显示装置以及显示装置的制造方法制造方法及图纸

本公开的显示装置具备：具备显示面和存在于显示面的腔室的腔室构造体；和位于腔室的发光元件。腔室具备底面部和导电性或半导电性的侧壁部。侧壁部的高度为发光元件的高度的3倍以上。以上。以上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】显示装置以及显示装置的制造方法


[0001]本公开涉及具备发光二极管元件等自发光型的发光元件的显示装置以及其制造方法。

技术介绍

[0002]过去，例如已知专利文献1记载的显示装置。
[0003]在先技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：JP特开2013
‑
37138号公报

技术实现思路

[0006]本公开的显示装置具备：腔室构造体，具备显示面和存在于所述显示面的腔室；和发光元件，位于所述腔室，所述腔室具备底面部和导电性或半导电性的侧壁部，所述侧壁部的高度为所述发光元件的高度的3倍以上。
[0007]作为本公开的显示装置的制造方法的第1制造方法包含：准备具有包含收容发光元件的腔室的底面部的面的基板，在所述底面部上配置发光元件，在包含所述底面部的面中的所述底面部的剩余的部位上配置所述腔室的侧壁部，所述侧壁部含有导电性材料或半导电性材料并且具有所述发光元件的高度的3倍以上的高度。
[0008]此外，作为本公开的显示装置的制造方法的第2制造方法包含：准备第1透明基板和第2透明基板，所述第1透明基板具有包含配置发光元件的配置部的第1面，所述第2透明基板具有与所述第1面对置的第2面，在所述第2面的与所述配置部对置的部位存在收容发光元件的腔室的底面部，在所述配置部上配置发光元件，在所述第2面中的所述底面部的剩余的部位上配置所述腔室的侧壁部，所述侧壁部含有导电性材料或半导电性材料并且具有所述发光元件的高度的3倍以上的高度。
附图说明
[0009]本公开的目的、特色以及优点会根据下述的详细说明和附图而变得更加明确。
[0010]图1是示意表示本公开的一实施方式所涉及的显示装置的部分俯视图。
[0011]图2是在图1的切断面线A1
‑
A2切断的部分截面图。
[0012]图3是示意表示本公开的其他实施方式所涉及的显示装置的部分截面图。
[0013]图4是示意表示本公开的其他实施方式所涉及的显示装置的部分截面图。
[0014]图5是示意表示本公开的其他实施方式所涉及的显示装置的部分截面图。
[0015]图6是示意表示本公开的其他实施方式所涉及的显示装置的部分截面图。
[0016]图7是示意表示本公开的其他实施方式所涉及的显示装置的部分截面图。
[0017]图8是示意表示本公开的其他实施方式所涉及的显示装置的部分截面图。
[0018]图9是说明本公开的一实施方式所涉及的显示装置的制造方法的流程图。
[0019]图10是示意表示双面显示装置的一部分的部分截面图。
[0020]图11是说明本公开的一实施方式所涉及的显示装置的制造方法的流程图。
具体实施方式
[0021]说明本公开的实施方式所涉及的显示装置设为基础的结构。过去，提出各种具备多个具有发光二极管元件等自发光型的发光元件的发光部的显示装置。专利文献1公开了将具有发光元件和包围该发光元件的树脂制间隔壁的发光部在基板上排列多个而成的显示装置。
[0022]现有的显示装置中，基板有时易于蓄积静电，发光元件的发光层有时会被静电击穿。此外，现有的显示装置中，有时在发光元件的驱动时难以将从光元件产生的热散热到装置外，有时会因从发光元件产生的热的影响而发光元件的发光效率降低，显示图像的亮度降低。
[0023]此外，近年来，伴随显示图像的高精细化，发光元件的小型化以及低消耗电力化正在推进。与此对应，为了抑制显示图像的亮度、对比度等显示品质的降低，谋求提高从显示装置的发光部出射的光的指向性以及取出效率。
[0024]图1是示意表示本公开的一实施方式所涉及的显示装置的部分俯视图，图2是在图1的切断面线A1
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A2切断的部分截面图。图3～8是示意表示本公开的其他实施方式所涉及的显示装置的部分截面图。图3～8所示的部分截面图与图2所示的部分截面图对应。
[0025]如图2所示那样，本公开的显示装置1具备：具有显示面3b以及存在于显示面3b的腔室3c的腔室构造体30；和位于腔室3c的发光元件4。腔室3c具有底面部3c1、以及导电性或半导电性的侧壁部3c2。换言之，腔室3c通过底面部3c1和导电性或半导电性的侧壁部3c2而被规定。显示装置1的侧壁部3c2的高度被设为发光元件4的高度的3倍以上的高度。在上述中，显示面3b是外部的视觉辨认者对显示装置1的显示图像进行视觉辨认的视觉辨认面，是显示侧的面。腔室3c在显示面3b上开口。发光元件4可以搭载于底面部3c1。此外，“侧壁部3c2的高度”以及“发光元件4的高度”是指以底面部3c1为基准的高度。另外，如后述那样，底面部3c1包含于第1基板2的第1面2a，腔室3c包含形成于第2基板3的贯通孔31。
