用于形成介电膜的组合物及其应用和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术属于光电材料应用科技领域，具体涉及一种用于形成介电膜的组合物及其应用和显示装置。该组合物包含：(i)一种或多种由式(R1)

【技术实现步骤摘要】
用于形成介电膜的组合物及其应用和显示装置


[0001]本专利技术属于光电材料应用科技领域，具体涉及一种用于形成介电膜的组合物及其应用和显示装置。

技术介绍

[0002]智能化已成为当今世界科技发展的热点之一，大到国家小到科技公司都希望在快速发展的智能化进程中抢占先机。具有高性能化、轻量化、微型化和集成化特性的柔性显示器、芯片、传感器等光电元器件是智能化必不可少的元素，而实现这些光电元器件高性能化、轻量化、微型化和集成化的特性，依赖于电子封装材料，而其中，介电材料在电子封装中起着重要的作用,如保护电路、隔离绝缘、缓冲热量和防止信号失真等，因而要求介质有高的绝缘电阻、低的介电常数、膜层致密、很好的弹性、韧性和硬度等等。电介质材料的介电常数主要取决于材料在电场中内部的极化程度，要获得低介电常数的薄膜材料，就必须降低材料的极化程度。其方法主要有两种，其一为降低组成材料分子的极化能力，如引入C
‑
C，C
‑
H，C
‑
Si，C
‑
F键等饱和σ键，其二为减小单位体积的极化分子数。然而，碳氟化合物具有异常坚固的化学结构，组件报废后，“含氟”材料的回收却饱受争议，无论是掩埋、焚烧或裂解，都会给环境造成污染。此外，人们设计出的不含氟的聚酰亚胺、聚芳醚、芳杂环聚合物和多芳基碳氢化合物(SiLK)等有机低介电材料，又存在着介电性能不足、热稳定性差、硬度低、热膨胀系数和吸水率大等缺点，不能满足超大规模集成电路层间或封装中的要求，无机光学材料亦存在加工成型困难、成本高和不易大规模生产等关键性问题，一般的杂化材料存在两相分布不均匀、成膜性差和机械性能低等不足，限制了低介电材料的使用，因此，低介电的电子封装材料的不断创新和性能提高一直是光电产业一个棘手的、迫切需要解决的问题。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种低介电、不含氟、柔韧性好且可喷墨打印制备成型的综合性能优异的用于形成介电膜的组合物材料。
[0004]本专利技术第一个方面提供了一种用于形成介电膜的组合物，其包含：
[0005](i)一种或多种由式(R1)
a
(R2)
b
(SiO
x
)
n
表示的硅氧烷聚合物；
[0006](ii)一种或多种环族(甲基)丙烯酸酯；
[0007](iii)光引发剂；
[0008]其中，R1、R2相同或不相同，通过单键键接在Si原子上,分别独立的选自：空，氢，羟基，未取代的或氟原子、环氧基取代的C1‑
12
的烷烃基，未取代的或由环氧基取代的C3‑
12
的取代的脂肪醚基，C3‑
12
的烯烃基，C3‑
12
的不饱和酯基，C6‑
15
的芳烃基；所述环族(甲基)丙烯酸酯包含脂环烃(甲基)丙烯酸酯和杂环烷烃(甲基)丙烯酸酯；a、b分别为0至8的自然数，且n≤a+b≤2n；n为4至8的自然数；x介于1
‑
1.5之间。
[0009]其中，所述环族(甲基)丙烯酸酯，以其为例，所指的为：环族丙烯酸酯或环族甲基
丙烯酸酯。即可按照本领域常用的表达方式来理解。本专利其他相同的表达处均为这种情况。
[0010]按上述技术方案，所述硅氧烷聚合物选自：环三硅氧烷类衍生物、环四硅氧烷类衍生物、环五硅氧烷类衍生物、聚倍半硅氧烷类衍生物。
[0011]按上述技术方案，其中至少含有笼型结构硅氧烷聚合物。
[0012]按上述技术方案，所述由式(R1)
a
(R2)
b
(SiO
x
)
n
表示的硅氧烷聚合物中R1、R2中的至少一个为C3‑
12
的烯烃基或C3‑
12
的不饱和酯基。
[0013]基于上述技术方案，体系的介电性能大幅度提高的同时硅氧烷聚合物中具有不饱和键，能够提供更多的交联点,易于形成高度交联的三维结构，冲击强度和拉伸强度同时得到提高。
