一种光电耦合器制造方法及光电耦合器技术

本申请提供了一种光电耦合器制造方法及光电耦合器，本申请提供了通过增材制造方式将所述第一芯片的底部电极进行生长，得到第一底部延长面，并在所述第一底部延长面的同一平面设置第一顶部延长面、第二底部延长面和第二顶部延长面；通过增材制造方式将所述第一芯片的顶部电极与所述第一顶部延长面进行连接，得到第一导电通路；通过增材制造方式将所述第二顶部延长面和所述第二芯片的顶部电极进行连接，得到第二导电通路；通过增材制造方式将所述第二底部延长面和所述第二芯片的底部电极进行连接，得到第三导电通路。实现了发射芯片和接收芯片的最佳反应效果，提高了产品的一致性和稳定性，免基板封装，实现了小型化、超薄化封装形式。形式。形式。

【技术实现步骤摘要】
一种光电耦合器制造方法及光电耦合器


[0001]本申请涉及光电耦合器
，特别是一种光电耦合器制造方法及光电耦合器。

技术介绍

[0002]光耦合器亦称光电隔离器或光电耦合器，简称光耦。光耦是以光为媒介来传输电信号的器件，通常把发光器(红外线发光二极管LED)与受光器(光敏半导体管)封装在同一管壳内。当输入端加电信号时发光器发出光线，受光器接受光线之后就产生光电流，从输出端流出，从而实现了“电—光—电”转换。以光为媒介把输入端信号耦合到输出端的光电耦合器，由于光耦具有体积小、寿命长、无触点，抗干扰能力强，输出和输入之间绝缘，单向传输信号等优点，在数字电路上获得广泛的应用。
[0003]目前最新的型贴片式光耦，都是采用发射芯片和接收芯片并排在同一平面上。
[0004]但是发射和接收的效果差，器件参数一致性差。

