一种资料保护方法,用以对存储器中的笔资料进行保护。存储器包括挥发性(Volatile)存储器及非挥发性(Non-volatile)存储器,非挥发性存储器储存一笔资料保护信息。资料保护方法包括下列的步骤。首先,将非挥发性存储器中的该笔资料保护信息加载至挥发性存储器。之后,根据挥发性存储器中的该笔资料保护信息保护储存于非挥发性存储器中的该笔资料。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关于一种资料保护方法,且特别是有关于一种根据挥发性存储器中的 保护信息来对一存储器阵列中的资料进行保护的资料保护方法。
技术介绍
随着科技发展日新月异的现今时代中,非挥发性(Non-volatile)存储器,例如闪 存(flash)以广泛地应用在各种电子产品中。传统上,通过设置非挥发性存储器来储存保 护信息,用以对闪存中的资料进行更动保护。然而,在一些特殊应用场合中,非挥发性存储 器中的保护信息需被高频率地重新写入。如此,将导致非挥发性存储器中的存储单元发生 坏损而无法有效地记录保护信息。如此,如何设计出可有效地记录保护信息的方法为业界 不断致力的方向之一。
技术实现思路
本专利技术有关于一种资料保护方法,其经由储存于挥发性存储器中的保护信息来对 存储器中的资料进行保护。其中挥发性存储器中的保护信息从非挥发性存储器加载。如此, 相较于传统保护方法,本专利技术相关的资料保护方法具有可有效地纪录保护信息及避免非挥 发性存储器应高频率地重新写入而坏损的优点。根据本专利技术的第一方面,提出一种资料保护方法,用以对存储器中的笔资料进行 保护。存储器包括挥发性(Volatile)存储器及非挥发性(Non-volatile)存储器,非挥发 性存储器储存一笔资料保护信息。资料保护方法包括下列的步骤。首先,将非挥发性存储 器中的该笔资料保护信息加载至挥发性存储器。之后,根据挥发性存储器中的该笔资料保 护信息保护储存于非挥发性存储器中的该笔资料。根据本专利技术的第二方面,提出一种存储器,包括非挥发性存储器、挥发性存储器及 控制电路。非挥发性存储器用以储存一笔资料保护信息及一笔资料。此笔资料保护信息从 非挥发性存储器中被加载至挥发性存储器,挥发性存储器还储存此笔资料保护信息。控制 电路用以加载此笔资料保护信息至挥发性存储器。其中,控制电路根据挥发性存储器中的 此笔资料保护信息保护非挥发性存储器中的此笔资料。附图说明为让本专利技术的上述内容能更明显易懂,下文特举一较佳实施例,并配合附图,作详细说明如下,其中图1绘示依照本专利技术实施例的存储器的方块图。图2绘示乃图1的非挥发性存储器NVM的详细示意图。图3绘示依照本专利技术实施例的资料保护方法的流程图。图4绘示乃图3的步骤(b)的详细流程图。图5绘示依照本专利技术实施例的资料保护方法的部分流程图。图6绘示依照本专利技术实施例的资料保护方法的部分流程图。具体方式请参照图1,其绘示依照本专利技术实施例的存储器的方块图。存储器1包括非挥发性存储器NVM、控制电路20及挥发性存储器30。非挥发性存储器NVM包括多个存储扇区 (Memory Sector)以储存对应的资料。非挥发性存储器NVM还用以储存资料保护信息Sp, 资料保护信息Sp对应至非挥发性存储器NVM中储存的资料。在一个例子中,非挥发性存储器NVM例如由存储器阵列10来实现。存储器1 中例如还包括列解码器(X-deCOder)42、行解码器(Y-decoder)44、感测放大器(Sense amplifier) 46及地址产生器48。地址产生器48产生列地址信号Adr及行地址信号Adc分 别驱动列解码器42及行解码器44,以致能非挥发性存储器NVM以提供对应的电流信号。感 测放大器46用以感测所述电流信号以对应地输出资料保护信息Sp。控制电路20接收感测放大器46提供的资料保护信息Sp,并对应地将资料保护信 息Sp加载挥发性存储器30。在一个例子中,挥发性存储器30例如由存储器1中的缓存器 (Register)来实现。控制电路20还根据挥发性存储器30中的资料保护信息Sp来保护非挥发性存储 器NVM中的资料。在一个操作实例中,控制电路20响应于资料保护信息Sp得知非挥发性 存储器NVM中一个特定存储扇区受到保护。