射频模组封装方法、射频模组和计算机可读存储介质技术

本发明专利技术提供了一种射频模组封装方法、射频模组和计算机可读存储介质。射频模组封装方法包括：在基板的相对两侧分别制作出多个焊盘和多个第二焊接点，焊盘和第二焊接点电连接，焊盘的位置与第一焊接点的位置一一对应；将预制的锡球在焊盘远离基板一侧进行植球；将裸芯片倒置盖设于基板并与基板间隔形成空腔，且使裸芯片的第一焊接点分别与对应的锡球进行焊接固定；在裸芯片远离基板的一侧贴合有机衬底保护层，并使有机衬底保护层沿裸芯片的周侧延伸至与基板贴合以覆盖裸芯片，再在有机衬底保护层远离基板的一侧进行注塑生成注塑层。采用本发明专利技术的技术方案可有效避免植球过程中对横向激励薄膜体声波滤波器的空腔造成损坏，封装工艺简单且可靠性高。艺简单且可靠性高。艺简单且可靠性高。

【技术实现步骤摘要】
射频模组封装方法、射频模组和计算机可读存储介质


[0001]本专利技术涉及模块封装
，尤其涉及一种射频模组封装方法、射频模组和计算机可读存储介质。

技术介绍

[0002]目前，移动通信技术的发展，5G时代的到来，射频模组应用越来越广。其中，横向激励薄膜体声波谐振器由于极高的频率和机电耦合系数，得到了工业界极大的关注和发展；横向激励薄膜体声波谐振器在5GHz左右频段的机电耦合系数可达20%以上，完美覆盖了N77，N79等频段。因此，横向激励薄膜体声波谐振器是射频模组的重要的核心器件。
[0003]相关技术的射频模组的封装过程包括：首先，因为将具有横向激励薄膜体声波滤波器的裸芯片进行封装，横向激励薄膜体声波谐振器在实际应用时，通常需要复杂的封装结构，来保护内部的空腔结构及叉指状电极，以保证谐振器的正常工作；其次，将封装好的裸芯片贴合到基板上；最后，将裸芯片和基板进行进一步的封装形成一个整体结构。
[0004]然而，相关技术的射频模组封装的过程工艺复杂，需要将横向激励薄膜体声波谐振器单独封装，造成射频模组封装成本高。如何在不破坏横向激励薄膜体声波谐振器的内部空腔结构进行破坏，封装成射频模组，并且还可以保证可靠性是一个需要解决技术问题。
[0005]因此，实有必要提供一种封装方法和射频模组解决上述问题。

