用于处理基板的装置和用于处理基板的方法制造方法及图纸

本发明专利技术构思提供了一种基板处理装置和基板处理的方法。该基板处理装置包括：第一工艺处理单元，该第一工艺处理单元配置为以单一式方法对基板进行处理；第二工艺处理单元，该第二工艺处理单元配置为以批量式方法对基板进行处理；以及姿态改变单元，该姿态改变单元设置在第一工艺处理单元与第二工艺处理单元之间，并且配置为在竖直姿态和水平姿态之间改变基板的姿态，并且其中基板被装载到第一工艺处理单元并从第一工艺处理单元卸载。理单元并从第一工艺处理单元卸载。理单元并从第一工艺处理单元卸载。

【技术实现步骤摘要】
用于处理基板的装置和用于处理基板的方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年11月05日提交韩国知识产权局的、申请号为10
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2021
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0150990的韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用结合在本申请中。


[0003]在文中所描述的本专利技术构思的实施方案涉及一种基板处理装置和一种基板处理方法。

技术介绍

[0004]为了制造半导体元件，所期望的图案通过在基板上进行诸如光刻工艺、蚀刻工艺、灰化工艺、离子植入工艺以及薄膜沉积工艺的各种工艺来形成在基板(例如，晶圆)上。在各个工艺中使用各种处理液和处理气体，并且在工艺期间会产生颗粒和工艺副产物。为了将基板上的薄膜、颗粒和工艺副产物从基板去除，在每种工艺之前和之后执行液体处理工艺。在通用液体处理工艺中，在干燥之前用化学品和冲洗液对基板进行处理。在液体处理工艺中，可以将基板上的SiN剥离。
[0005]此外，使用诸如化学品和/或冲洗液等处理液的基板处理方法可以被分为批量处理多个基板的批量式处理方法(batch type treating method)和逐个处理基板的单一式处理方法(single
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type treating method)。
[0006]在集体地处理多个基板的批量式处理方法中，通过将竖直姿态的多个基板集体地浸入在储存有化学品或冲洗液的处理浴(treating bath)中来执行基板处理。为此，基板处理的量产性(mass productivity)是优异的，并且每个基板之间的处理质量是均匀的。在批量式处理方法中，将在其顶表面上形成有图案的多个基板以竖直姿态浸入。因此，如果在基板上形成的图案具有高的纵横比，则在基板上形成的图案在诸如提升基板的工艺期间可能发生图案倾斜现象。此外，如果在多个基板暴露于空气的状态下的短时间内没有快速地执行干燥处理，则在暴露于空气的多个基板中的一些上可能产生水印。
[0007]另一方面，在逐个处理基板的单一式处理方法的情况下，通过向以水平姿态旋转的单个基板供应化学品或冲洗液来执行基板处理。此外，在单一式处理方法中，由于传送的基板保持水平姿态，所以降低了图案倾斜现象的风险，并且因为基板被逐个处理、且经处理的基板被立即干燥或液体处理，因此降低了水印的风险。然而，在单一式处理方法的情况下，基板处理的量产性较差，并且与批量式处理方法相比，各个基板之间的处理质量相对不均匀。
[0008]此外，如果通过旋转对基板进行离心干燥(spin
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dried)，如果在基板上形成的图案具有高的纵横比，则存在可能发生倾斜现象的担忧，在该倾斜现象中，在基板上形成的图案可能坍塌。

