太阳能电池及太阳能电池的制备方法、光伏组件技术

技术编号:37499375 阅读:30 留言:0更新日期:2023-05-07 09:35
本申请实施例涉及太阳能电池技术领域,特别涉及一种太阳能电池及太阳能电池的制备方法、光伏组件,太阳能电池包括:基底;位于基底第一表面且在远离基底第一表面方向依次设置的隧穿介质层以及掺杂导电层,掺杂导电层至少包括:多个间隔排布的主体部;多个间隔排布的第一电极,第一电极沿第一方向延伸,第一电极设置于主体部远离基底的一侧,并与主体部电连接;传输层,传输层位于相邻的主体部之间,并与主体部侧面接触;扩散区,部分扩散区位于传输层中,且扩散区还延伸至隧穿介质层以及基底中,扩散区的掺杂离子浓度大于基底的掺杂离子浓度。本申请实施例有利于提高太阳能电池的光电转换效率。电转换效率。电转换效率。

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池及太阳能电池的制备方法、光伏组件


[0001]本申请实施例涉及太阳能电池领域,特别涉及一种太阳能电池及太阳能电池的制备方法、光伏组件。

技术介绍

[0002]太阳能电池具有较好的光电转换能力,通常,在基底表面会制备隧穿氧化层以及掺杂导电层,用于抑制太阳能电池中基底表面的载流子复合以及增强对基底的钝化效果。其中,隧穿氧化层具有较好的化学钝化效果,掺杂导电层具有较好的场钝化效果。此外,为了对太阳能电池产生的光生载流子进行传输并收集,还会在部分基底表面制备电极
[0003]然而,目前的太阳能电池存在光电转换效率较低的问题。