技术实现思路

[0005]鉴于所述问题，提出了本申请以便提供克服所述问题或者至少部分地解决所述问题的一种光电耦合器制造方法及光电耦合器，包括：
[0006]一种光电耦合器制造方法，用于将第一芯片和第二芯片制造成光电耦合器，所述方法包括：
[0007]通过增材制造方式将所述第一芯片的底部电极进行生长，得到第一底部延长面，并在所述第一底部延长面的同一平面设置第一顶部延长面、第二底部延长面和第二顶部延长面；
[0008]通过增材制造方式将所述第一芯片的顶部电极与所述第一顶部延长面进行连接，得到第一导电通路；
[0009]在所述第一芯片的顶部电极方向的目标区域进行绝缘封装，并在所述第一芯片相对应的位置设置所述第二芯片；其中，所述第二芯片的顶部电极朝所述第一芯片的方向；
[0010]通过增材制造方式将所述第二顶部延长面和所述第二芯片的顶部电极进行连接，以及将所述第二底部延长面和所述第二芯片的底部电极进行连接，再进行灌胶封装得到光电耦合器。
[0011]优选地，所述通过增材制造方式将所述第一芯片的底部电极进行生长，得到第一底部延长面的步骤，包括：
[0012]对第一芯片进行灌胶封装至露出所述第一芯片的底部电极，得到第一封装胶层；
[0013]在所述第一封装胶层的预设位置做通孔，并将通孔金属化得到第一金属柱、第二金属柱和第三金属柱；
[0014]通过增材制造方式将所述第一芯片的底部电极的区域进行生长，得到第一底部延长面；其中，所述底部电极延长面的面积大于所述第一芯片的底部电极的面积。
[0015]优选地，所述在所述第一底部延长面的同一平面设置第一顶部延长面、第二底部延长面和第二顶部延长面的步骤，包括：
[0016]通过增材制造方式在所述第一金属柱的区域设置所述第一顶部延长面；
[0017]通过增材制造方式在所述第二金属柱的区域设置所述第二顶部延长面；
[0018]通过增材制造方式在所述第三金属柱的区域设置所述第二底部延长面。
[0019]优选地，所述通过增材制造方式将所述第一芯片的顶部电极与所述第一顶部延长面进行连接，得到第一导电通路的步骤，包括：
[0020]通过增材制造方式将所述第一金属柱与所述第一芯片的顶部电极进行连接，得到所述第一导电通路。
[0021]优选地，所述在所述第一芯片的顶部电极方向的目标区域进行绝缘封装，并在所述第一芯片相对应的位置设置所述第二芯片的步骤，包括：
[0022]在第一芯片的顶部电极方向的目标区域灌透明胶，得到预制件；
[0023]在所述预制件的顶部与所述第一芯片相对应的位置设置第二芯片。
[0024]优选地，所述在第一芯片的顶部电极方向的目标区域灌透明胶，得到预制件的步骤，包括：
[0025]将所第一芯片朝顶部电极方向的顶部电极区域、第一金属柱区域、第二金属柱区域和第三金属柱区域通过遮挡层遮挡，并灌胶封装得到第二封装胶层；
[0026]将所述遮挡层去除，并灌透明胶得到所述预制件。
[0027]优选地，所述将所第一芯片朝顶部电极方向的顶部电极区域、第一金属柱区域、第二金属柱区域和第三金属柱区域通过遮挡层遮挡的步骤，包括：
[0028]在所述第一封装层朝顶部电极方向进行掩膜形成掩膜层；
[0029]在所述掩膜层的非目标区域进行刻蚀形成所述遮挡层，并灌胶封装至所述遮挡层得到第三封装胶层；其中，所述非目标区域为所述顶部电极区域、所述第一金属柱区域、所述第二金属柱区域以外的区域。
[0030]优选地，所述通过增材制造方式将所述第二顶部延长面和所述第二芯片的顶部电极进行连接，以及将所述第二底部延长面和所述第二芯片的底部电极进行连接，再进行灌胶封装得到光电耦合器的步骤，包括：
[0031]通过增材制造方式将所述第二顶部延长面和所述第二芯片的顶部电极进行连接，得到第二导电通路；
[0032]通过增材制造方式将所述第二底部延长面和所述第二芯片的底部电极进行连接，得到第三导电通路，再进行灌胶封装得到光电耦合器。
[0033]优选地，所述通过增材制造方式将所述第二顶部延长面和所述第二芯片的顶部电极进行连接，得到第二导电通路的步骤，包括：
[0034]在所述第二金属柱和所述第三金属柱的上方分别做通孔，并将通孔金属化得到第四金属柱和第五金属柱；
[0035]通过增材制造方式将所述第四金属柱和所述第二芯片的顶部电极进行连接，得到所述第二导电通路。
[0036]优选地，所述通过增材制造方式将所述第二底部延长面和所述第二芯片的底部电极进行连接，得到第三导电通路的步骤，包括：
[0037]对所述第二导电通路进行灌胶封装，得到第四封装胶层；
[0038]在所述第四封装胶层与所述第五金属柱的上方做通孔，并将通孔金属化得到第六金属柱；
[0039]通过增材制造方式将所述第六金属柱和所述第二芯片的底部电极进行连接，得到所述第三导电通路。
[0040]优选地，所述进行灌胶封装得到光电耦合器的步骤，包括：
[0041]对所述第三导通通路进行灌胶封装，得到所述光电耦合器。
[0042]为实现本申请还包括一种光电耦合器制造方法制备得到的光电耦合器，包括：第一芯片、第二芯片、第一底部延长面、第二底部延长面、第一顶部延长面和第二顶部延长面；
[0043]所述第一芯片的底部电极与所述第一底部延长面连接，所述第一芯片的顶部电极通过第一导电通路与所述第一顶部延长面连接；
[0044]所述第一芯片上方设置所述第二芯片，且第一芯片和所述第二芯片中间设有透明胶层；其中，所述第一芯片的顶部电极与所述第二芯片的顶部电极相对设置；
[0045]所述第二芯片的底部电极通过第二导电通路与所述第二底部延长面连接，所述第一芯片的顶部电极通过第三导电通路与所述第二顶部延长面连接。
[0046]本申请具有以下优点：
[0047]在本申请的实施例中，相对于现有技术中的“发射和接收的效果差，器件参数一致性差”，本申请提供了“通过增材制造方式生成第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光电耦合器制造方法，用于将第一芯片和第二芯片制造成光电耦合器，其特征在于，所述方法包括：通过增材制造方式将所述第一芯片的底部电极进行生长，得到第一底部延长面，并在所述第一底部延长面的同一平面设置第一顶部延长面、第二底部延长面和第二顶部延长面；通过增材制造方式将所述第一芯片的顶部电极与所述第一顶部延长面进行连接，得到第一导电通路；在所述第一芯片的顶部电极方向的目标区域进行绝缘封装，并在所述第一芯片相对应的位置设置所述第二芯片；其中，所述第二芯片的顶部电极朝所述第一芯片的方向；通过增材制造方式将所述第二顶部延长面和所述第二芯片的顶部电极进行连接，以及将所述第二底部延长面和所述第二芯片的底部电极进行连接，再进行灌胶封装得到光电耦合器。2.根据权利要求1所述的光电耦合器制造方法，其特征在于，所述通过增材制造方式将所述第一芯片的底部电极进行生长，得到第一底部延长面的步骤，包括：对第一芯片进行灌胶封装至露出所述第一芯片的底部电极，得到第一封装胶层；在所述第一封装胶层的预设位置做通孔，并将通孔金属化得到第一金属柱、第二金属柱和第三金属柱；通过增材制造方式将所述第一芯片的底部电极的区域进行生长，得到第一底部延长面；其中，所述底部电极延长面的面积大于所述第一芯片的底部电极的面积。3.根据权利要求2所述的光电耦合器制造方法，其特征在于，所述在所述第一底部延长面的同一平面设置第一顶部延长面、第二底部延长面和第二顶部延长面的步骤，包括：通过增材制造方式在所述第一金属柱的区域设置所述第一顶部延长面；通过增材制造方式在所述第二金属柱的区域设置所述第二顶部延长面；通过增材制造方式在所述第三金属柱的区域设置所述第二底部延长面。4.根据权利要求2所述的光电耦合器制造方法，其特征在于，所述通过增材制造方式将所述第一芯片的顶部电极与所述第一顶部延长面进行连接，得到第一导电通路的步骤，包括：通过增材制造方式将所述第一金属柱与所述第一芯片的顶部电极进行连接，得到所述第一导电通路。5.根据权利要求2所述的光电耦合器制造方法，其特征在于，所述在所述第一芯片的顶部电极方向的目标区域进行绝缘封装，并在所述第一芯片相对应的位置设置所述第二芯片的步骤，包括：在第一芯片的顶部电极方向的目标区域灌透明胶，得到预制件；在所述预制件的顶部与所述第一芯片相对应的位置设置第二芯片。6.根据权利要求5所述的光电耦合器制造方法，其特征在于，所述在第一芯片的顶部电极方向的目标区域灌透明胶，得到预制件的步骤，包括：将所第一芯片朝顶部电极方向的顶部电极区域、第一金属柱区域、第二金属柱区域和第三金属柱区域通过遮挡层遮挡，并灌胶封装得到第二封装胶层；...

【专利技术属性】
技术研发人员：祁山，申广，何懿德，
申请(专利权)人：深圳瑞沃微半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：