[0014]按上述技术方案，所述未取代的或氟原子、环氧基取代的C1‑8的烷烃基选自：甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、新戊基、环戊基、正己基、异己基、仲己基、叔己基、环己基、正庚基、异庚基、仲庚基、叔庚基、正辛基、异辛基、仲辛基、叔辛基、三氟甲基、三氟乙基、三氟丙基、环氧环己基乙基、环氧环己基丙基；所述未取代的或由环氧基取代的C3‑
12
的取代的脂肪醚基选自：缩水甘油醚基、缩水甘油醚氧乙基、缩水甘油醚氧丙基；所述C3‑
12
的烯烃基选自：乙烯基、烯丙基、烯丁基；所述C3‑
12
的不饱和酯基选自：丙烯酰氧甲基、甲基丙烯酰氧甲基、丙烯酰氧乙基、甲基丙烯酰氧乙基、丙烯酰氧丙基、甲基丙烯酰氧丙基、丙烯酰氧羟丙基、甲基丙烯酰氧羟丙基、丙烯酰氧基甘油二缩水氧丙基、甲基丙烯酰氧基甘油二缩水氧丙基、丙烯酰氧基乙二醇氧丙基、甲基丙烯酰氧基乙二醇氧丙基、丙烯酰氧基丙二醇氧丙基、甲基丙烯酰氧基丙二醇氧丙基；所述C6‑
15
的芳烃基选自：苯基、甲苯基、苯甲基。
[0015]按上述技术方案，所述环三硅氧烷类衍生物选自：六甲基环三硅氧烷、三乙基三甲基环三硅氧烷、六乙基环三硅氧烷、三氟丙基三甲基环三硅氧烷、三甲基三苯基环三硅氧烷、三乙烯基三甲基环三硅氧烷、六苯基环三硅氧烷、四甲基二苯基环三硅氧烷；所述环四硅氧烷类衍生物选自：八甲基环四硅氧烷、八乙基环四硅氧烷、四甲基四乙基环四硅氧烷、四甲基四丙基环四硅氧烷、四(三氟丙基)四甲基环四硅氧烷、四甲基四乙烯基环四硅氧烷、甲基丙烯酰氧丙基环四硅氧烷、甲基丙酸烯三氧环硅氧烷、缩水甘油醚氧丙基环四硅氧烷、七甲基环氧环己基乙基环四硅氧烷、八苯基环四硅氧烷、四甲基四苯基环四硅氧烷、七甲基苯基环四硅氧烷；所述环五硅氧烷类衍生物选自：十甲基环五硅氧烷、五甲基五乙烯基环五硅氧烷、五(三氟丙基)五甲基环五硅氧烷；所述聚倍半硅氧烷类衍生物选自：氢倍半硅氧烷、八甲基聚倍半硅氧烷、八异丁基聚倍半硅氧烷、八异辛基聚倍半硅氧烷、七异丁基三硅醇聚倍半硅氧烷、七异辛基三硅醇聚倍半硅氧烷、八异丁基二硅醇聚倍半硅氧烷、八(三氟丙基)聚倍半硅氧烷、三氟丙基七异丁基聚倍半硅氧烷、缩水甘油基聚倍半硅氧烷、缩水甘油七异丁基聚倍半硅氧烷、八环氧环己基乙基聚倍半硅氧烷、八乙烯基聚倍半硅氧烷、乙烯基七异丁基聚倍半硅氧烷、烯丙基七异丁基聚倍半硅氧烷、八丙烯酰氧丙基聚倍半硅氧烷、八甲基丙烯酰氧丙基聚倍半硅氧烷、丙烯酰氧丙基七乙基聚倍半硅氧烷、丙烯酰氧丙基七异丁基聚倍半硅氧烷、甲基丙烯酰氧丙基七异丁基聚倍半硅氧烷、甲基丙烯酰氧甲基七异辛基聚倍半硅氧烷、八苯基聚倍半硅氧烷、三硅醇七苯基聚倍半硅氧烷。
[0016]按上述技术方案，所述硅氧烷聚合物含有(R1)
a
(R2)8‑
a
(S iO
1.5<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于形成介电膜的组合物，其包含：(i)一种或多种由式(R1)
a
(R2)
b
(SiO
x
)
n
表示的硅氧烷聚合物；(ii)一种或多种环族(甲基)丙烯酸酯；(iii)光引发剂；其中，R1、R2相同或不相同，通过单键键接在Si原子上,分别独立的选自：空，氢，羟基，未取代的或环氧基取代的C1‑
12
的烷烃基，未取代的或由环氧基取代的C3‑
12
的取代的脂肪醚基，C3‑
12
的烯烃基，C3‑
12
的不饱和酯基，C6‑
15
的芳烃基；所述环族(甲基)丙烯酸酯包含脂环烃(甲基)丙烯酸酯或杂环烷烃(甲基)丙烯酸酯中的任意一种或两种；a、b分别为0至8的自然数，且n≤a+b≤2n；n为4至8的自然数；x介于1
‑
1.5之间。2.根据权利要求1所述的用于形成介电膜的组合物，其特征在于，所述硅氧烷聚合物选自：环三硅氧烷类衍生物、环四硅氧烷类衍生物、环五硅氧烷类衍生物或聚倍半硅氧烷类衍生物中的任意一种或多种。3.根据权利要求1所述的用于形成介电膜的组合物，其特征在于，所述由式(R1)
a
(R2)
b
(SiO
x
)
n
表示的硅氧烷聚合物中R1、R2中的至少一个为C3‑
12
的烯烃基或C3‑
12
的不饱和酯基。4.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：穆广园，金江江，龚文亮，张景晖，
申请(专利权)人：武汉尚赛光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：