[0026]上述的显示装置1起到如下的效果。腔室3c的侧壁部3c2能作为使静电散发的静电散发部而发挥功能。其结果，即使包含底面部3c1的第1基板2是易于蓄积静电的绝缘基板，也能抑制在第1基板2蓄积静电，能抑制发光元件4的发光层被静电击穿。此外，在将发光元件4的阴极端子与侧壁部3c2电连接的情况下，具有大表面积以及大体积的侧壁部3c2能作为稳定的阴极电位部发挥功能。其结果，发光元件4的特性稳定，亮度的控制等变得容易。此外，在使用具有导电性的金属材料或合金材料、或者具有半导电性的硅等稠密的结晶性材料来构成腔室3c的侧壁部3c2的情况下，侧壁部3c2具有较高的热传导性。其结果，由于能将从发光元件4产生的热向外部有效地散热，因此，能抑制发光元件4的发光效率的降低，能进行高亮度的图像显示。进而，构成腔室3c的侧壁部3c2由于高度为发光元件4的高度的3倍以上，因此，腔室3c变深，能更加提高光的指向性以及光取出效率。其结果，即使伴随显示图像的高精细化而发光元件4被小型化以及低消耗电力化，也能抑制显示图像的亮度、对比度等显示品质的降低。
[0027]此外，由于侧壁部3c2的高度为发光元件4的高度的3倍以上，因此，构成腔室3c的
贯通孔31的深度变深。由此，能使从发光元件4辐射的光(以下也仅称作“发光元件4的辐射光”)在贯通孔31的内表面31a反射至少一次，例如多次反射。其结果，能使从贯通孔31的内部出射到外部的光接近于平行光，能提高从显示装置1出射的光的指向性。例如，发光元件4的辐射光有时从与显示面3b垂直的方向倾斜20
°
～50
°
左右的方向成为最大强度方向。在该情况下，能使最大强度方向的光在贯通孔31的内表面31a多次反射。多次可以设为2次～5次左右。
[0028]发光元件4的辐射光的最大强度方向的光能在贯通孔31内的内表面31a多次反射的侧壁部3c2的高度可以是发光元件4的高度的3倍以上且20倍左右以下，也可以是5倍以上且10倍左右以下。
[0029]发光元件4的高度可以是2μm～10μm左右，侧壁部3c2的高度可以是30μm～300μm左右，但并不限定于这些高度的值本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种显示装置，具备：腔室构造体，具备显示面和存在于所述显示面的腔室；和发光元件，位于所述腔室，所述腔室具备底面部和导电性或半导电性的侧壁部，所述侧壁部的高度为所述发光元件的高度的3倍以上。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述腔室构造体具备：第1基板，具有包含所述底面部的第1面；和第2基板，位于所述第1面上，具有与所述第1面对置的第2面以及与所述第2面相反的一侧的作为所述显示面的第3面，通过具有从所述第2面贯通到所述第3面的贯通孔来构成所述侧壁部，所述发光元件位于通过所述贯通孔而露出的所述底面部上，绝缘体介于所述第1基板与所述第2基板之间。3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述发光元件具备第1电位的第1端子以及与所述第1电位不同的第2电位的第2端子，所述第2基板与所述第2端子电连接。4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述显示装置具备：透明导体层，位于所述第1基板与所述第2基板之间，与所述第2端子电连接，所述第2基板与所述透明导体层相接。5.根据权利要求2～4中任一项所述的显示装置，其中，所述第2基板的线膨胀系数为所述第1基板的线膨胀系数的0.8倍以上且2倍以下。6.根据权利要求2～5中任一项所述的显示装置，其中，所述贯通孔的内表面具有光反射性。7.根据权利要求2～6中任一项所述的显示装置，其中，所述第2基板具有位于所述第3面上的光吸收层。8.根据权利要求2～7中任一项所述的显示装置，其中，所述显示装置包含：光透射体，位于所述贯通孔。9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述光透射体分散有绝缘体粒子。10.根据权利要求2～9中任一项所述的显示装置，其中，所述贯通孔的与所述第2面平行的截面处的开口面积从所述第2面向所述第3面逐渐增加。11.根据权利要求2～10中任一项所述的显示装置，其中，所述第2基板的厚度比所述第1基板的厚度厚。12.根据权利要求1～11中任一项所述的显示装置，其中，所述发光元件包含：纵型发光二极管元件，具备一个端子、位于所述一个端子上的发光层、和位于所述发光层上的另一个端子。13.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述侧壁部含有金属材料或合金材料。14.根据权利要求13所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：玉置昌哉，
申请(专利权)人：京瓷株式会社，
类型：发明
国别省市：