本实用新型专利技术属于电子故障检测与安全保护技术领域，公开了一种微流控芯片高压电源失控保护电路装置，微流控芯片高压电源失控保护电路装置设置有上位机，所述上位机与可编程芯片相连接，所述可编程芯片与微流控芯片高压电路连接；所述可编程芯片与高压转换模块连接，所述微流控芯片高压电路与高压转换模块连接；本实用新型专利技术应用可编程芯片(PLD)写入了防止通道间短路或干扰的逻辑电路，从根本上消除了由于编程失误、突然断电和仪器失控引起的芯片短路现象；本实用新型专利技术进一步优化了微流控芯片电控方法测试系统，提高了可靠性；本实用新型专利技术解决了现有有微流控芯片电控方法易损坏电源的问题，保证运行的稳定性。保证运行的稳定性。保证运行的稳定性。
【技术实现步骤摘要】
一种微流控芯片高压电源失控保护电路装置
[0001]本技术属于电子故障检测与安全保护
，尤其涉及一种微流控芯片高压电源失控保护电路装置。
技术介绍
[0002]目前，微流控芯片电控方法中需要对多达八通道的流路进行程序控制加入高压电源(>2000V)，根据测试需要，在流路中存在断开、加电、接地等多种模式，由于芯片中存在各种化学试剂，在此过程中，如果控制不当，极有可能发生通道间电源通过溶液短路问题，从而导致烧毁芯片，损坏电源的事故，为防止此类问题发生，提高测试可靠性，本技术应用可编程芯片(PLD),写入了防止通道间短路或干扰的逻辑电路，从根本上消除了由于编程失误、突然断电和仪器失控引起的芯片短路现象。
[0003]通过上述分析，现有技术存在的问题及缺陷为：
[0004](1)现有微流控芯片电控方法易发生通道间电源通过溶液短路问题；
[0005](2)现有微流控芯片电控方法测试可靠性不足；
[0006](3)现有微流控芯片电控方法易损坏电源。
技术实现思路
[0007]为了解决现有技术存在的问题，本技术提供了一种微流控芯片高压电源失控保护电路装置。
[0008]本技术是这样实现的，一种微流控芯片高压电源失控保护电路装置，所述微流控芯片高压电源失控保护电路装置设置有上位机，所述上位机与可编程芯片相连接，所述可编程芯片与微流控芯片高压电路连接；所述可编程芯片与高压转换模块连接，所述微流控芯片高压电路与高压转换模块连接。
[0009]进一步，所述可编程芯片与测试仪连接。
[0010]进一步，所述高压转换模块设置有光电耦合器。
[0011]进一步，所述微流控芯片高压电路中设置有芯片测量子电路，所述芯片测量子电路包括供电次子电路；所述供电次子电路输出端与待测芯片连接，所述供电次子电路用于为所述待测芯片供电。
[0012]进一步，所述可编程芯片与自检电压芯片连接，所述自检电压芯片与微流控芯片高压电路连接。
[0013]进一步，所述微流控芯片高压电路设置有第一电压采样单元及第二电压采样单元；所述的第一电压采样单元及第二电压采样单元中均包括第三PMOS管 P3、第四PMOS管P4、第二开关、第三开关及三极管；所述的第三PMOS管 P3的栅极接入所述的第一电流I1，所述的第四PMOS管P4的栅极接入所述的第二电流I2；所述的第三PMOS管P3的漏极及第四PMOS管P4的漏极均接地；所述的第三PMOS管P3的源极通过第二开关与所述的三极管的发射极相连接，所述的第四PMOS管P4的源极通过第三开关与所述的三极管的发射极相连接；所述的
三极管的基极及集电极均接地。
[0014]进一步，所述可编程芯片为FPGA芯片或CPLD芯片；所述可编程芯片与内部储存芯片连接，所述存储芯片为EEPROM芯片或Flash芯片；所述可编程芯片与集成电路功能芯片连接，所述集成电路功能芯片为CPS1848交换芯片。
[0015]结合上述的所有技术方案，本技术所具备的优点及积极效果为：
[0016]本使用新型应用可编程芯片(PLD)写入了防止通道间短路或干扰的逻辑电路，从根本上消除了由于编程失误、突然断电和仪器失控引起的芯片短路现象。
[0017]本使用新型进一步优化了微流控芯片电控方法测试系统，提高了可靠性；本使用新型解决了现有有微流控芯片电控方法易损坏电源的问题，保证运行的稳定性。
附图说明
[0018]为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对本申请实施例中所需要使用的附图做简单的介绍，显而易见地，下面所描述的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0019]图1是本技术实施例提供的微流控芯片高压电源失控保护电路装置结构示意图。