技术实现思路

[0009]本专利技术构思的实施方案提供了一种用于有效对基板进行处理的基板处理装置和方法。
[0010]本专利技术构思的实施方案提供了一种用于改善基板处理的量产性的基板处理装置和方法。
[0011]本专利技术构思的实施方案提供了一种用于改善每个基板之间处理质量的均匀性的基板处理装置和方法。
[0012]本专利技术构思的实施方案提供了一种用于使基板上产生水印的风险最小化的基板处理装置和方法。
[0013]本专利技术构思的实施方案提供了一种用于使在基板上形成的图案的倾斜现象的发生最小化的基板处理装置和方法。
[0014]本专利技术构思的实施方案提供一种用于有效地处理在其上形成有高纵横比图案的基板的基板处理装置和方法。
[0015]本专利技术构思的实施方案提供了一种用于使烟气(fume)的产生最小化并减小装置的尺寸以增加空间利用率的基板处理装置和方法。
[0016]本专利技术构思的技术目的不限于上述技术目的，并且其他未提及的技术目的对本领域技术人员而言将从以下描述中变得显而易见。
[0017]本专利技术构思提供了一种基板处理装置。该基板处理装置包括：第一工艺处理单元，该第一工艺处理单元配置为以单一式方法对基板进行处理；第二工艺处理单元，该第二工艺处理单元配置为以批量式方法对基板进行处理；以及姿态改变单元，该姿态改变单元设置在第一工艺处理单元与第二工艺处理单元之间、且配置为在竖直姿态与水平姿态之间改变基板的姿态，并且其中基板被装载到第一工艺处理单元、并从第一工艺处理单元卸载。
[0018]在实施方案中，姿态改变单元包括：姿态改变机械手，该姿态改变机械手用于在竖直姿态与水平姿态之间改变基板的姿态；姿态改变处理浴，该姿态改变处理浴具有用于储存基板的储存空间；以及支承构件，该支承构件定位在姿态改变处理浴的储存空间内，并且支承构件支承通过姿态改变机械手使姿态改变为竖直姿态的基板。
[0019]在实施方案中，第一工艺处理单元包括：液体处理单元，该液体处理单元配置为通过向水平姿态的基板供应第一处理液来以单一式方法对基板进行处理；以及缓冲单元，该缓冲单元配置为储存已经在液体处理单元中处理的水平姿态的基板。
[0020]在实施方案中，姿态改变机械手在缓冲单元与姿态改变处理浴之间移动，并且姿态改变机械手将储存在缓冲单元中的水平姿态的基板改变为竖直姿态、以传送到姿态改变处理浴，并且将储存在姿态改变处理浴中的竖直姿态的基板改变为水平姿态、以传送到缓冲单元。
[0021]在实施方案中，第二工艺处理单元包括：多个批量式处理浴，该多个批量式处理浴用于对基板进行批量式处理；以及传送单元，该传送单元配置为在姿态改变处理浴与多个批量式处理浴之间传送基板。
[0022]在实施方案中，多个批量式处理浴包括：第一批量式处理浴，该第一批量式处理浴用于通过向基板供应第二处理液来对基板进行批量式处理；以及第二批量式处理浴，该第二批量式处理浴用于通过向基板供应第三处理液来对基板进行批量式处理。
[0023]在实施方案中，第一工艺处理单元包括：有机溶剂处理单元，该有机溶剂处理单元配置为通过向基板供应有机溶剂来对基板进行单一式处理；超临界处理单元，该超临界处理单元配置为通过向基板供应干燥流体来对基板进行单一式处理；以及传送处理单元，该传送处理单元配置为在缓冲单元、液体处理单元、有机溶剂处理单元与干燥处理单元之间传送基板。
[0024]在实施方案中，第一工艺处理单元包括装载端口单元，该装载端口单元配置为包括多个装载端口，并且该多个装载端口的部分设置为第一装载端口单元，在该第一装载端口单元处装载水平姿态的基板，并且多个装载端口的其他部分设置为第二装载端口单元，在该第二装载端口单元处卸载水平姿态的基板。
[0025]在实施方案中，姿态改变机械手包括：手部，该手部配置为保持基板；以及臂，该臂移动该手部。
[0026]在实施方案中，基板处理装置还包括控制器，并且其中控制器控制基板以顺序地执行：基板装载步骤，该基板装载步骤用于将水平姿态的基板装载到第一工艺处理单元的装载端口；第一单一式处理步骤，该第一单一式处理步骤用于在第一工艺处理单元的液体处理单元中对水平姿态的基板进行处理；第一姿态改变步骤，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，所述基板处理装置包括：第一工艺处理单元，所述第一工艺处理单元配置为以单一式方法对基板进行处理；第二工艺处理单元，所述第二工艺处理单元配置为以批量式方法对基板进行处理；以及姿态改变单元，所述姿态改变单元设置在所述第一工艺处理单元与所述第二工艺处理单元之间、且配置为在竖直姿态与水平姿态之间改变所述基板的姿态，并且其中，所述基板被装载到所述第一工艺处理单元、并从所述第一工艺处理单元卸载。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述姿态改变单元包括：姿态改变机械手，所述姿态改变机械手用于在所述竖直姿态与所述水平姿态之间改变所述基板的所述姿态；姿态改变处理浴，所述姿态改变处理浴具有用于储存所述基板的储存空间；以及支承构件，所述支承构件定位在所述姿态改变处理浴的所述储存空间内，并且所述支承构件支承通过所述姿态改变机械手使姿态改变为所述竖直姿态的所述基板。