技术实现思路

[0004]本申请实施例提供一种太阳能电池及太阳能电池的制备方法、光伏组件,至少有利于提高太阳能电池的光电转换效率。
[0005]本申请实施例提供一种太阳能电池,包括:基底;位于所述基底第一表面且在远离所述基底第一表面方向依次设置的隧穿介质层以及掺杂导电层,所述掺杂导电层至少包括:多个间隔排布的主体部;多个间隔排布的第一电极,所述第一电极沿第一方向延伸,所述第一电极设置于所述主体部远离所述基底的一侧,并与所述主体部电连接;传输层,所述传输层位于相邻的所述主体部之间,并与所述主体部侧面接触;扩散区,部分所述扩散区位于所述传输层中,且所述扩散区还延伸至所述隧穿介质层以及所述基底中,所述扩散区的掺杂离子浓度大于所述基底的掺杂离子浓度。
[0006]另外,所述扩散区包括:位于所述基底中的第一区、位于所述隧穿介质层中的第二区以及位于所述传输层中的第三区,所述第一区的掺杂离子浓度小于所述第二区的掺杂离子浓度,且所述第二区的掺杂离子浓度小于所述第三区的掺杂离子浓度。
[0007]另外,所述第一区的掺杂离子浓度与所述基底的掺杂离子浓度之比为1
×
103~2
×
105。
[0008]另外,在垂直于所述第一表面方向上,所述第一区的扩散区的厚度与所述基底的厚度之比为0.05~2。
[0009]另外,所述第一区的扩散区的厚度为10nm~200nm。
[0010]另外,在沿第二方向上,所述第一区的扩散区的宽度为20μm~800μm,所述第二方向为所述主体部的排布方向。
[0011]另外,所述扩散区在所述传输层表面的投影形状为矩形、圆形或者类圆形中的至少一种。
[0012]另外,所述扩散区的数量为多个。
[0013]另外,所述扩散区的掺杂离子类型与所述基底的掺杂离子类型相同。
[0014]另外,所述扩散区的掺杂离子类型与所述基底的掺杂离子类型不同。
[0015]另外,所述基底的掺杂离子类型为N型。
[0016]另外,所述传输层的材料与所述掺杂导电层的材料相同。
[0017]另外,相邻的所述第一电极之间,所述传输层的数量为多个,多个所述传输层沿所述第一方向间隔排布。
[0018]另外,所述传输层的数量为多个,多个所述传输层间隔排布,且相邻的所述传输层之间具有至少一条所述第一电极。
[0019]另外,所述掺杂导电层仅包括:多个间隔排布的所述主体部,相邻的所述主体部之间露出所述隧穿介质层的顶面。
[0020]另外,所述掺杂导电层包括:主体部以及连接部,所述连接部连接于相邻的所述主体部之间,且所述连接部远离所述第一表面的顶面不高于所述主体部远离所述第一表面的顶面。
[0021]另外,还包括:第二电极,所述第二电极的延伸方向垂直于所述第一方向,并电连接间隔排布的多个所述第一电极。
[0022]相应地,本申请实施例还提供一种光伏组件,包括电池串,电池串由多个上述任一项所述的太阳能电池连接而成;封装层,封装层用于覆盖电池串的表面盖板,盖板用于覆盖封装层远离电池串的表面。
[0023]相应地,本申请实施例还提供一种太阳能电池的制备方法,包括:提供基底;在所述基底第一表面且在远离所述基底第一表面方向形成依次设置的隧穿介质层以及掺杂导电层,所述掺杂导电层至少包括:多个间隔排布的主体部;形成扩散区,部分所述扩散区位于所述传输层中,且所述扩散区还延伸至所述隧穿介质层以及所述基底中,所述扩散区的掺杂离子浓度大于所述基底的掺杂离子浓度;在所述主体部远离所述基底的一侧形成多个间隔排布的第一电极,所述第一电极沿第一方向延伸,并与所述主体部电连接;在相邻的所述主体部之间形成传输层,并与所述主体部侧面接触。
[0024]另外,所述传输层的掺杂离子类型与所述扩散区的掺杂离子类型相同,形成所述扩散区的方法包括:采用激光工艺对预设区域的所述传输层进行处理,以将所述预设区域的传输层顶面的掺杂离子扩散至所述传输层、所述隧穿介质层以及所述基底中,形成所述扩散区,所述扩散区的掺杂离子浓度大于所述传输层的掺杂离子浓度。
[0025]另外,所述激光工艺所采用的激光波长为220nm~550nm,激光功率为10W~50W,激光频率为200kHz~2000kHz,激光脉冲宽度为1ps~10000ps。
[0026]本申请实施例提供的技术方案至少具有以下优点:
[0027]本申请实施例提供的太阳能电池的技术方案中,设置传输层位于相邻的两个主体部之间,并与主体部的侧面接触,使得多数载流子可以通过传输层传输至相邻的主体部中,提高基底中的载流子与掺杂导电层之间的传输效率。还设置扩散区,部分扩散区位于传输层中,且扩散区还延伸至隧穿介质层以及基底中,扩散区的掺杂离子浓度大于基底的掺杂离子浓度。也就是说,扩散区作为重掺杂区,以改变扩散区周围的基底的费米能级,使得扩散区周围的基底中的载流子更容易被收集,并通过扩散区传输至传输层中,进一步增加传输层对载流子的传输效率。此外,由于扩散区还位于隧穿介质层中,使得载流子可以经由位于隧穿介质层中的扩散区到达掺杂导电层中,而无需穿过隧穿介质层,从而可以防止隧穿介质层对载流子的传输起到阻碍,更进一步提升了载流子的传输效率,从而可以提高太阳
能电池的光电转换效率。
附图说明
[0028]一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明,这些示例性说明并不构成对实施例的限定,除非有特别申明,附图中的图不构成比例限制。
[0029]图1为本申请一实施例提供的一种太阳能电池的俯视结构示意图;
[0030]图2为本申请一实施例提供的另一种太阳能电池的俯视结构示意图;
[0031]图3为图1中1的一种的局部放大图;
[0032]图4为本申请一实施例提供的一种太阳能电池的局部剖视结构示意图;
[0033]图5至图6为本申请一实施例提供的一种太阳能电池中载流子的传输示意图;
[0034]图7为本申请一实施例提供的光伏组件的一种结构示意图;
[0035]图8至图13为本申请另一实施例提供的太阳能电池的制备方法中各步骤对应的结构示意图。
具体实施方式
[0036]由
技术介绍
可知,目前的太阳能电池的光电转换效率较低的问题。
[0037]分析发现,导致本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池,其特征在于,包括:基底;位于所述基底第一表面且在远离所述基底第一表面方向依次设置的隧穿介质层以及掺杂导电层,所述掺杂导电层至少包括:多个间隔排布的主体部;多个间隔排布的第一电极,所述第一电极沿第一方向延伸,所述第一电极设置于所述主体部远离所述基底的一侧,并与所述主体部电连接;传输层,所述传输层位于相邻的所述主体部之间,并与所述主体部侧面接触;扩散区,部分所述扩散区位于所述传输层中,且所述扩散区还延伸至所述隧穿介质层以及所述基底中,所述扩散区的掺杂离子浓度大于所述基底的掺杂离子浓度。2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述扩散区包括:位于所述基底中的第一区、位于所述隧穿介质层中的第二区以及位于所述传输层中的第三区,所述第一区的掺杂离子浓度小于所述第二区的掺杂离子浓度,且所述第二区的掺杂离子浓度小于所述第三区的掺杂离子浓度。3.根据权利要求2所述的太阳能电池,其特征在于,所述第一区的掺杂离子浓度与所述基底的掺杂离子浓度之比为1
×
103~2
×
105。4.根据权利要求3所述的太阳能电池,其特征在于,在垂直于所述第一表面方向上,所述第一区的扩散区的厚度与所述基底的厚度之比为0.05~2。5.根据权利要求4所述的太阳能电池,其特征在于,所述第一区的扩散区的厚度为10nm~200nm。6.根据权利要求4所述的太阳能电池,其特征在于,在沿第二方向上,所述第一区的扩散区的宽度为20μm~800μm,所述第二方向为所述主体部的排布方向。7.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述扩散区在所述传输层表面的投影形状为矩形、圆形或者类圆形中的至少一种。8.根据权利要求7所述的太阳能电池,其特征在于,所述扩散区的数量为多个。9.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述扩散区的掺杂离子类型与所述基底的掺杂离子类型相同。10.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述扩散区的掺杂离子类型与所述基底的掺杂离子类型不同。11.根据权利要求9或10所述的太阳能电池,其特征在于,所述基底的掺杂离子类型为N型。12.根据权利要求9或10所述的太阳能电池,其特征在于,所述传输层的材料与所述掺杂导电层的材料相同。13.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,相邻的所述第一电极之间,所述传输层的...

【专利技术属性】
技术研发人员:金井升张彼克张昕宇
申请(专利权)人:晶科能源股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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