[0020]图2是本技术实施例提供的微流控芯片高压电路示意图。
[0021]图3是本技术实施例提供的欠压检测示意图。
具体实施方式
[0022]为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
[0023]针对现有技术存在的问题，本技术提供了一种微流控芯片高压电源失控保护电路装置，下面结合附图对本技术作详细的描述。
[0024]如图1至图3所示，微流控芯片高压电源失控保护电路装置设置有上位机，所述上位机与可编程芯片相连接，所述可编程芯片与微流控芯片高压电路连接；所述可编程芯片与高压转换模块连接，所述微流控芯片高压电路与高压转换模块连接；上位机用于为生成第一控制指令、第二控制指令以及第三控制指令；
[0025]可编程芯片与测试仪连接；高压转换模块设置有光电耦合器；微流控芯片高压电路中设置有芯片测量子电路，所述芯片测量子电路包括供电次子电路；所述供电次子电路输出端与待测芯片连接，所述供电次子电路用于为所述待测芯片供电；可编程芯片与自检电压芯片连接，所述自检电压芯片与微流控芯片高压电路连接；微流控芯片高压电路设置有第一电压采样单元及第二电压采样单元；所述的第一电压采样单元及第二电压采样单元中均包括第三PMOS管P3、第四PMOS管P4、第二开关、第三开关及三极管；所述的第三PMOS管 P3的栅极接入所述的第一电流I1，所述的第四PMOS管P4的栅极接入所述的第二电流I2；所述的第三PMOS管P3的漏极及第四PMOS管P4的漏极均接地；所述的第三PMOS管P3的源极通过第二开关与所述的三极管的发射极相连接，所述的第四PMOS管P4的源极通过第三开关与所
述的三极管的发射极相连接；所述的三极管的基极及集电极均接地；可编程芯片为FPGA芯片或CPLD芯片；所述可编程芯片与内部储存芯片连接，所述存储芯片为EEPROM芯片或Flash 芯片；所述可编程芯片与集成电路功能芯片连接，所述集成电路功能芯片为 CPS1848交换芯片。
[0026]本技术解决的实际技术问题是：解决了现有微流控芯片电控方法易发生通道间电源通过溶液短路问题；现有微流控芯片电控方法测试可靠性不足；现有微流控芯片电控方法易损坏电源。
[0027]本技术所具备的优点及积极效果为：本使用新型应用可编程芯片(PLD) 写入了防止通道间短路或干扰的逻辑电路，从根本上消除了由于编程失误、突然断电和仪器失控引起的芯片短路现象；本使用新型进一步优化了微流控芯片电控方法测试系统，提高了可靠性；本使用新型解决了现有有微流控芯片电控方法易损坏电源的问题，保证运行的稳定性。
[0028]在本技术的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上；术语“上”、“下”、“左”、“右”、“内”、“外”、“前端”、“后端”、“头部”、“尾部”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种微流控芯片高压电源失控保护电路装置，其特征在于，所述微流控芯片高压电源失控保护电路装置设置有上位机，所述上位机与可编程芯片相连接，所述可编程芯片与微流控芯片高压电路连接；所述可编程芯片与高压转换模块连接，所述微流控芯片高压电路与高压转换模块连接。2.如权利要求1所述的微流控芯片高压电源失控保护电路装置，其特征在于，所述可编程芯片与测试仪连接。3.如权利要求1所述的微流控芯片高压电源失控保护电路装置，其特征在于，所述高压转换模块设置有光电耦合器。4.如权利要求1所述的微流控芯片高压电源失控保护电路装置，其特征在于，所述微流控芯片高压电路中设置有芯片测量子电路，所述芯片测量子电路包括供电次子电路；所述供电次子电路输出端与待测芯片连接，所述供电次子电路用于为所述待测芯片供电。5.如权利要求1所述的微流控芯片高压电源失控保护电路装置，其特征在于，所述可编程芯片与自检电压芯片连接，所述自检电压芯片与微流控芯片高压电路连接。6.如权利要求1所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：周起设，
申请(专利权)人：西安瑞迈分析仪器有限责任公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。