3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述第一工艺处理单元包括：液体处理单元，所述液体处理单元配置为通过向所述水平姿态的所述基板供应第一处理液来以单一式方法对所述基板进行处理；以及缓冲单元，所述缓冲单元配置为储存已经在所述液体处理单元中处理的、所述水平姿态的所述基板。4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，所述姿态改变机械手在所述缓冲单元与所述姿态改变处理浴之间移动，并且所述姿态改变机械手将在所述缓冲单元中储存的、所述水平姿态的所述基板改变为所述竖直姿态、以传送到所述姿态改变处理浴，并且将在所述姿态改变处理浴中储存的、所述竖直姿态的所述基板改变为所述水平姿态、以传送到所述缓冲单元。5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，所述第二工艺处理单元包括：多个批量式处理浴，所述多个批量式处理浴用于对所述基板进行批量式处理；以及传送单元，所述传送单元配置为在所述姿态改变处理浴与所述多个批量式处理浴之间传送所述基板。6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，所述多个批量式处理浴包括：第一批量式处理浴，所述第一批量式处理浴通过向所述基板供应第二处理液来对所述基板进行批量式处理；以及第二批量式处理浴，所述第二批量式处理浴通过向所述基板供应第三处理液来对所述基板进行批量式处理。7.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，所述第一工艺处理单元包括：有机溶剂处理单元，所述有机溶剂处理单元配置为通过向所述基板供应有机溶剂来对所述基板进行单一式处理；超临界处理单元，所述超临界处理单元配置为通过向所述基板供应干燥流体来对所述基板进行单一式处理；传送处理单元，所述传送处理单元配置为在所述缓冲单元、所述液体处理单元、所述有机溶剂处理单元与所述干燥处理单元之间传送所述基板。
8.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述第一工艺处理单元包括装载端口单元，所述装载端口单元配置为包括多个装载端口，并且所述多个装载端口的部分设置为第一装载端口单元，在所述第一装载端口单元处装载所述水平姿态的所述基板，并且所述多个装载端口的其他部分设置为第二装载端口单元，在所述第二装载端口单元处卸载所述水平姿态的所述基板。9.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述姿态改变机械手包括：手部，所述手部配置为保持所述基板；以及臂，所述臂移动所述手部。10.根据权利要求1至9中任一项所述的基板处理装置，所述基板处理装置还包括控制器，以及其中，所述控制器控制所述基板以顺序地执行：基板装载步骤，所述基板装载步骤用于将所述水平姿态的所述基板装载到所述第一工艺处理单元的所述装载端口；第一单一式处理步骤，所述第一单一式处理步骤用于在所述第一工艺处理单元的所述液体处理单元中对所述水平姿态的所述基板进行处理；第一姿态改变步骤，所述第一姿态改变步骤用于将所述基板的姿态从所述水平姿态改变为所述竖直姿态；批量式处理步骤，所述批量式处理步骤用于在所述第二工艺处理单元中对所述竖直姿态的所述基板进行处理；第二姿态改变步骤，所述第二姿态改变步骤用于将所述基板的姿态从所述竖直姿态改变为所述水平姿态；第二单一式处理步骤，所述第二单一式处理步骤用于在所述第一工艺处理单元中对所述水平姿态的所述基板进行处理；以及基板卸载步骤，所述基板卸载步骤用于将所述水平姿态的所述基板卸载到所述第一工艺处理单元的所述装载端口。11.一种基板处理装置，所述基板处理装置包括：第一工艺处理单元，所述第一工艺处理单元配置为以单一式方法对基板进行处理；第二工艺处理单元，所述第二工艺处理单元配置为以批量式方法对基板进行处理；第三工艺处理单元，所述第三工艺处理单元配置为以单一式方法对基板进行处理；第一姿态改变单元，所述第一姿态改变单元设置在所述第一工艺处理单元与所述第二工艺处理单元之间，并且所述第一姿态改变单元配置为在竖直姿态和水平姿态之间改变所述基板的姿态；以及第二姿态改变单元，所述第二姿态改变单元设置在所述第二工艺处理单元与所述第三工艺处理单元之间，并且所述第二姿态改变单元配置为在所述竖直姿态与所述水平姿态之间改变所述基板的姿态，并且其中所述第二工艺处理单元设置在...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴贵秀，崔峻荣，张瑛珍，高镛璿，张奎焕，林俊铉，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：