背接触太阳能电池及其制备方法技术

本申请提供一种背接触太阳能电池和制备方法。该背接触太阳能电池包括：硅衬底，具有相对的正面和背面；第一发射极和第二发射极，设置于硅衬底的背面；第一隔离区和第二隔离区，第一隔离区包围第二隔离区，第二隔离区包围第二发射极；第二电极，第二电极的第一部分与第二发射极接触，第二电极的第二部分设置于对应的第一发射极远离硅衬底的一侧，第一隔离区包围第二电极的第一部分，或全部的第二电极与第二发射极接触，第一隔离区包围全部的第二电极。本申请的背接触太阳能电池通过第一隔离区和第二隔离区隔离第一发射极和第二发射极，从而避免第一发射极与第二发射极接触而导致太阳能电池漏电超标。阳能电池漏电超标。阳能电池漏电超标。

【技术实现步骤摘要】
背接触太阳能电池及其制备方法


[0001]本申请主要光伏
，具体地涉及一种背接触太阳能电池和背接触太阳能电池的制备方法。

技术介绍

[0002]全背面接触太阳电池结合钝化接触技术，光电转换效率已经超过26％，具有很大的应用前景。
[0003]背接触电池存在反向漏电问题。为解决反向漏电问题，常规解决方案多利用隧穿氧化层作为刻蚀阻挡层从而在制绒工艺步骤中避免在电池的背面形成金字塔绒面结构，同时去除P区残留的扩散结。但该工艺存在工艺窗口窄，工艺难度大的问题，以及存在扩散结刻蚀不完全导致不同批次电池间漏电差异大，以及反向漏电超标的问题。
[0004]所以，如何解决背接触电池反向漏电超标是亟待解决的问题。

