大图。
[0009]图2为本公开的一实施例的电子装置的剖面图。
[0010]图3为本公开的一实施例的电子装置的剖面图。
[0011]图4A为本公开的一实施例的电子装置的剖面图。
[0012]图4B为图4A的部分放大图。
[0013]图5A为本公开的一实施例的电子装置的剖面图。
[0014]图5B为图5A的部分放大图。
[0015]图5C为图5A的另一实施形式的部分放大图。
[0016]图6A至图6G为本公开的一实施例的电子装置的制备方法的剖面图。
[0017]【附图标记说明】
[0018]11：第一绝缘层
[0019]111：下表面
[0020]112：上表面
[0021]12：第二绝缘层
[0022]121：表面
[0023]13：第一金属层
[0024]131：侧壁
[0025]14：第三金属层
[0026]141：边缘
[0027]15：第三绝缘层
[0028]16：绝缘层
[0029]17：第二金属层
[0030]18、21：基板
[0031]19：第四绝缘层
[0032]191：下表面
[0033]192：上表面
[0034]22、27、29：金属层
[0035]23、24、25、26、28：绝缘层
[0036]M1：第一金属凸块
[0037]M11、M411、M431：表面
[0038]M12、M21、M412、M432：侧壁
[0039]M2：第二金属凸块
[0040]M3：第三金属凸块
[0041]M31、M421：延伸部
[0042]M41、M42、M43：金属凸块
[0043]E：电子元件
[0044]H1：第一开口
[0045]H2：第二开口
[0046]H31、H32：开口
[0047]R1：第一区域
[0048]R2：第二区域
[0049]T1、T2、T3：厚度
[0050]D1：距离
[0051]X：第一方向
[0052]Z：法线方向
具体实施方式
[0053]以下是通过特定的具体实施例说明本公开的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容轻易地了解本公开的其他优点与功效。本公开也可通过其他不同的具体实施例加以施行或应用，本说明书中的各项细节也可针对不同观点与应用，在不悖离本公
开的精神下进行各种修饰与变更。
[0054]应注意的是，在本文中，除了特别指明之外，具备“一”元件不限在具备单一的该元件，而可具备一个或更多的该元件。此外，说明书与权利要求中所使用的序数例如“第一”及“第二”等之用词，以修饰权利要求的元件，其本身并不意含或代表该请求元件有任何之前的序数，也不代表某一请求元件与另一请求元件的顺序、或是制造方法上的顺序，该些序数的使用仅用来使具有某命名的请求元件得以和另一具有相同命名的请求元件能作出清楚区分。
[0055]本公开通篇说明书与后附的权利要求中会使用某些词汇来指称特定元件。本领域技术人员应理解，电子设备制造商可能会以不同的名称来指称相同的元件。本文并不意在区分那些功能相同但名称不同的元件。在下文说明书与权利要求书中，“包含”、“含有”、“具有”等词为开放式词语，因此其应被解释为“含有但不限定为...”之意。因此，当本公开的描述中使用术语“包含”、“含有”及/或“具有”时，其指定了相应的特征、区域、步骤、操作及/或构件的存在，但不排除一个或多个相应的特征、区域、步骤、操作及/或构件的存在。
[0056]在文中，“约”、“大约”、“实质上”、“大致上”的用语通常表示在一给定值或范围的10％内、5％内、3％之内、2％之内、1％之内或0.5％之内。在此给定的数量为大约的数量，即在没有特定说明“约”、“大约”、“实质上”、“大致上”的情况下，仍可隐含“约”、“大约”、“实质上”、“大致上”的含义。此外，用语“范围为第一数值至第二数值”、“范围介于第一数值至第二数值之间”表示所述范围包含第一数值、第二数值以及它们之间的其它数值。
[0057]除非另外定义，在此使用的全部用语(包含技术及科学用语)具有与此篇公开本领域技术人员所通常理解的相同涵义。能理解的是这些用语，例如在通常使用的字典中定义的用语，应被解读成具有一与相关技术及本公开的背景或上下文一致的意思，而不应以理想化或过度正式的方式解读，除非在此特别定义。
[0058]此外，实施例中可能使用相对性的用语，例如“下方”或“底部”及“上方”或“顶部”，以描述附图的一个元件对在另一元件的相对关系。能理解的是，如果将附图的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在“下方”侧的元件将会成为在“上方”侧的元件。当相应的构件(例如膜层或区域)被称为“在另一个构件上”时，它可以直接在另一个构件上，或者两者之间可存在有其他构件。另一方面，当构件被称为“直接在另一个构件上”时，则两者之间不存在任何构件。另外，当一构件被称为“在另一个构件上”时，两者在俯视方向上有上下关系，而此构件可在另一个构件的上方或下方，而此上下关系取决在装置的取向(orientation)。
[0059]在本公开中，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子装置，其特征在于，包含：第一绝缘层；第一金属凸块，设置于该第一绝缘层上；以及第二绝缘层，设置于该第一金属凸块上，其中，该第二绝缘层具有第一开口，且该第一开口暴露部分该第一金属凸块；其中，该第一绝缘层的厚度大于该第二绝缘层的厚度。2.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该第一绝缘层的材料不同于该第二绝缘层的材料。3.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，还包含电子元件，设置于该第二绝缘层上，其中，该电子元件与该第一金属凸块电性连接。4.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该第二绝缘层覆盖该第一金属凸块的侧壁。5.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，还包含第一金属层，该第一金属层设置于该第一绝缘层与该第一金属凸块之间。6.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，还包含第二金属层，设置于该第一金属凸块上，且位于该第二绝...

【专利技术属性】
技术研发人员：林宜宏，赖郡弘，范俊钦，
申请(专利权)人：群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：