电介质组合物和电子部件制造技术

本发明专利技术涉及一种电介质组合物和电子部件。所述电介质组合物含有钡和锶中的至少任意一种以及钽作为主成分，并且含有钙和硅作为副成分。分。分。

【技术实现步骤摘要】
电介质组合物和电子部件


[0001]本专利技术涉及一种电介质组合物和电子部件。

技术介绍

[0002]例如，如专利文献1所示，开发了不含铅或碱金属而具有高的相对介电常数的电介质组合物。
[0003]但是，新开发的新型的电介质组合物存在如果不以高温进行烧成则无法得到高密度的电介质的问题。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开2000
‑
103671号公报

技术实现思路

[0007]专利技术所要解决的技术问题
[0008]本专利技术是鉴于这样的现状作出的，其目的在于提供一种即使以比较低的温度进行烧成也能够得到高密度的新型的电介质组合物。
[0009]用于解决技术问题的手段
[0010]本专利技术所涉及的电介质组合物含有钡和锶中的至少一种以及钽作为主成分，并且含有钙和硅作为副成分。
[0011]本专利技术所涉及的电介质组合物即使以比较低的温度进行烧成，密度也高，并且相对介电常数也高。作为其理由，认为是以下的事项。
[0012]认为通过作为本专利技术所涉及的电介质组合物的副成分含有钙和硅，构成主成分的元素经由副成分而变得容易移动。其结果，认为即使对电介质组合物以比较低的温度进行烧成也能够提高密度。另外，也能够提高相对介电常数。
[0013]所述主成分优选包含锶。
[0014]由此，即使对电介质组合物以比较低的温度进行烧成，也能够进一步提高密度，并且能够进一步提高相对介电常数。
[0015]所述主成分优选包含钡和锶。
[0016]由此，即使对电介质组合物以比较低的温度进行烧成，也能够进一步提高密度，并且能够进一步提高相对介电常数。
[0017]所述副成分优选还包含钡。
[0018]由此，即使对电介质组合物以比较低的温度进行烧成，也能够进一步提高密度，并且能够进一步提高相对介电常数。
[0019]将所述电介质组合物的总量设为100质量份时，
[0020]钙和硅的合计含量在将钙的原子价设定为2价、将硅的原子价设定为4价时以氧化物换算优选为0.5～10质量份。
[0021]所述主成分优选以{Ba
x
Sr
(1
‑
x)
}
m
Ta4O
12
表示，x为0.75以下。由此，相对介电常数进一步变高，并且密度也进一步变高。进一步，电阻率变高，并且介电损耗变低。
[0022]m优选为1.8～2.2。由此，相对介电常数进一步变高，并且密度和电阻率进一步变高，并且介电损耗进一步变低。
[0023]所述主成分的结晶的晶系优选为四方晶系。
[0024]本专利技术所涉及的电介质组合物优选实质上不含铌、碱金属和铅。
[0025]另外，本专利技术所涉及的电子部件具备上述的电介质组合物。
附图说明
[0026]图1是本专利技术的一个实施方式所涉及的层叠陶瓷电容器的概略截面图。
[0027]符号的说明：
[0028]1…
层叠陶瓷电容器
[0029]10
…
元件主体
[0030]2…
电介质层
[0031]3…
内部电极层
[0032]4…
外部电极。
具体实施方式
[0033]＜层叠陶瓷电容器＞
[0034]在图1中示出作为本实施方式的电子部件的一例的层叠陶瓷电容器1。层叠陶瓷电容器1具有电介质层2与内部电极层3交替层叠而成的元件主体10。在该元件主体10的两端部形成有与在元件主体10的内部交替配置的内部电极层3分别导通的一对外部电极4。元件主体10的形状没有特别限制，通常制成长方体状。另外，元件主体10的尺寸也没有特别限制，根据用途设定为适当的尺寸即可。
[0035]＜电介质层＞
[0036]电介质层2由后述的本实施方式的电介质组合物构成。
[0037]电介质层2的每1层的厚度(层间厚度)没有特别限定，能够根据所期望的特性、用途等进行设定。通常，层间厚度优选为30μm以下，更优选为15μm以下，进一步优选为10μm以下。
[0038]＜内部电极层＞
[0039]本实施方式中，内部电极层3以各端部在元件主体10的相对的2个端面的表面交替露出的方式层叠。
[0040]作为内部电极层3中含有的导电材料，没有特别限定。作为用作导电材料的贵金属，例如，可以列举钯、铂、银
‑
钯合金等。作为用作导电材料的贱金属，例如，可以列举镍、镍系合金、铜、铜系合金等。此外，在镍、镍系合金、铜或铜系合金中，也可以含有磷和/或硫等的各种微量成分0.1质量％左右以下。另外，内部电极层3可以使用市售的电极用膏形成。内部电极层3的厚度根据用途等适当确定即可。
[0041]＜外部电极＞
[0042]外部电极4中含有的导电材料没有特别限定。例如，使用镍、铜、锡、银、钯、铂、金或
者它们的合金、导电性树脂等公知的导电材料即可。外部电极4的厚度根据用途等适当确定即可。
[0043]＜电介质组合物＞
[0044]本实施方式的构成电介质层2的电介质组合物含有钡和锶中的至少任意一种和钽作为主成分。
[0045]本实施方式的电介质组合物的主成分优选包含锶，优选包含锶和钡两者。
[0046]本实施方式的电介质组合物的主成分以{Ba
x
Sr
(1
‑
x)
}
m
Ta4O
12
表示。
[0047]x优选为0.75以下。
[0048]m优选为1.8～2.2，更优选为1.9～2.1。
[0049]本实施方式的电介质组合物的主成分的结晶的晶系没有特别限定，优选为四方晶系或斜方晶系，更优选为四方晶系。
[0050]此外，主成分是指在将电介质组合物中所含的氧以外的元素设为100摩尔份时，占80～100摩尔份的成分，优选为占90～100摩尔份的成分。
[0051]另外，本实施方式的电介质组合物实质上不含铌、碱金属和铅。“实质上不含铌、碱金属和铅”是指在将电介质组合物中所含的氧以外的元素设为100摩尔份时，“铌、碱金属和铅”的合计为10摩尔份以下，优选为5摩尔份以下。
[0052]本实施方式的电介质组合物含有钙和硅作为副成分。另外，副成分优选还包含钡。
[0053]在将电介质组合物的总量设为100质量份时，本实施方式中，电介质组合物中所含的钙和硅的合计量在将钙的原子价设定为2价、将硅的原子价设定为4价时以氧化物换算优选为0.5～10质量份，更优选为1～5质量份。
[0054]本实施方式的电介质组合物中所含的钙的物质的量(摩尔)相对于电介质组合物中所含的硅的物质的量(摩尔)的比优选为0.12～1.1，更优选为0.22～0.88。
[0055]本实施方本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电介质组合物，其中，含有钡和锶中的至少任意一种以及钽作为主成分，含有钙和硅作为副成分。2.如权利要求1所述的电介质组合物，其中，所述主成分包含锶。3.如权利要求1所述的电介质组合物，其中，所述主成分包含钡和锶。4.如权利要求1所述的电介质组合物，其中，所述副成分还包含钡。5.如权利要求1所述的电介质组合物，其中，将所述电介质组合物的总量设为100质量份时，电介质组合物中所含的钙和硅的合计量在将钙的原子价设定为2价、将硅的原子价设定...

【专利技术属性】
技术研发人员：井口俊宏，高桥哲弘，秋场博树，野村凉太，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：