技术实现思路

[0005]本申请要解决的技术问题是提供一种背接触太阳能电池和背接触太阳能电池的制备方法，该背接触电池能够解决背接触电池反向漏电超标的问题。
[0006]本申请为解决上述技术问题而采用的技术方案是一种背接触太阳能电池，包括：硅衬底，具有相对的正面和背面，所述硅衬底为第一掺杂类型；第一发射极和第二发射极，设置于所述硅衬底的背面；第一隔离区和第二隔离区，所述第一隔离区包围所述第二隔离区，所述第二隔离区包围所述第二发射极；以及第二电极，所述第二电极的第一部分与所述第二发射极接触，所述第二电极的第二部分设置于对应的第一发射极远离所述硅衬底的一侧，所述第一隔离区包围所述第二电极的第一部分，或全部的第二电极与所述第二发射极接触，所述第一隔离区包围所述全部的第二电极，其中，所述第一发射极为第二掺杂类型，所述第二发射极为第一掺杂类型。
[0007]在本申请一实施例中还包括：绝缘层，设置于所述第二部分的第二电极与所述对应的第一发射极之间。
[0008]在本申请一实施例中，全部的第二电极与所述第二发射极接触，其中，所述第一隔离区包围所述全部的第二电极。
[0009]在本申请一实施例中，所述第一发射极包括扩散层、隧穿氧化层和多晶硅层，所述扩散层、所述隧穿氧化层和所述多晶硅层依次设置于所述硅衬底的背面，其中，所述扩散层为所述第二掺杂类型，所述多晶硅层为所述第二掺杂类型。
[0010]在本申请一实施例中还包括：第一钝化层和减反射层，所述第一钝化层和所述减反射层依次设置于所述硅衬底的正面。
[0011]在本申请一实施例中，所述第一钝化层包括化学钝化层和场钝化层，其中，所述化学钝化层设置于所述硅衬底的正面，所述场钝化层设置于所述化学钝化层远离所述硅衬底的一面。
[0012]在本申请一实施例中还包括：第二钝化层，所第二钝化层设置于所述硅衬底的背面。
[0013]本申请为解决上述技术问题还提出一种背接触太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：提供硅衬底，所述硅衬底具有相对的正面和背面，所述硅衬底为第一掺杂类型；在所述硅衬底的背面形成第一发射极和第二发射极；在所述硅衬底的背面形成第一隔离区和第二隔离区，所述第一隔离区包围所述第二隔离区，所述第二隔离区包围所述第二发射极；以及形成第二电极，所述第二电极的第一部分与所述第二发射极接触，所述第二电极的第二部分设置于对应的第一发射极远离所述硅衬底的一侧，所述第一隔离区包围所述第二电极的第一部分，或全部的第二电极与所述第二发射极接触，所述第一隔离区包围所述全部的第二电极，其中，所述第一发射极为第二掺杂类型，所述第二发射极为第一掺杂类型。
[0014]在本申请一实施例中，所述第一发射极包括扩散层、隧穿氧化层和多晶硅层，所述扩散层、所述隧穿氧化层和所述多晶硅层依次设置于所述硅衬底的背面，其中，所述扩散层和所述多晶硅层均为所述第二掺杂类型。
[0015]在本申请一实施例中，在所述硅衬底的正面依次形成第一钝化层和减反射层。
[0016]在本申请一实施例中，所述第一钝化层包括化学钝化层和场钝化层，其中，所述化学钝化层设置于所述硅衬底的正面，所述场钝化层设置于所述化学钝化层远离所述硅衬底的一面。
[0017]本申请的背接触太阳能电池通过第一隔离区和第二隔离区隔离第一发射极和第二发射极，从而避免第一发射极与第二发射极接触而导致太阳能电池漏电超标。
附图说明
[0018]为让本申请的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本申请的具体实施方式作详细说明，其中：
[0019]图1是本申请一实施例的一种背接触太阳能电池的仰视示意图；
[0020]图2揭示了图1中A
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A线的剖视示意图；
[0021]图3揭示了图1中B
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B线的剖视示意图；
[0022]图4是本申请另一实施例的一种背接触太阳能电池的仰视示意图；
[0023]图5是本申请一实施例的一种背接触太阳能电池的制备方法的示例性流程图。
[0024]附图标记
[0025]硅衬底110
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多晶硅层123
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第一部分162a
[0026]正面111
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第一隔离区130
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第二部分162b
[0027]背面112
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第二隔离区140
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第二钝化层170
[0028]第一发射极120
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第二发射极150
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第三钝化层180
[0029]扩散层121
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第一电极161
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第一钝化层190
[0030]隧穿氧化层122
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第二电极162
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减反射层210
具体实施方式
[0031]为让本申请的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本申请的具体实施方式作详细说明。
[0032]在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请，但是本申请还可以采用其它不同于在此描述的其它方式来实施，因此本申请不受下面公开的具体实施例的限制。
[0033]如本申请和权利要求书中所示，除非上下文明确提示例外情形，“一”、“一个”、“一种”和/或“该”等词并非特指单数，也可包括复数。一般说来，术语“包括”与“包含”仅提示包括已明确标识的步骤和元素，而这些步骤和元素不构成一个排它性的罗列，方法或者设备也可能包含其他的步骤或元素。
[0034]此外，需要说明的是，使用“第一”、“第二”等词语来限定零部件，仅仅是为了便于对相应零部件进行区别，如没有另行声明，上述词语并没有特殊含义，因此不能理解为对本申请保护范围的限制。此外，尽管本申请中所使用的术语是从公知公用的术语中选择的，但是本申请说明书中所提及的一些术语可能是申请人按他或她的判断来选择的，其详细含义在本文的描述的相关部分中说明。此外，要求不仅仅通过所使用的实际术语，而是还要通过每个术语所蕴含的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种背接触太阳能电池，其特征在于，包括：硅衬底，具有相对的正面和背面，所述硅衬底为第一掺杂类型；第一发射极和第二发射极，设置于所述硅衬底的背面；第一隔离区和第二隔离区，所述第一隔离区包围所述第二隔离区，所述第二隔离区包围所述第二发射极；以及第二电极，所述第二电极的第一部分与所述第二发射极接触，所述第二电极的第二部分设置于对应的第一发射极远离所述硅衬底的一侧，所述第一隔离区包围所述第二电极的第一部分，或全部的第二电极与所述第二发射极接触，所述第一隔离区包围所述全部的第二电极，其中，所述第一发射极为第二掺杂类型，所述第二发射极为第一掺杂类型。2.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于还包括：绝缘层，设置于所述第二部分的第二电极与所述对应的第一发射极之间。3.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，全部的第二电极与所述第二发射极接触，其中，所述第一隔离区包围所述全部的第二电极。4.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一发射极包括扩散层、隧穿氧化层和多晶硅层，所述扩散层、所述隧穿氧化层和所述多晶硅层依次设置于所述硅衬底的背面，其中，所述扩散层为所述第二掺杂类型，所述多晶硅层为所述第二掺杂类型。5.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于还包括：第一钝化层和减反射层，所述第一钝化层和所述减反射层依次设置于所述硅衬底的正面。6.如权利要求5所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一钝化层包括化学钝化层和场钝化层，其中，所述化学钝化层设置于所述硅衬底的正面...

【专利技术属性】
技术研发人员：张倬涵，陈达明，胡匀匀，柳伟，季雯娴，杨睿，徐冠超，张学玲，杨广涛，陈奕峰，
申请(专利权)人：天合光能股份有限公司，
类型：发明
国别省市：