技术实现思路

[0006]针对以上现有技术的不足，本专利技术提出一种可有效避免植球过程中对横向激励薄膜体声波滤波器的空腔造成损坏，封装工艺简单且可靠性高的射频模组封装方法、射频模组和计算机可读存储介质。
[0007]为了解决上述技术问题，第一方面，本专利技术实施例提供了一种射频模组封装方法，所述射频模组包括具有横向激励薄膜体声波滤波器的裸芯片和与所述裸芯片电连接的基板，所述裸芯片设有与所述横向激励薄膜体声波滤波器的输入输出端口相对应的多个第一焊接点，所述基板设有线路层，所述输入输出端口用于与所述线路层电连接；所述射频模组封装方法包括如下步骤：步骤S1、在所述基板的一侧制作出多个焊盘，并在所述基板的另一侧制作出多个第二焊接点，使所述焊盘和所述第二焊接点分别与所述线路层电连接，所述焊盘的位置与所述第一焊接点的位置一一对应；所述第二焊接点用于将所述输入输出端口与外部电路连接；步骤S2、将预制的锡球在所述焊盘远离所述基板一侧进行植球；步骤S3、将所述裸芯片倒置盖设于所述基板并与所述基板间隔形成空腔，且使所述裸芯片的所述第一焊接点分别与对应的所述锡球进行焊接固定，以实现所述裸芯片通过倒装工艺贴合安装于所述基板；步骤S4、在所述裸芯片远离所述基板的一侧贴合有机衬底保护层，并使所述有机
衬底保护层沿所述裸芯片的周侧延伸至与所述基板贴合以覆盖所述裸芯片，再在所述有机衬底保护层远离所述基板的一侧进行注塑生成注塑层，以制成所述射频模组。
[0008]优选的，所述步骤S1中，所述第二焊接点为预制的第二焊盘或第二锡球。
[0009]优选的，所述步骤S2中，所述植球为通过预制的掩膜和预设的植球温度的条件下，在所述焊盘远离所述基板一侧贴合固定所述锡球，所述锡球的大小与所述焊盘的面积匹配。
[0010]优选的，所述植球温度的范围为200摄氏度至280摄氏度。
[0011]优选的，所述步骤S3中，所述第一焊接点分别与对应的所述锡球通过回流焊工艺实现焊接固定。
[0012]优选的，所述步骤S3中，所述横向激励薄膜体声波滤波器具有内部空腔和与所述内部空腔正对的叉指结构；所述内部空腔和所述叉指结构沿所述基板的厚度的方向的正投影完全落入所述空腔的范围内。
[0013]优选的，所述步骤S4中，采用裸芯片模组封装工艺实现所述有机衬底保护层的贴合和所注塑层的注塑。
[0014]第二方面，本专利技术实施例还提供了一种射频模组，所述射频模组为如本专利技术实施例提供的上述的射频模组封装方法制成。
[0015]第三方面，本专利技术实施例还提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序包括程序指令，所述程序指令被处理器执行时实现如本专利技术实施例提供的上述的射频模组封装方法中的步骤。
[0016]与相关技术相比，本专利技术的射频模组封装方法、射频模组和计算机可读存储介质，射频模组封装方法包括如下步骤：步骤S1、在所述基板的一侧制作出多个焊盘，并在所述基板的另一侧制作出多个第二焊接点，使所述焊盘和所述第二焊接点分别与所述线路层电连接，所述焊盘的位置与所述第一焊接点的位置一一对应；步骤S2、将预制的锡球在所述焊盘远离所述基板一侧进行植球；步骤S3、将所述裸芯片倒置盖设于所述基板并与所述基板间隔形成空腔，且使所述裸芯片的所述第一焊接点分别与对应的所述锡球进行焊接固定，以实现所述裸芯片通过倒装工艺贴合安装于所述基板；步骤S4、在所述裸芯片远离所述基板的一侧贴合有机衬底保护层，并使所述有机衬底保护层沿所述裸芯片的周侧延伸至与所述基板贴合以覆盖所述裸芯片，再在所述有机衬底保护层远离所述基板的一侧进行注塑生成注塑层，以制成所述射频模组。射频模组封装方法通过步骤S1和步骤S2在焊盘上进行植球，植球过程中，基板中并未设置横向激励薄膜体声波滤波器，预制的锡球不会破坏横向激励薄膜体声波滤波器的内部空腔和叉指结构，从而提高了封装过程中的可靠性，再通过步骤S3和步骤S4将基板和裸芯片进一步封装，不需要相关技术先将横向激励薄膜体声波滤波器的裸芯片封装成型，从而简化封装工艺且封装成本低。
附图说明
[0017]下面结合附图详细说明本专利技术。通过结合以下附图所作的详细描述，本专利技术的上述或其他方面的内容将变得更清楚和更容易理解。附图中：图1为本专利技术的射频模组封装方法的流程框图；图2为本专利技术的射频模组封装方法的步骤S1完成后的基板的结构示意图；
图3为本专利技术的射频模组封装方法的步骤S2完成后的基板的结构示意图；图4为本专利技术的射频模组封装方法的步骤S3完成后的基板和裸芯片的结构示意图；图5为本专利技术的射频模组封装方法的步骤S4的有机衬底保护层贴合后的基板和裸芯片的结构示意图；图6为本专利技术的射频模组封装方法的步骤S4完成后的射频模组的结构示意图。
具体实施方式
[0018]下面结合附图详细说明本专利技术的具体实施方式。
[0019]在此记载的具体实施方式/实施例为本专利技术的特定的具体实施方式，用于说明本专利技术的构思，均是解释性和示例性的，不应解释为对本专利技术实施方式及本专利技术范围的限制。除在此记载的实施例外，本领域技术人员还能够基于本申请权利要求书和说明书所公开的内容采用显而易见的其它技术方案，这些技术方案包括采用对在此记载的实施例的做出任何显而易见的替换和修改的技术方案，都在本专利技术的保护范围之内。
[0020]本专利技术提供一种射频模组封装方法和射频模组100。请同时参考图1
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6所示，所述射频模组封装方法应用于射频模组100。所述射频模组100为所述射频模组封装方法制成。
[0021]所述射频模组100包括具有横向激励薄膜体声波滤波器的裸芯片1和与本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种射频模组封装方法，所述射频模组包括具有横向激励薄膜体声波滤波器的裸芯片和与所述裸芯片电连接的基板，所述裸芯片设有与所述横向激励薄膜体声波滤波器的输入输出端口相对应的多个第一焊接点，所述基板设有线路层，所述输入输出端口用于与所述线路层电连接；其特征在于，所述射频模组封装方法包括如下步骤：步骤S1、在所述基板的一侧制作出多个焊盘，并在所述基板的另一侧制作出多个第二焊接点，使所述焊盘和所述第二焊接点分别与所述线路层电连接，所述焊盘的位置与所述第一焊接点的位置一一对应；所述第二焊接点用于将所述输入输出端口与外部电路连接；步骤S2、将预制的锡球在所述焊盘远离所述基板一侧进行植球；步骤S3、将所述裸芯片倒置盖设于所述基板并与所述基板间隔形成空腔，且使所述裸芯片的所述第一焊接点分别与对应的所述锡球进行焊接固定，以实现所述裸芯片通过倒装工艺贴合安装于所述基板；步骤S4、在所述裸芯片远离所述基板的一侧贴合有机衬底保护层，并使所述有机衬底保护层沿所述裸芯片的周侧延伸至与所述基板贴合以覆盖所述裸芯片，再在所述有机衬底保护层远离所述基板的一侧进行注塑生成注塑层，以制成所述射频模组。2.根据权利要求1所述的射频模组封装方法，其特征在于，所述步骤S1中，所述第二焊接点为预制的第二焊盘或第二锡球。3.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡锦钊，郭嘉帅，
申请(专利权)人：深圳飞骧科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：