如此,假使控制电路20接收到指示其对此受保 护的特定存储扇区进行资料更动的资料更动指令,控制电路20不会执行对应的资料更动 操作。在一个例子中,控制电路20还对应地触发保护操作事件以通知使用者此特定存储扇 区处于受保护状态。请参照图2,其绘示乃图1的非挥发性存储器NVM的详细示意图。举例来说,非挥 发性存储器NVM具有保护信息存储扇区BPS、SPS及CLS,而资料保护信息Sp包括分别储存 于保护信息存储扇区BPS、SPS及CLS的第一方案保护信息、第二方案保护信息及保护选择 fn息ο在一个例子中,第一及第二方案保护信息例如分别为分区保护方案(Block Protection)信息、分扇区保护方案(Sector Protection)信息。举例来说,非挥发性存储器NVM包括128个存储扇区。保护信息存储扇区BPS例如 储存4个位资料的分区保护信息。举例来说,当此分区保护信息具有数值(1000)2、(Olll)2, (OllO)2, (OlOl)2, (OlOO)2, (OOll)2, (OOlO)2 及(OOOl)2 时,控制电路 20 对应地将此 128 个 存储扇区中的全部128个存储扇区、前64个存储扇区、前32个存储扇区、前16个存储扇区、 前8个存储扇区、前4个存储扇区、前2个存储扇区及第1个存储扇区视为受保护的存储扇 区。而当分区保护信息具有数值(OOOO)2时,控制电路20视此128个存储扇区均为未受保 护的存储扇区。在另一个例子中,保护信息存储扇区SPS例如储存128个位资料的分扇区保护信 息分别与非挥发性存储器NVM中的128个存储扇区对应。当各128个位资料具有数值0时, 表示与各位资料对应的存储扇区未受到保护。当各128个位资料具有数值1时,表示与各 位资料对应的存储扇区受到保护。控制电路20读取保护选择信息,以决定读取保护信息存储扇区BPS中的分区保护 方案信息及保护信息存储扇区SPS中的分扇区保护方案信息其中之一,并将读取得到的保护方案信息储存在挥发性存储器30中。如此,控制电路20可根据挥发性存储器30中储存的保护方案信息,对非挥发性存储器NVM中的资料进行保护。非挥发性存储器NVM中的保护信息存储扇区BPS、SPS及CLS中的资料均为可编 程,如此,使用者可通过编辑保护信息存储扇区BPS、SPS及CLS中的信息,选择性地以分扇 区保护方案或以分区保护方案来对非挥发性存储器NVM中的资料进行保护。控制电路20还响应于输入指令Cmd来执行非挥发性存储器NVM及挥发性存储器 30进行资料编程及读取操作。在一个操作实例中,控制电路20响应于暂时修改指令来修改挥发性存储器30中 的资料保护信息。如此,控制电路20可根据挥发性存储器30中修改后的资料保护信息,对 非挥发性存储器NVM中的资料进行保护。在另一个操作实例中,控制电路20响应于永久修改指令来对非挥发性存储器NVM 中的资料保护信息进行永久修改操作。其中,在完成修改非挥发性存储器NVM中的信息的 操作后,控制电路20例如经由列解码器42、行解码器44、感测放大器46及地址产生器48 等电路将进行永久修改操作后的资料保护信息Sp加载至挥发性存储器30。如此,控制电路 20可根据挥发性存储器30中永久修改操作后的资料保护信息Sp,来保护非挥发性存储器 NVM中的资料。请参照图3,其绘示依照本专利技术实施例的资料保护方法的流程图。首先如步骤 (a),控制电路20将储存本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种资料保护方法,用以对一存储器中的一笔资料进行保护,该存储器包括一挥发性存储器及一非挥发性存储器,该非挥发性存储器储存一笔资料保护信息,该资料保护方法包括:将该非挥发性存储器中的该笔资料保护信息加载至该挥发性存储器;以及根据该挥发性存储器中的该笔资料保护信息保护储存于该存储器中的该笔资料。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员:张坤龙,郭乃萍,谢明志,
申请(专利权)人:旺宏电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:71[中国|台湾]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。